双倍增内线帧转移CCD结构制造技术

本发明专利技术涉及CCD结构技术领域，特别涉及一种双倍增内线帧转移CCD结构，包括倍增像元阵列、存储区阵列、水平转移区以及读出放大器，倍增像元阵列、存储区阵列并排设置在CCD结构的衬底上，存储区阵列通过垂直转移栅与水平转移区连接，水平转移区的末端通过输出节点与读出放大器连接；所述倍增像元阵列中的像元中设置有像元光敏区和像元光敏区一侧的像元垂直转移区；所述像元的光敏区中设置像元倍增栅和像元倍增结构，通过像元倍增栅和倍增结构的时序控制；本发明专利技术可同时实现在前端像元级和后级移位寄存器的探测灵敏度提高，使得双倍增IFT CCD有能力实现对微光甚至单光子信号的探测。

Double inner line frame transfer CCD structure

【技术实现步骤摘要】
双倍增内线帧转移CCD结构
本专利技术涉及CCD结构
，特别涉及一种双倍增内线帧转移电荷耦合器件(InterlineFrameTransferChargedCoupledDevice，IFTCCD)结构。
技术介绍
电荷耦合器件(ChargeCoupledDevice，CCD)是一种微型图像传感器，本身兼具光电转换功能和信号的存储、转移、转换等功能，可以将空间域内分布的图像，转换成为按时间域离散分布的电信号。具有灵敏度高、光谱响应宽、动态范围大、像元尺寸小、几何精度高、成像质量好、抗震动、抗辐射等优点。传统CCD一般分为线阵类型CCD(LinearCCD)、全帧转移类型(FullFrameTransferCCD)、帧转移类型(FrameTransferCCD)、内线转移类型(InterlineTransferCCD)、时间延迟积分型(TimeDelayIntegrationCCD)、电子倍增型(ElectronMultiplyingCCD)等几种类型的CCD，每种类型CCD有自己的性能特点和光谱探测优势，应用于不同场景和领域。...

【技术保护点】
1.双倍增内线帧转移CCD结构，包括倍增像元阵列、存储区阵列、水平转移区以及读出放大器，其特征在于，倍增像元阵列、存储区阵列并排设置在CCD结构的衬底上，存储区阵列通过垂直转移栅与水平转移区连接，水平转移区的末端通过输出节点与读出放大器连接。/n

【技术特征摘要】
1.双倍增内线帧转移CCD结构，包括倍增像元阵列、存储区阵列、水平转移区以及读出放大器，其特征在于，倍增像元阵列、存储区阵列并排设置在CCD结构的衬底上，存储区阵列通过垂直转移栅与水平转移区连接，水平转移区的末端通过输出节点与读出放大器连接。


2.根据权利要求1所述的双倍增内线帧转移CCD结构，其特征在于，所述倍增像元阵列中的像元中设置有像元光敏区和像元光敏区一侧的像元垂直转移区。


3.根据权利要求2所述的双倍增内线帧转移CCD倍增像元阵列，其特征在于，所述像元的光敏区中设置像元倍增栅和像元倍增结构，且像元倍增栅和像元倍增结构通过时序驱动进行控制。


4.根据权利要求1所述的双倍增内线帧转移CCD存储区阵...

【专利技术属性】
技术研发人员：王小东，钟四成，汪朝敏，李立，熊平，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第四十四研究所，
类型：发明
国别省市：重庆;50