一种单片混合型CCD结构制造技术

技术编号:24130875 阅读:37 留言:0更新日期:2020-05-13 06:16
本发明专利技术公开了一种单片混合型CCD结构,包括衬底和设在该衬底上的线阵CCD单元、TDICCD单元和TDIEMCCD单元,所述线阵CCD单元包括第一水平寄存器、第一光敏区和第一放大器,所述第一光敏区与所述第一水平寄存器电连接,所述第一水平寄存器与所述第一放大器电连接;所述TDICCD单元包括第二水平寄存器、第二光敏区和第二放大器,所述第二光敏区与所述第二水平寄存器电连接,所述第二水平寄存器与所述第二放大器电连接;所述TDIEMCCD单元包括第三水平寄存器、第三光敏区、第三放大器和倍增寄存器,所述第三光敏区与所述第三水平寄存器电连接,所述第三水平寄存器与所述倍增寄存器电连接,所述倍增寄存器与所述第三放大器电连接。

A monolithic hybrid CCD structure

【技术实现步骤摘要】
一种单片混合型CCD结构
本专利技术涉及电荷耦合器件
,特别是涉及一种单片混合型CCD结构。
技术介绍
CCD(ChargeCoupledDevice)指电荷耦合器件,是一种用电荷量表示信号大小,用耦合方式传输信号的探测元件,是航天用照相机的核心部件,但航天用照相机通常需要满足大动态范围的要求,现有CCD的输出线性部分斜率较小,其动态范围通常适合于亮度较高的环境,因此现有的CCD通常难于兼顾夜间、晨昏和白昼成像大动态范围环境要求。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种能兼顾夜间、晨昏和白昼成像的单片混合型CCD结构。为解决上述问题,本专利技术提供了一种单片混合型CCD结构,包括衬底和设在该衬底上的线阵CCD单元,所述衬底上还设有TDICCD单元和TDIEMCCD单元,所述线阵CCD单元包括第一水平寄存器、第一光敏区和第一放大器,所述第一光敏区与所述第一水平寄存器的输入端电连接,所述第一水平寄存器的输出端与所述第一放大器电连接,所述线阵CCD单元用于高亮度的动态成像;所述TDICCD单元包括第二水平本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种单片混合型CCD结构,包括衬底(1)和设在该衬底(1)上的线阵CCD单元(2),其特征在于:所述衬底(1)上还设有TDICCD单元(3)和TDIEMCCD单元(4),所述线阵CCD单元(2)包括第一水平寄存器(21)、第一光敏区(22)和第一放大器(23),所述第一光敏区(22)与所述第一水平寄存器(21)的输入端电连接,所述第一水平寄存器(21)的输出端与所述第一放大器(23)电连接,所述线阵CCD单元(2)用于高亮度的动态成像;所述TDICCD单元(3)包括第二水平寄存器(31)、第二光敏区(32)和第二放大器(33),所述第二光敏区(32)与所述第二水平寄存器(31)的输入端电连...

【技术特征摘要】
1.一种单片混合型CCD结构,包括衬底(1)和设在该衬底(1)上的线阵CCD单元(2),其特征在于:所述衬底(1)上还设有TDICCD单元(3)和TDIEMCCD单元(4),所述线阵CCD单元(2)包括第一水平寄存器(21)、第一光敏区(22)和第一放大器(23),所述第一光敏区(22)与所述第一水平寄存器(21)的输入端电连接,所述第一水平寄存器(21)的输出端与所述第一放大器(23)电连接,所述线阵CCD单元(2)用于高亮度的动态成像;所述TDICCD单元(3)包括第二水平寄存器(31)、第二光敏区(32)和第二放大器(33),所述第二光敏区(32)与所述第二水平寄存器(31)的输入端电连接,所述第二水平寄存器(31)的输出端与所述第二放大器(33)电连接,所述TDICCD单元(3)用于中等亮度的动态成像;所述TDIEMCCD单元(4)包括第三水平寄存器(41)、第三光敏区(42)、第三放大器(43)和倍增寄存器(44),所述第三光敏区(42)与所述第三水平寄存器(41)的输入端电连接,所述第三水平寄存器(41)的输出端与所述倍增寄存器(44)的输入端电连接,所述倍增寄存器(44)的输出端与所述第三放大器(43)电连接,所述TDIEMCCD单元(4)用于低亮度的动态成像。


2.根据权利要求1所述的一种单片混合型CCD结构,其特征在于:所述第二水平寄存器(31)和所述第二光敏区(32)之间设有第一隔离行(5),所述第三水平寄存器(41)和所述第三光敏区(42)之间设有第一隔离行(5);所述第二光敏区(32)远离所述第二水平寄存器(31)的一侧设有第二隔离行(6),所述第三光敏区(42)远离所述第三水平寄存器(41)的一侧设有第二隔离行(6)。


3.根...

【专利技术属性】
技术研发人员:白雪平杨洪翁雪涛
申请(专利权)人:中国电子科技集团公司第四十四研究所
类型:发明
国别省市:重庆;50

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