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本发明涉及CCD结构技术领域,特别涉及一种双倍增内线帧转移CCD结构,包括倍增像元阵列、存储区阵列、水平转移区以及读出放大器,倍增像元阵列、存储区阵列并排设置在CCD结构的衬底上,存储区阵列通过垂直转移栅与水平转移区连接,水平转移区的末端通...该专利属于中国电子科技集团公司第四十四研究所所有,仅供学习研究参考,未经过中国电子科技集团公司第四十四研究所授权不得商用。
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本发明涉及CCD结构技术领域,特别涉及一种双倍增内线帧转移CCD结构,包括倍增像元阵列、存储区阵列、水平转移区以及读出放大器,倍增像元阵列、存储区阵列并排设置在CCD结构的衬底上,存储区阵列通过垂直转移栅与水平转移区连接,水平转移区的末端通...