【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】CMOS结构、图像传感器及手持装置
本申请涉及半导体结构，尤其涉及一种互补金属氧化物半导体(CMOS)结构及相关图像传感器及手持装置。
技术介绍
随著手持装置上的指纹辨识功能的普及，对于萤幕上能够执行指纹辨识的区域面积要求也越来越高，使用CMOS结构实现的图像传感器，其成本远远高于使用薄膜半导体结构实现的图像传感器，但使用薄膜半导体结构实现的图像传感器有许多缺点需要克服，例如信号速度较慢及感测信号较小等问题。因此，需要进一步改良相关的电路以克服上述问题。
技术实现思路
本申请的目的之一在于公开一种CMOS结构及相关图像传感器及手持装置，来解决上述问题。本申请的一实施例公开了一种CMOS结构，耦接至薄膜半导体结构，所述薄膜半导体结构包括至少一像素，所述像素用来在重置阶段产生重置信号并输出至所述CMOS结构，以及在感测阶段产生感测信号，并在读出阶段才将所述感测信号输出至所述CMOS结构，所述CMOS结构包括：运放，具有正端、负端与输出端，所述正端选择性地从所述薄膜半导体结构接收所述重置信号，所述负端选...
【技术保护点】
1.一种CMOS结构，耦接至薄膜半导体结构，所述薄膜半导体结构包括至少一像素，所述像素用来在重置阶段产生重置信号并输出至所述CMOS结构，以及在感测阶段产生感测信号，并在读出阶段才将所述感测信号输出至所述CMOS结构，所述CMOS结构包括：/n运放，具有正端、负端与输出端，所述正端选择性地从所述薄膜半导体结构接收所述重置信号，所述负端选择性地从所述薄膜半导体结构接收所述感测信号；/n第一反馈电路，耦接于所述运放的所述负端与所述输出端之间，用于在所述重置阶段时，与所述运放共同组态为单位增益缓冲器；以及/n第二反馈电路，用于在所述读出阶段时，与所述第一反馈电路及所述运放共同组态为电荷放大器。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20191010 CN PCT/CN2019/1103381.一种CMOS结构，耦接至薄膜半导体结构，所述薄膜半导体结构包括至少一像素，所述像素用来在重置阶段产生重置信号并输出至所述CMOS结构，以及在感测阶段产生感测信号，并在读出阶段才将所述感测信号输出至所述CMOS结构，所述CMOS结构包括：
运放，具有正端、负端与输出端，所述正端选择性地从所述薄膜半导体结构接收所述重置信号，所述负端选择性地从所述薄膜半导体结构接收所述感测信号；
第一反馈电路，耦接于所述运放的所述负端与所述输出端之间，用于在所述重置阶段时，与所述运放共同组态为单位增益缓冲器；以及
第二反馈电路，用于在所述读出阶段时，与所述第一反馈电路及所述运放共同组态为电荷放大器。
2.如权利要求1所述的CMOS结构，其中在所述重置阶段时，所述正端从所述薄膜半导体结构接收所述重置信号，所述负端不从所述薄膜半导体结构接收所述重置信号。
3.如权利要求1所述的CMOS结构，其中在所述感测阶段时，所述正端不从所述薄膜半导体结构接收所述感测信号，所述负端不从所述薄膜半导体结构接收所述感测信号。
4.如权利要求1所述的CMOS结构，其中在所述读出阶段时，所述正端不从所述薄膜半导体结构接收所述感测信号，所述负端从所述薄膜半导体结构接收所述感测信号。
5.如权利要求1所述的CMOS结构，其中所述重置信号的类型是电压信号，且在所述重置阶段时，所述单位增益缓冲器输出所述重置信号。
6.如权利要求1所述的CMOS结构，其中所述感测信号的类型是电荷信号，且在所述读出阶段时，所述电荷放大器将所述感测信号转换为电压类型的输出感测信号。
7.如权利要求1所述的CMOS结构，另包括模数转换器，耦接于所述运放的所述输出端。
8.如权利要求7所述的CMOS结构，其中所述第二反馈电路耦接于所述运放的所述正端与所述模数转换器的输出端之间。
9.如权利要求8所述的CMOS结构，其中所述模数转换器用于在所述读出阶段之前，将所述重置信号由模拟信号类型转换为数字信号类型，且所述第二反馈电路包括数模转换器，用于在所述读出阶段之前将所述数字信号类型的所述重置信号转换为所述模拟信号类型。
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【专利技术属性】
技术研发人员：林奇青，杨富强，杨孟达，
申请(专利权)人：深圳市汇顶科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44
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