一种显示面板及其制备方法技术

本发明专利技术提供一种显示面板及其制备方法。所述显示面板包括：衬底层、位于所述衬底层之上的缓冲层、以及位于所述缓冲层之上的有源层。其中，所述有源层由原子晶体单质和原子晶体化合物混合而成，所述原子晶体单质为多晶硅。本发明专利技术通过将非晶硅层在进行激光退火晶化形成多晶硅层之前进行原子掺杂，可以使晶化时晶粒更细，降低因晶粒挤压形成凸起的高度，晶化后形成原子晶体单质和原子晶体化合物的混合层，其粗糙度低，后续制程不易发生破膜、蚀刻不干净、尖端放电等问题。

A display panel and its preparation method

【技术实现步骤摘要】
一种显示面板及其制备方法
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种显示面板及其制备方法。
技术介绍
与传统A-Si(非晶硅)技术相比，LTPS(LowTemperaturePoly-silicon，低温多晶硅)技术具有更高的载流子迁移率，被广泛用于中小型尺寸、高分辨率的TFTLCD(ThinFilmTransistorliquidcrystaldisplay，薄膜晶体管液晶显示器)和AMOLED(Active-matrixorganiclightemittingdiode，有源矩阵有机发光二极体)面板的制作。AMOLEDLTPS的结构和电性极其精密，对每层膜的质量要求很高。现有的制程中用化学气相沉积法先在缓冲层上沉积一层平坦的A-Si层，然后进行激光退火晶化。在激光退火对A-Si晶化过程中，A-Si融化，再结晶，由于是纯硅，形核点较少，造成核周围原子沿着同一形核点长大，相邻的两个晶粒在长大过程中相互挤压形成突起，晶粒越大或晶界相交在一起的个数越多突起越高，表面粗糙度越大，现有制程中未对形成的突起进行平坦化，从而造成后续制程中的破膜，蚀刻本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种显示面板，其特征在于，包括：/n衬底层；/n缓冲层，所述缓冲层位于所述衬底层之上；/n有源层，所述有源层位于所述缓冲层之上；/n其中，所述有源层由原子晶体单质和原子晶体化合物混合而成，所述原子晶体单质为多晶硅。/n

【技术特征摘要】
1.一种显示面板，其特征在于，包括：
衬底层；
缓冲层，所述缓冲层位于所述衬底层之上；
有源层，所述有源层位于所述缓冲层之上；
其中，所述有源层由原子晶体单质和原子晶体化合物混合而成，所述原子晶体单质为多晶硅。


2.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述原子晶体化合物为碳化硅。


3.如权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述有源层内的碳原子的掺杂浓度范围为1013个每平方厘米至1015个每平方厘米。


4.如权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述有源层的厚度范围为11纳米至45纳米。


5.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板为可弯折的柔性显示面板。


6.一种显示面板的制备方法，其特征在于，包括步骤：
制备衬底层；
在所述衬底层上制备缓冲层；
在所述缓冲层上制备有源层，其中，所述有源层由原子晶体单质和原子晶体化合物混合而成，所述原子晶体单质为多晶硅。

【专利技术属性】
技术研发人员：张伟彬，
申请(专利权)人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42