半导体器件与其制作方法技术

本申请提供了一种半导体器件与其制作方法。该半导体器件包括：具有凹槽的第一电极层；介质层，位于凹槽的表面上以及凹槽两侧的第一电极层的表面上，介质层具有电极接触通孔；第二电极层，位于介质层的远离第一电极层的一侧，且第二电极层和凹槽表面上的介质层形成空腔，第一电极层的材料和/或第二电极层的材料包括SiC；第一电极，至少部分位于电极接触通孔中且与第一电极层接触；第二电极，至少部分位于第二电极层的远离介质层的表面上。的半导体器件中，第一电极层的材料和/或第二电极层的材料包括SiC，SiC的耐高温性能较好，使得该半导体器件的耐高温性能较好，可以在大于或者等于500℃的环境下准确测量。

Semiconductor devices and their fabrication methods

【技术实现步骤摘要】
半导体器件与其制作方法
本申请涉及半导体领域，具体而言，涉及一种半导体器件与其制作方法。
技术介绍
压力是仅次于温度的第二大需要测量的物理量，压力传感器是目前广泛应用的一类传感器，随着现代工业技术的进一步发展，在石油化工、航空航天和军事等领域应用的高温压力传感器对我国工业发展至关重要。虽然，传统的硅基电容型压力传感器已在现代工业中取得了极其广泛的应用，但是硅材料的固有物理化学特性的限制，例如易腐蚀性、低的热机械稳定性(500℃时开始丧失机械可靠性)和相对较窄的禁带宽度(硅基PN结在200℃时开始劣化)等，使传统的硅基传感技术无法完成极端恶劣环境下实时精准探测的要求。在
技术介绍
部分中公开的以上信息只是用来加强对本文所描述技术的
技术介绍
的理解，因此，
技术介绍
中可能包含某些信息，这些信息对于本领域技术人员来说并未形成在本国已知的现有技术。
技术实现思路
本申请的主要目的在于提供一种半导体器件与其制作方法，以解决现有技术中的传感器无法在高温等极端恶劣的环境下实现精准测量的问题。为了实现上述目的，根据本申请的一本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括：/n具有凹槽的第一电极层；/n介质层，位于所述凹槽的表面上以及所述凹槽两侧的所述第一电极层的表面上，所述介质层具有电极接触通孔；/n第二电极层，位于所述介质层的远离所述第一电极层的一侧，且所述第二电极层和所述凹槽表面上的所述介质层形成空腔，所述第一电极层的材料和/或所述第二电极层的材料包括SiC；/n第一电极，至少部分位于所述电极接触通孔中且与所述第一电极层接触；/n第二电极，至少部分位于所述第二电极层的远离所述介质层的表面上。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括：
具有凹槽的第一电极层；
介质层，位于所述凹槽的表面上以及所述凹槽两侧的所述第一电极层的表面上，所述介质层具有电极接触通孔；
第二电极层，位于所述介质层的远离所述第一电极层的一侧，且所述第二电极层和所述凹槽表面上的所述介质层形成空腔，所述第一电极层的材料和/或所述第二电极层的材料包括SiC；
第一电极，至少部分位于所述电极接触通孔中且与所述第一电极层接触；
第二电极，至少部分位于所述第二电极层的远离所述介质层的表面上。


2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一电极层和/或所述第二电极层的掺杂浓度等于或大于1020/cm3。


3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一电极层和所述介质层的晶格常数的差值在0.01～0.10之间，和/或所述第二电极层和所述介质层的晶格常数的差值在0.01～0.10之间。


4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体器件，其特征在于，所述介质层的材料包括AlN。


5.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体器件，其特征在于，所述介质层的厚度在200～500nm之间。


6.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体器件，其特征在于，所述第一电极层的材料包括SiC，所述第二电极层的材料包括3C-SiC。


7.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体器件，其特征在于，所述第一电极层的厚度在30～5...

【专利技术属性】
技术研发人员：王英辉，尚海平，王玮冰，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：北京;11