Flash芯片及其读方法技术

本发明专利技术涉及一种Flash芯片及其读方法；Flash芯片，包括用于获取内部时间信号(32)的计时器(30)，与计时器(30)电性连接、用于获取计时器(30)所获取的内部时间信号(32)并根据内部时间信号(32)启动或关断的读电路(40)；内部时间信号(32)的频率恒定。本发明专利技术的Flash芯片及其读方法设计新颖，实用性强。

【技术实现步骤摘要】
Flash芯片及其读方法
本专利技术涉及存储器
，尤其涉及一种Flash芯片及其读方法。
技术介绍
在Flash芯片中，读电路是重要组成部分之一。用户在应用Flash芯片时，大多希望Flash芯片可以在高频率下工作，这要求Flash芯片在高频率下可以准确地读出存储单元的数据。通常情况下，Flash芯片读取频率越低，读电路的工作时间越长，读电路的功耗越大。若读电路具有在高频率下准确读出存储单元的数据的能力，则读电路以及Flash芯片从高频率下转为在低频率下读取数据的功耗将会变得很大，这对外围电路的电源提出了更高的要求，很可能导致整个系统工作异常。
技术实现思路
本专利技术针对上述技术问题，提出一种Flash芯片及其读方法。本专利技术所提出的技术方案如下：本专利技术提出了一种Flash芯片，包括用于获取内部时间信号的计时器，与计时器电性连接、用于获取计时器所获取的内部时间信号并根据内部时间信号启动或关断的读电路；内部时间信号的频率恒定。本专利技术上述的Flash芯片中，读电路包括比较器、存储单元以及本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种Flash芯片，其特征在于，包括用于获取内部时间信号(32)的计时器(30)，与计时器(30)电性连接、用于获取计时器(30)所获取的内部时间信号(32)并根据内部时间信号(32)启动或关断的读电路(40)；内部时间信号(32)的频率恒定。/n

【技术特征摘要】
1.一种Flash芯片，其特征在于，包括用于获取内部时间信号(32)的计时器(30)，与计时器(30)电性连接、用于获取计时器(30)所获取的内部时间信号(32)并根据内部时间信号(32)启动或关断的读电路(40)；内部时间信号(32)的频率恒定。


2.根据权利要求1所述的Flash芯片，其特征在于，读电路(40)包括比较器(A)、存储单元(11)以及电压源(21)；存储单元(11)包括晶体管；比较器(A)的反相输入端经电压源(21)后接地；比较器(A)的同相输入端接存储单元(11)的晶体管的漏极，存储单元(11)的晶体管的源极接...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘梦，
申请(专利权)人：深圳市芯天下技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44