【技术实现步骤摘要】
一种利用紫外光刻胶作支撑层转印石墨烯进行光刻的方法
本专利技术涉及石墨烯转印
，具体涉及一种利用紫外光刻胶作支撑层转印石墨烯进行光刻的方法。
技术介绍
石墨烯是一种由碳原子以sp2杂化轨道组成六角型蜂巢晶格的二维碳纳米材料，具有优异的光学、电学、力学特性，在材料科学、微纳加工、能源、生物医学和药物传递等方面具有重要的应用前景。目前石墨烯的主要制备方法是在铜箔衬底上通过CVD方法制备，制备得到的石墨烯附着在铜箔衬底表面。在使用石墨烯进行器件制备的过程中，现有方法是通过在附有石墨烯一侧的铜箔衬底表面旋涂一层支撑层，再腐蚀完铜箔衬底，将附有石墨烯的支撑层转印至特定衬底上，洗去支撑层，再在上面进行光刻工艺，获得图案化石墨烯，选择的支承层材料一般是PMMA，一种正性电子束光刻胶，该材料只能进行电子束光刻，无法进行使用更为普遍的紫外光刻。因此，当涉及到需要对转印的石墨烯进行紫外光刻图案化刻蚀的时候，这种方法在使用过程中一方面操作步骤繁杂，需要先去除支撑层、洗净后再匀光刻胶进行光刻等后续工艺；另一方面，在去除支承层的过程中，...
【技术保护点】
1.一种利用紫外光刻胶作支撑层转印石墨烯进行光刻的方法，其特征在于，该方法流程全部在光刻间黄光条件下进行，具体包括如下步骤：/nS1：在CVD生长石墨烯的铜箔衬底上旋涂紫外光刻胶，前烘固化；/nS2：将匀有所述紫外光刻胶的铜箔剪成所需要的石墨烯片大小，放置于铜箔腐蚀液中，铜箔腐蚀液置于黑暗环境下，腐蚀完全铜箔衬底；/nS3：转移腐蚀铜箔衬底后附有石墨烯的紫外光刻胶至去离子水中；/nS4：转印所述附有石墨烯的紫外光刻胶至目标衬底；/nS5：对所述附有石墨烯的紫外光刻胶进行光刻、显影；/nS6：刻蚀所述裸露的石墨烯；/nS7：洗去所述紫外光刻胶，得到图案化石墨烯。/n
【技术特征摘要】
1.一种利用紫外光刻胶作支撑层转印石墨烯进行光刻的方法，其特征在于，该方法流程全部在光刻间黄光条件下进行，具体包括如下步骤：
S1：在CVD生长石墨烯的铜箔衬底上旋涂紫外光刻胶，前烘固化；
S2：将匀有所述紫外光刻胶的铜箔剪成所需要的石墨烯片大小，放置于铜箔腐蚀液中，铜箔腐蚀液置于黑暗环境下，腐蚀完全铜箔衬底；
S3：转移腐蚀铜箔衬底后附有石墨烯的紫外光刻胶至去离子水中；
S4：转印所述附有石墨烯的紫外光刻胶至目标衬底；
S5：对所述附有石墨烯的紫外光刻胶进行光刻、显影；
S6：刻蚀所述裸露的石墨烯...
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