抗蚀剂下层膜形成用组合物制造技术

含有具有下述式(1)所表示的结构单元的树脂的抗蚀剂下层膜形成用组合物提供了耐溶剂性、光学参数、干蚀刻速度、和埋入性这些特性都优异的抗蚀剂下层膜。式(1)中，R

Composition for the formation of an anticorrosive underlayer film

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】抗蚀剂下层膜形成用组合物
本专利技术涉及耐溶剂性、光学参数、干蚀刻速度和埋入性这些所有特性优异的抗蚀剂下层膜形成用组合物、使用该抗蚀剂下层膜形成用组合物形成的抗蚀剂下层膜和其制造方法、抗蚀剂图案的形成方法、和半导体装置的制造方法。
技术介绍
在对抗蚀剂膜曝光时，有时反射波对该抗蚀剂膜有不良影响。为了抑制这种情况而形成的抗蚀剂下层膜也被称作防反射膜。抗蚀剂下层膜追求能够通过涂布溶液状的抗蚀剂下层膜形成用组合物、使其固化而容易地形成膜。因此，该组合物需要含有能够通过加热等容易地固化而且对规定的溶剂溶解性高的化合物(聚合物)。在抗蚀剂下层膜上形成的抗蚀剂图案，优选与基板垂直的方向的截面形状是矩形(直线下脚形状，没有所谓的底切(底部变细)、拖下脚(底部变宽)等)。例如，如果抗蚀剂图案是底切形状或拖下脚形状等，则会发生抗蚀剂图案的倒塌、光刻工序时不能将被加工物(基板、绝缘膜等)加工成所希望的形状或尺寸的问题。此外，抗蚀剂下层膜追求比上层的抗蚀剂膜干蚀刻速度大、即干蚀刻速度的选择比大。此外，在半导体基板已经具有凹部的情况，则本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，含有具有下述式(1)所示结构单元的树脂，/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170922 JP 2017-1824031.一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，含有具有下述式(1)所示结构单元的树脂，



式(1)中，R1表示可以夹着羧基的C1～6烷基、可以具有羟基取代基的C1～6烷基或可以具有C1～4烷硫基取代基的噻二唑基，R2表示氢原子或下述式(2)所示基团，



式(2)中，R1的含义与上述相同，＊表示键合部分。


2.一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，含有由含有环氧基的树脂(A)和具有巯基的化合物(B)反应而得到的树脂。


3.如权利要求2所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，所述含有环氧基的树脂(A)是苯酚线型酚醛清漆型环氧树脂。


4.一种抗蚀剂下层膜，其特征在于，是...

【专利技术属性】
技术研发人员：田村护，绪方裕斗，岸冈高广，
申请(专利权)人：日产化学株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP