【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】图案形成方法、离子注入方法、层叠体、试剂盒、抗蚀剂下层膜形成用组合物、抗蚀剂组合物及电子器件的制造方法
本专利技术涉及一种图案形成方法、离子注入方法、层叠体、试剂盒、抗蚀剂下层膜形成用组合物、抗蚀剂组合物及电子器件的制造方法。更具体而言，本专利技术涉及一种在IC(IntegratedCircuit，集成电路)等半导体制造工序、液晶及热敏头等电路板的制造以及其他感光蚀刻加工的光刻工序中较佳的图案形成方法、离子注入方法、层叠体、试剂盒、抗蚀剂下层膜形成用组合物、抗蚀剂组合物及电子器件的制造方法。
技术介绍
以往，在IC等半导体器件的制造工序中，使用抗蚀剂组合物通过光刻进行微细加工，并提出了各种图案形成方法。作为抗蚀剂组合物已知有多种组合物，但是作为一形态，已知有含有树脂的组合物，所述树脂具有包含Si原子的重复单元。例如，在专利文献1中公开有图案形成方法，所述图案形成方法包括：(1)在被加工基板上形成抗蚀剂下层膜的工序；(2)利用含有(A)具有包含Si原子的重复单元的树脂及(B)通过光化射线或辐射线的照射产...
【技术保护点】
1.一种图案形成方法，其包括：/n(1)在被处理基板上形成抗蚀剂下层膜的工序；/n(2)利用含有(A)树脂的抗蚀剂组合物在所述抗蚀剂下层膜上形成抗蚀剂膜的工序，所述(A)树脂具有选自由Si原子及Ti原子组成的组中的原子；/n(3)曝光所述抗蚀剂膜的工序；/n(4)对经所述曝光的抗蚀剂膜进行显影而形成抗蚀剂图案的工序；及/n(5)将所述抗蚀剂图案作为掩模，对所述抗蚀剂下层膜进行加工来形成图案的工序，所述图案形成方法中，/n所述抗蚀剂下层膜的膜厚为2.5μm以上，所述抗蚀剂膜的膜厚为1μm以下。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170830 JP 2017-1659091.一种图案形成方法，其包括：
(1)在被处理基板上形成抗蚀剂下层膜的工序；
(2)利用含有(A)树脂的抗蚀剂组合物在所述抗蚀剂下层膜上形成抗蚀剂膜的工序，所述(A)树脂具有选自由Si原子及Ti原子组成的组中的原子；
(3)曝光所述抗蚀剂膜的工序；
(4)对经所述曝光的抗蚀剂膜进行显影而形成抗蚀剂图案的工序；及
(5)将所述抗蚀剂图案作为掩模，对所述抗蚀剂下层膜进行加工来形成图案的工序，所述图案形成方法中，
所述抗蚀剂下层膜的膜厚为2.5μm以上，所述抗蚀剂膜的膜厚为1μm以下。
2.根据权利要求1所述的图案形成方法，其中，
所述树脂(A)为具有Si原子的树脂。
3.根据权利要求2所述的图案形成方法，其中，
所述树脂(A)中的Si原子的含量以所述树脂(A)的总量为基准为1质量％～30质量％。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的图案形成方法，其中，
所述树脂(A)具有含有酸分解性基团的重复单元。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的图案形成方法，其中，
所述树脂(A)具有选自由内酯结构、磺内酯结构及碳酸酯结构组成的组中的至少1种。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的图案形成方法，其中，
所述工序(4)为通过显影液对经所述曝光的抗蚀剂膜进行显影来形成抗蚀剂图案的工序，所述显影液为碱显影液。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的图案形成方法，其中，
所述工序(3)中，通过KrF曝光、ArF曝光及ArF液浸曝光中的任意种对所述抗蚀剂膜进行曝光。
8.根据权利要求1～7中任一项所述的图案形成方法，其中，...
【专利技术属性】
技术研发人员：畠山直也，米久田康智，东耕平，西田阳一，藤田光宏，
申请(专利权)人：富士胶片株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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