一种大电流功率器件封装结构制造技术

本实用新型专利技术涉及一种大电流功率器件封装结构，包括两个对称设置的下引线框，所述下引线框内设有第一凹槽，第一凹槽内设有第一焊接层，两个第一焊接层上方设有芯片，芯片上方设有第二焊接层，所述第二焊接层上方设有上引线框，所述第二焊接层位于上引线框朝向芯片一侧的第二凹槽内，所述下引线框、下引线框、第一焊接层、芯片、第二焊接层和上引线框封装于环氧塑封料块内部，能够及时与外界进行热量交换，增加器件的散热性能。

A high current power device packaging structure

【技术实现步骤摘要】
一种大电流功率器件封装结构
本技术属于半导体器件封装
，涉及一种大电流功率器件封装结构。
技术介绍
现有半导体功率器件封装机构分为金属引线框、芯片、导电金属丝、环氧塑封料块，如图1所示。其中采用导电金属丝对工作电流有很大限制，金属丝粗细、长度都限制了器件的工作电流，采用传统封装结构，无法充分发挥器件的大电流工作能力。
技术实现思路
为解决上述技术问题，本技术提供一种大电流功率器件封装结构，减少了金属引线的使用，制造过程无需昂贵的焊线设备。本技术的方案：一种大电流功率器件封装结构，包括两个对称设置的下引线框，所述下引线框内设有第一凹槽，第一凹槽内设有第一焊接层，两个第一焊接层上方设有芯片，芯片上方设有第二焊接层，所述第二焊接层上方设有上引线框，所述第二焊接层位于上引线框朝向芯片一侧的第二凹槽内，所述下引线框、下引线框、第一焊接层、芯片、第二焊接层和上引线框封装于环氧塑封料块内部。优选地，所述第一凹槽远离芯片一侧边缘处设有第一阻胶框，所述第一阻胶框的高度高于第一焊接层的厚度。优选地，所述第二凹槽边缘上设有第二阻胶框。优选地，两个对称设置的下引线框中间的缝隙中间设有导热装置与芯片连通。进一步优选地，所述导热装置内部设有若干个散热通道。更进一步优选地，所述散热通道的通道管壁上设有若干个凹槽。进一步优选地，所述导热装置远离芯片的底面均外漏于所述环氧塑封料块。能够及时与外界进行热量交换，增加器件的散热性能。进一步优选地，所述导热装置材质为金刚石。本技术有益效果：1、结构简单，减少了金属引线的使用，制造过程无需昂贵的焊线设备。2、芯片电极直接焊接引线框，导通电阻小，适合大电流工作；热阻小，散热快，工作温度低。3、无金属引线，减少断丝、塌丝风险，可靠性高、寿命长。4、所述第一凹槽远离芯片一侧边缘处设有第一阻胶框，所述第一阻胶框的高度高于第一焊接层的厚度。所述第二凹槽边缘上设有第二阻胶框。可以使焊接材料不会溢出第一阻胶框外，提高封校效率和封装质量。第一阻胶框的高度高于第一焊接层的厚度，使得在封装过程中不会压坏芯片，同时也提高了产品的散热性能。5、导热装置内部设有若干个散热通道，可以使热量迅速从通道中排出，增大换热效率。能够及时与外界进行热量交换，增加器件的散热性能。附图说明图1
技术介绍
中现有封装结构；图2本技术封装结构主视图；图3本技术封装结构下引线框示意图；图4本技术封装结构下引线和芯片焊接示意图；图5本技术封装结构下引线、芯片和焊接上引线框示意图；图6本技术封装结构立体示意图；其中：下引线框1，第一凹槽101，第一阻胶框102，第一焊接层2，芯片3，第二焊接层4，上引线框5，第二凹槽501，第二阻胶框502，环氧塑封料块6，导热装置7，散热通道701。具体实施方式下面结合实施例来进一步说明本技术，但本技术要求保护的范围并不局限于实施例表述的范围。实施例1如图2-6，一种大电流功率器件封装结构，包括两个对称设置的下引线框1，所述下引线框1内设有第一凹槽101，第一凹槽101内设有第一焊接层2，两个第一焊接层2上方设有芯片3，芯片3上方设有第二焊接层4，所述第二焊接层4上方设有上引线框5，所述第二焊接层4位于上引线框5朝向芯片3一侧的第二凹槽501内，所述下引线框1、下引线框1、第一焊接层2、芯片3、第二焊接层4和上引线框5封装于环氧塑封料块6内部。芯片电极直接焊接引线框，导通电阻小，适合大电流工作；热阻小，散热快，工作温度低。无金属引线，减少断丝、塌丝风险，可靠性高、寿命长。优选地，所述第一凹槽101远离芯片3一侧边缘处设有第一阻胶框102，所述第一阻胶框102的高度高于第一焊接层2的厚度。可以使焊接材料不会溢出第一阻胶框102外，提高封校效率和封装质量。第一阻胶框102的高度高于第一焊接层2的厚度，使得在封装过程中不会压坏芯片，同时也提高了产品的散热性能优选地，所述第二凹槽501边缘上设有第二阻胶框502。可以使焊接材料不会溢出。优选地，两个对称设置的下引线框1中间的缝隙中间设有导热装置7与芯片3连通。进一步优选地，所述导热装置7内部设有若干个散热通道701。可以使热量迅速从通道中排出，增大换热效率。更进一步优选地，所述散热通道701的通道管壁上设有若干个凹槽。增大换热面积。进一步优选地，所述导热装置7远离芯片3的底面均外漏于所述环氧塑封料块6。能够及时与外界进行热量交换，增加器件的散热性能。进一步优选地，所述导热装置7材质为金刚石。金刚石的制作方法采用专利：CN201710109066.8一种金刚石基底及其制备方法制作。本封装结构的制备过程如图3-6所示：1、准备下引线框1；2、下引线框1的第一凹槽101内涂上第一焊接层2的连接焊料，粘和芯片3的一侧；3、上引线框5的第二凹槽501涂上第二焊接层4的连接焊料，粘和芯片3的另一侧；在两个对称设置的下引线框1中间的缝隙中间放置导热装置7与芯片3连通；覆盖形成导电层200；第一焊接层2、第二焊接层4的连接焊料采用Snpb、SnAg、SnAgCu和PbSnAg中含Sn焊接材料之一，焊接最高温度控制在100—400℃之间；4、环氧塑封后需切筋成型。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种大电流功率器件封装结构，包括两个对称设置的下引线框（1），其特征在于：所述下引线框（1）内设有第一凹槽（101），第一凹槽（101）内设有第一焊接层（2），两个第一焊接层（2）上方设有芯片（3），芯片（3）上方设有第二焊接层（4），所述第二焊接层（4）上方设有上引线框（5），所述第二焊接层（4）位于上引线框（5）朝向芯片（3）一侧的第二凹槽（501）内，所述下引线框（1）、下引线框（1）、第一焊接层（2）、芯片（3）、第二焊接层（4）和上引线框（5）封装于环氧塑封料块（6）内部。/n

【技术特征摘要】
1.一种大电流功率器件封装结构，包括两个对称设置的下引线框（1），其特征在于：所述下引线框（1）内设有第一凹槽（101），第一凹槽（101）内设有第一焊接层（2），两个第一焊接层（2）上方设有芯片（3），芯片（3）上方设有第二焊接层（4），所述第二焊接层（4）上方设有上引线框（5），所述第二焊接层（4）位于上引线框（5）朝向芯片（3）一侧的第二凹槽（501）内，所述下引线框（1）、下引线框（1）、第一焊接层（2）、芯片（3）、第二焊接层（4）和上引线框（5）封装于环氧塑封料块（6）内部。


2.根据权利要求1所述的一种大电流功率器件封装结构，其特征在于：所述第一凹槽（101）远离芯片（3）一侧边缘处设有第一阻胶框（102），所述第一阻胶框（102）的高度高于第一焊接层（2）的厚度。


3.根据权利要求1所述的一种大电流功率器件封装结构，...

【专利技术属性】
技术研发人员：李国琪，
申请(专利权)人：湖北方晶电子科技有限责任公司，
类型：新型
国别省市：湖北;42