【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】包含控制栅极之间的空隙的存储器装置优先权申请案本申请案主张2017年8月11日申请的序列号为15/675,130的美国申请案的优先权益，所述美国申请案的全文以引用的方式并入本文中。
技术介绍
存储器装置在计算机及许多其它电子物品中广泛地用于存储信息。存储器装置通常具有大量存储器单元。一些常规存储器装置(例如三维(3D)快闪存储器装置)具有按阶层布置的存储器单元，其中所述阶层在半导体衬底上竖直地堆叠。存储容量及性能为此类存储器装置的关键特征。然而，许多常规存储器单元及阶层的结构使得难以进行与装置存储容量及性能相关联的改进。如下文更详细地所描述，本文中所呈现的存储器装置包含使得所述存储器装置具有优于一些常规存储器装置的改进的结构。附图说明图1展示根据本文中所描述的一些实施例的呈存储器装置形式的设备的框图。图2A展示根据本文中所描述的一些实施例的存储器装置的部分的框图。图2B展示根据本文中所描述的一些实施例的图2A的存储器装置的部分的示意图。图2C展示根据本文中所描述的一些实施例的图2A及图2B的...
【技术保护点】
1.一种设备，其包括：/n沟道，其用以传导电流，所述沟道包含第一沟道部分及第二沟道部分；/n第一存储器单元结构，其位于第一栅极与所述第一沟道部分之间；/n第二存储器单元结构，其位于第二栅极与所述第二沟道部分之间；及/n空隙，其位于所述第一栅极与所述第二栅极之间及所述第一存储器单元结构与所述第二存储器单元结构之间。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170811 US 15/675,1301.一种设备，其包括：
沟道，其用以传导电流，所述沟道包含第一沟道部分及第二沟道部分；
第一存储器单元结构，其位于第一栅极与所述第一沟道部分之间；
第二存储器单元结构，其位于第二栅极与所述第二沟道部分之间；及
空隙，其位于所述第一栅极与所述第二栅极之间及所述第一存储器单元结构与所述第二存储器单元结构之间。
2.根据权利要求1所述的设备，其中所述沟道包含在所述第一沟道部分与所述第二沟道部分之间的第三沟道部分，且所述空隙通过介电区与所述第三沟道部分分隔开。
3.根据权利要求2所述的设备，其中所述介电区包含暴露于所述空隙的介电氮化物。
4.根据权利要求2所述的设备，其中所述介电区包含暴露于所述空隙的介电氧化物。
5.根据权利要求1所述的设备，其中所述沟道包含在所述第一沟道部分与所述第二沟道部分之间的第三沟道部分，且所述空隙通过介电区与所述第三沟道部分分隔开，所述介电区包含第一介电材料及第二介电材料，且所述第一介电材料在所述第二介电材料与所述空隙之间。
6.根据权利要求1所述的设备，其中所述沟道包含在所述第一沟道部分与所述第二沟道部分之间的第三沟道部分，且所述第三沟道部分暴露于所述空隙。
7.根据权利要求6所述的设备，其中所述第三沟道部分包含掺杂剂的量与所述第一沟道部分及所述第二沟道部分中的每一者中的掺杂剂的量不同的区。
8.根据权利要求1所述的设备，其中：
所述第一存储器单元结构包含用以存储信息的第一存储器元件，及位于所述第一存储器元件与所述第一栅极之间的第一介电屏障；且
所述第二存储器单元结构包含用以存储信息的第二存储器元件，及位于所述第二存储器元件与所述第二栅极之间的第二介电屏障，其中所述第一介电屏障及所述第二介电屏障中的每一者包含氧化铝。
9.根据权利要求1所述的设备，其中：
所述第一存储器单元结构包含用以存储信息的第一存储器元件，及位于所述第一存储器元件与所述第一栅极之间的第一介电屏障；且
所述第二存储器单元结构包含用以存储信息的第二存储器元件，及位于所述第二存储器元件与所述第二栅极之间的第二介电屏障，其中所述第一介电屏障及所述第二介电屏障中的每一者包含具有比氧化铝的介电常数大的介电常数的介电材料。
10.根据权利要求1所述的设备，其中：
所述第一存储器单元结构包含用以存储信息的第一存储器元件；且
所述第二存储器单元结构包含用以存储信息的第二存储器元件，其中所述第一存储器元件及所述第二存储器元件中的每一者为介电材料。
11.根据权利要求1所述的设备，其中：
所述第一存储器单元结构包含用以存储信息的第一存储器元件；且
所述第二存储器单元结构包含用以存储信息的第二存储器元件，其中所述第一存储器元件及所述第二存储器元件中的每一者为多晶硅。
12.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一栅极及所述第二栅极中的每一者为金属栅极。
13.根据权利要求1所述的设备，其中：
所述第一栅极包含接触所述第一存储器单元结构的第一介电屏障的第一导电材料，及接触所述第一导电材料的第一金属；且
所述第二栅极包含接触所述第二存储器单元结构的第二介电屏障的第二导电材料，及接触所述第二导电材料的第二金属。
14.根据权利要求1所述的设备，其进一步包括位于所述第一栅极与所述第二栅极之间的密封电介质，且所述空隙以所述密封电介质、所述第一栅极及所述第二栅极以及所述沟道的第三部分为界。
15.根据权利要求1所述的设备，其中所述空隙为气体填充空隙。
16.一种设备，其包括：
沟道，其用以传导电流；
存储器元件，其用以存储信息；
隧道区，其位于所述存储器元件与所述沟道的沟道部分之间；
介电阻隔区，其经定位使得所述存储器元件在所述隧道区与所述介电阻隔区之间；及
介电屏障，其位于所述介电阻隔区与栅极之间，其中所述介电屏障具有在垂直于从所述沟道部分至所述栅极的方向的方向上延伸的长度，所述栅极具有在垂直于从所述沟道部分至所述栅极的所述方向的所述方向上延伸的厚度，且所述介电屏障的所述长度小于所述栅极的所述厚度。
17.根据权利要求16所述的设备，其中所述介电屏障包含氧化铝。
18.根据权利要求16所述的设备，其中所述介电屏障包含具有比氧化铝的介电常数大的介电常数的介电材料。
19.根据权利要求16所述的设备，其进一步包括空隙，其中所述存储器元件暴露于所述空隙。
20.根据权利要求16所述的设备，其进一步包括空隙，其中所述隧道区暴露于所述空隙。
21.根据权利要求16所述的设备，其进一步包括空隙，其中所述沟道包含额外沟道部分，且所述额外沟道部分暴露于所述空隙。
22.根据权利要求16所述的设备，其中所述存储器元件为介电材料。
23.根据权利要求16所述的设备，其中所述存储器元件为多晶硅。
24.根据权利要求16所述的设备，其进一步包括在所述存储器元件与所述介电阻隔区之间的金属材料。
25.一种设备，其包括：
沟道，其用以传导电流，所述沟道包含第一沟道部分及第二沟道部分；
第一存储器单元结构，其位于第一栅极与所述第一沟道部分之间，所述第一存储器单元结构包含：第一存储器元件；第一隧道区，其位于所述第一存储器元件与所述第一沟道部分之间；第一介电屏障，其位于所述第一栅极与所述第一存储器元件之间，所述第一介电屏障包含包围第一介电阻隔区的第一介电材料；及
第二存储器单元结构，其位于第二栅极与所述第二沟道部分之间，所述第二存储器单元结构包含：第二存储器元件；第二隧道区，其位于所述第二存储器元件与所述第二沟道部分之间；第二介电屏障，其位于所述第二栅极与所述第二存储器元件之间，所述第二介电屏障包含包围第二介电阻隔区的第二介电材料。
26.根据权利要求25所述的设备，其进一步包括位于所述第一栅极与所述第二栅极之间及所述第一存储器单元结构与所述第二存储器单元结构之间的空隙。
27.根据权利要求25所述的设备，其进一步包括在所述第一栅极与所述第二栅极之间及所述第一存储器单元结构与所述第二存储器单元结构之间的介电材料。
28.根据权利要求27所述的设备，其中所述介电材料包含氮化硅。
29.根据权利要求27所述的设备，其中所述介电材料包含氧化硅。
30.根据权利要求25所述的设备，其中所述第一介电材料及所述第二介电材料中的每一者具有至少等于氧化铝的介电常数的介电常数。
31.一种设备，其包括：
柱，其包含具有在垂直于衬底的方向上延伸的长度的沟道，所述沟道包含第一沟道部分及第二沟道部分；
第一存储器单元结构，其位于第一栅极与所述第一沟道部分之间，所述第一存储器单元结构包含接触所述第一栅极的第一介电屏障，所述第一介电屏障具有在垂直于所述衬底的所述方向上延伸的长度，所述第一栅极具有在垂直于衬底的所述方向上延伸的厚度，其中所述第一介电屏障的所述长度至多等于所述第一栅极的所述厚度；及
第二存储器单元结构，其位于第二栅极与所述第二沟道部分之间，所述第二存储器单元结构包含接触所述第二栅极的第二介电屏障，所述第二介电屏障具有在垂直于所述衬底的所述方向上延伸的长度，所述第二栅极具有在垂直于所述衬底的所述方向上延伸的厚度，其中所述第二介电屏障的所述长度至多等于所述第二栅极的所述厚度。
32.根据权利要求31所述的设备，其进一步包括位于所述第一存储器单元结构与所述第二存储器单元结构之间的空隙。
33.根据权利要求31所述的设备，其进一步包括位于所述第一栅极与所述第二栅极之间及所述第一存储器单元结构与所述第二存储器单元结构之间的空隙。
34.根据权利要求31所述的设备，其进一步包括位于所述第一栅极与所述第二栅极之间及所述第一存储器单元结构与...
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