一种新型的半导体器件的终端结构制造技术

本实用新型专利技术提供一种新型的半导体器件的终端结构，包括n‑衬底、P型扩散层、p+型表面扩散层、n+型表面扩散层、p+层、栅极氧化层、源极电极、栅极电极、漏极电极和窄宽沟道；所述栅极氧化层横跨在P型扩散层和窄宽沟道之间，上表面引出栅极电极；所述窄宽沟道用二氧化硅进行填充，并设置多列，相邻的窄宽沟道间由n‑衬底表面上形成的p+层进行连接；所述位于n‑衬底上表面另一侧的n+型表面扩散层表面引出漏极电极。本实用新型专利技术通过设置p+层(表面导电层)，用窄宽沟道型的终端结构来有效地减少芯片的终端面积，使最大电场强度降低，提高耐压。

A new terminal structure of semiconductor devices

【技术实现步骤摘要】
一种新型的半导体器件的终端结构
本技术涉及一种终端结构，特别提供一种新型的半导体器件的终端结构。
技术介绍
传统的功率器件的终端都是通过厚场板（field-plate）来实现。为了达到器件设计电压的要求，特别是对于高压器件，这种结构往往会使终端结构的面积占据芯片总面积的较大部分的比例。
技术实现思路
为了解决上述问题，本技术的目的是提供一种能使最大电场强度降低，提高耐压，缩减芯片终端面积的半导体器件的终端结构。为达到上述目的，本技术的技术方案如下：一种新型的半导体器件的终端结构，包括n-衬底（11）、P型扩散层（12）、p+型表面扩散层（13）、n+型表面扩散层（14、15）、p+层（16）、栅极氧化层（20）、源极电极（21）、栅极电极（22）、漏极电极（23）和窄宽沟道（25）；所述P型扩散层（12）位于n-衬底（11）上表面一侧的凹槽内，P型扩散层（12）上表面左右分别为p+型表面扩散层（13）和n+型表面扩散层（14），二者上表面引出源极电极（21）；所述栅极氧化层（20）横跨在P型扩散层（12）和窄宽沟道（25本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种新型的半导体器件的终端结构，其特征在于：包括n-衬底（11）、P型扩散层（12）、p+型表面扩散层（13）、n+型表面扩散层（14、15）、p+层（16）、栅极氧化层（20）、源极电极（21）、栅极电极（22）、漏极电极（23）和窄宽沟道（25）；所述P型扩散层（12）位于n-衬底（11）上表面一侧的凹槽内，P型扩散层（12）上表面左右分别为p+型表面扩散层（13）和n+型表面扩散层（14），二者上表面引出源极电极（21）；所述栅极氧化层（20）横跨在P型扩散层（12）和窄宽沟道（25）之间，上表面引出栅极电极（22）；所述窄宽沟道（25）用二氧化硅进行填充，并设置多列，相邻的窄宽沟道...

【技术特征摘要】
1.一种新型的半导体器件的终端结构，其特征在于：包括n-衬底（11）、P型扩散层（12）、p+型表面扩散层（13）、n+型表面扩散层（14、15）、p+层（16）、栅极氧化层（20）、源极电极（21）、栅极电极（22）、漏极电极（23）和窄宽沟道（25）；所述P型扩散层（12）位于n-衬底（11）上表面一侧的凹槽内，P型扩散层（12）上表面左右分别为p+型表面扩散层（13）...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈译，陈利，陈彬，陈剑，
申请(专利权)人：厦门芯一代集成电路有限公司，
类型：新型
国别省市：福建;35