一种具有复用可编程修调端口的栅极驱动芯片制造技术

本实用新型专利技术包括低边电路和高边电路；所述低边电路包括输入接口部分

【技术实现步骤摘要】
一种具有复用可编程修调端口的栅极驱动芯片


[0001]本技术涉及集成电路领域，特别提供一种具有复用可编程修调端口的栅极驱动芯片
。

技术介绍

[0002]在集成电路产品制造领域中，由于工艺制程的偏差，芯片参数的设计值和实际成品的测试值往往存在偏差，特别是某些精度要求很高的关键参数，因此需要根据该芯片的测试值进行修调，以便使关键参数能达到预计的设计要求，提高产品的良率
。
[0003]较为常用的修调方法是芯片生产过程中的晶圆中测环节，根据该阶段的测试结果，对不符合要求的参数通过激光烧断或电压熔断的方式进行修调至要求值再进入芯片封装环节
。
该方式减慢了产品的交期，另外对于需要灵活配置芯片参数的终端应用场合，这种方式明并不能及时满足客户的需求
。

技术实现思路

[0004]为了解决上述问题，本技术的目的是提供一种提高栅极驱动芯片的参数精度和产品良率的具有复用可编程修调端口的栅极驱动芯片
。
[0005]为达到上述目的，本技术的技术方案如下：一种具有复用可编程修调端口的栅极驱动芯片，包括低边电路和高边电路；所示高边电路包括自举二极管
、
高边电路监测与保护部分和输出接口部分Ⅰ；所述自举二极管连接电压
VB
；所述高边电路监测与保护部分包括电平移位电路和低压锁定；所述输出接口部分Ⅰ由输出逻辑
、PMOS
驱动管
P1、NMOS
驱动管
N1、
输出电阻
XR1、<br/>输出电阻
XR2
和输出端口
HO
组成；所述低压锁定一端接电压
VB
，一端接所述输出逻辑；所述电平移位电路连接所述输出逻辑；所述输出逻辑连接所述
PMOS
驱动管
P1
的栅极和所述
NMOS
驱动管
N1
的栅极；所述
PMOS
驱动管
P1
的漏极接输出电阻
XR1
后连接输出端口
HO
，源极接电压
VB
；所述
NMOS
驱动管
N1
的漏极接输出电阻
XR2
后连接输出端口
HO
，源极接电压
VS
；所述低边电路包括输入接口部分
、
低边电路监测与保护部分和输出接口部分Ⅱ；所述输入接口部分由高边信号输入端口
HIN
和低边信号的输入端口
LIN
连接对应的滤波电路组成；所述低边电路监测与保护部分由温度传感电路依次连接端口复用电路和死区时间控制修调电路后分别连接脉冲产生电路
、
低压锁定和延迟电路组成；所述滤波连接所述死区时间控制修调电路，所述低压锁定连接电压
VCC
；所述脉冲产生电路连接所述电平移位电路，所述自举二极管连接电压
VCC
；所述输出接口部分Ⅱ由输出逻辑
、PMOS
驱动管
P2、NMOS
驱动管
N2、
输出电阻
XR3、
输出电阻
XR4
和输出端口
LO
组成；所述输出逻辑一端连接所述延迟电路，一端连接所述
PMOS
驱动管
P2
的栅极和所述
NMOS
驱动管
N2
的栅极，所述
PMOS
驱动管
P2
的漏极接输出电阻
XR3
后连接输出端口
LO
，源极接电压
VCC
；所述
NMOS
驱动管
N2
的漏极接输出电阻
XR4
后连接输出端口
LO
，源极接电压
VSS。
[0006]进一步，所述端口复用电路包括死区时间控制电路
、
锁存模块
、
修调阵列模块
、
修调寻址模块
、
烧断控制模块和复用端口保护电路；所述死区时间控制电路作为可编程修调
的目标电路；所述修调阵列模块连接所述死区时间控制电路，是对所述死区时间控制电路需要修调的参数所设计的可烧断电阻阵列；所述锁存模块一端连接温度传感输出端口
VTS
，一端连接温度传感，根据温度传感输出端口
VTS
给出特定修调信号，将温度传感的输出锁存为低电平；所述复用端口保护电路连接温度传感和温度传感输出端口
VTS
，所述温度传感输出端口
VTS
复用为可编程修调端口；所述修调寻址模块一端连接温度传感输出端口
VTS
，一端连接所述修调阵列模块，根据温度传感输出端口
VTS
输入的寻址信号，定位所述修调阵列模块中需要烧断的电阻；所述烧断控制模块分别连接所述温度传感输出端口
VTS、
所述修调寻址模块和所述修调阵列模块，根据所述修调寻址模块所确定的需要烧断的电阻，结合温度传感输出端口
VTS
输入的烧断信号，对所述修调阵列模块中的可烧断电阻进行烧断
。
[0007]进一步，所述复用端口保护电路由电压
VCC、
二极管
D0、
电阻
R0、P
型场效应管
MP0、MP1、MP2、MP3、MP4、MP5、MP6
和
N
型场效应管
MN0、MN1、MN2、MN3
组成；所述
P
型场效应管
MP0
和所述
N
型场效应管
MN0
接成反向器的结构，所述
P
型场效应管
MP0
的源极接所述电压
VCC
，栅极与所述
N
型场效应管
MN0
的栅极连接温度传感电路的输出端，漏极与所述
N
型场效应管
MN0
的漏极连接，所述
N
型场效应管
MN0
的源极与接地信号相连；所述
P
型场效应管
MP1
的栅极接所述电压
VCC
，源极与所述
P
型场效应管
MP5
的栅极
、P
型场效应管
MP4
的漏极
、N
型场效应管
MN2
的漏极相连，衬底与所述二极管
D0
的负极连接，漏极接所述
P
型场效应管
MP6
的漏极；所述
P
型场效应管
MP2
的栅极接所述电压
VCC
，源极与所述
P
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种具有复用可编程修调端口的栅极驱动芯片，其特征在于：包括低边电路和高边电路；所示高边电路包括自举二极管
、
高边电路监测与保护部分和输出接口部分Ⅰ；所述自举二极管连接电压
VB
；所述高边电路监测与保护部分包括电平移位电路和低压锁定；所述输出接口部分Ⅰ由输出逻辑
、PMOS
驱动管
P1、NMOS
驱动管
N1、
输出电阻
XR1、
输出电阻
XR2
和输出端口
HO
组成；所述低压锁定一端接电压
VB
，一端接所述输出逻辑；所述电平移位电路连接所述输出逻辑；所述输出逻辑连接所述
PMOS
驱动管
P1
的栅极和所述
NMOS
驱动管
N1
的栅极；所述
PMOS
驱动管
P1
的漏极接输出电阻
XR1
后连接输出端口
HO
，源极接电压
VB
；所述
NMOS
驱动管
N1
的漏极接输出电阻
XR2
后连接输出端口
HO
，源极接电压
VS
；所述低边电路包括输入接口部分
、
低边电路监测与保护部分和输出接口部分Ⅱ；所述输入接口部分由高边信号输入端口
HIN
和低边信号的输入端口
LIN
连接对应的滤波电路组成；所述低边电路监测与保护部分由温度传感电路依次连接端口复用电路和死区时间控制修调电路后分别连接脉冲产生电路
、
低压锁定和延迟电路组成；所述滤波连接所述死区时间控制修调电路，所述低压锁定连接电压
VCC
；所述脉冲产生电路连接所述电平移位电路，所述自举二极管连接电压
VCC
；所述输出接口部分Ⅱ由输出逻辑
、PMOS
驱动管
P2、NMOS
驱动管
N2、
输出电阻
XR3、
输出电阻
XR4
和输出端口
LO
组成；所述输出逻辑一端连接所述延迟电路，一端连接所述
PMOS
驱动管
P2
的栅极和所述
NMOS
驱动管
N2
的栅极，所述
PMOS
驱动管
P2
的漏极接输出电阻
XR3
后连接输出端口
LO
，源极接电压
VCC
；所述
NMOS
驱动管
N2
的漏极接输出电阻
XR4
后连接输出端口
LO
，源极接电压
VSS。2.
根据权利要求1所述的一种具有复用可编程修调端口的栅极驱动芯片，其特征在于：所述端口复用电路包括死区时间控制电路
、
锁存模块
、
修调阵列模块
、
修调寻址模块
、
烧断控制模块和复用端口保护电路；所述死区时间控制电路作为可编程修调的目标电路；所述修调阵列模块连接所述死区时间控制电路，是对所述死区时间控制电路需要修调的参数所设计的可烧断电阻阵列；所述锁存模块一端连接温度传感输出端口
VTS
，一端连接温度传感，根据温度传感输出端口
VTS
给出特定修调信号，将温度传感的输出锁存为低电平；所述复用端口保护电路连接温度传感和温度传感输出端口
VTS
，所述温度传感输出端口
VTS
复用为可编程修调端口；所述修调寻址模块一端连接温度传感输出端口
VTS
，一端连接所述修调阵列模块，根据温度传感输出端口
VTS
输入的寻址信号，定位所述修调阵列模块中需要烧断的电阻；所述烧断控制模块分别连接所述温度传感输出端口
VTS、
所述修调寻址模块和所述修调阵列模块，根据所述修调寻址模块所确定的需要烧断的电阻，结合温度传感输出端口
VTS
输入的烧断信号，对所述修调阵列模块中的可烧断电阻进行烧断
。3.
...

【专利技术属性】
技术研发人员：姜帆，陈利，陈彬，
申请(专利权)人：厦门芯一代集成电路有限公司，
类型：新型
国别省市：