【技术实现步骤摘要】
一种内置正温度系数温度传感电路的栅极驱动芯片
[0001]本技术涉及一种栅极驱动芯片，特别提供一种内置正温度系数温度传感电路的栅极驱动芯片
。
技术介绍
[0002]栅极驱动芯片用于接受
CPU
或者
MCU
等外部数字芯片控制信号，提供控制驱动功率器件所需的栅极信号，得到了广泛的应用
。
栅极驱动芯片作为功率器件的开关引起会功率损耗和导通损耗，将导致芯片发热；另外，栅极驱动芯片和功率器件的运行环境可能包含极高的热量，有可能引起栅极驱动芯片或功率器件的结温超过最大值而导致损坏
。
通常，应用中会单独使用热敏电阻或热敏二极管监测系统温度，当系统温度达到设定的限值时降低功率，温度超过最大阈值时完全关闭功率器件，以保证系统的安全
。
[0003]传统的栅极驱动方案中，采用热敏电阻或热敏二极管监测系统温度，需要单独配置器件来处理温度传感信号，无形中会提高硬件成本
。
另外，温度测量精度是关键因素，在不必要情况下，降低功率是不可取的
。
如果精度很差，则该功率器件可能仍会承受过多热量并随着时间的推移而退化
。
技术实现思路
[0004]为了解决上述问题，本技术的目的是提供一种将正温度系数温度传感电路和栅极驱动电路进行单片集成的内置正温度系数温度传感电路的栅极驱动芯片
。
[0005]为达到上述目的，本技术的技术方案如下：一种内置正温度系数温度传感电路的栅极驱动芯片，包括
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.
一种内置正温度系数温度传感电路的栅极驱动芯片，其特征在于：包括低边电路和高边电路；所述低边电路由高边信号输入端口
HIN、
低边信号的输入端口
LIN、
对应的滤波电路
、
正温度系数传感电路
、
死区时间控制电路
、
脉冲产生电路
、
低压锁定
、
延迟电路
、
输出逻辑
、PMOS
驱动管
P2、NMOS
驱动管
N2、
输出电阻
XR3、XR4
，输出端口
LO
组成；所述高边电路由自举二极管
、
电平移位电路
、
低压锁定
、
输出逻辑
、PMOS
驱动管
P1、NMOS
驱动管
N1、
输出电阻
XR1、XR2
和输出端口
HO
组成；所述高边信号输入端口
HIN
和低边信号的输入端口
LIN
连接对应的滤波电路后连接所述死区时间控制电路；所述死区时间控制电路分别连接所述脉冲产生电路
、
低边电路中的低压锁定和延迟电路；所述低边电路中的低压锁定连接电压
VCC
；所述脉冲产生电路连接所述电平移位电路；所述延迟电路连接所述低边电路中的输出逻辑后连接所述
PMOS
驱动管
P2
的栅极和所述
NMOS
驱动管
N2
的栅极，所述
PMOS
驱动管
P2
的漏极接所述输出电阻
XR3
后连接输出端口
LO
，源极接电压
VCC
；所述
NMOS
驱动管
N2
的漏极接所述输出电阻
XR4
后连接输出端口
LO
，源极接电压
VSS
；所述自举二极管一端连接电压
VCC
，另一端连接电压
VB
；所述高边电路中的低压锁定一端接电压
VB
，另一端接高边电路中的输出逻辑；所述电平移位电路连接高边电路中的输出逻辑后连接所述
PMOS
驱动管
P1
的栅极和所述
NMOS
驱动管
N1
的栅极，所述
PMOS
驱动管
P1
的漏极接所述输出电阻
XR1
后连接输出端口
HO
，源极接电压
VB
；所述
NMOS
驱动管
N1
的漏极接所述输出电阻
XR2
后连接输出端口
HO
，源极接电压
VS。2.
根据权利要求1所述的一种内置正温度系数温度传感电路的栅极驱动芯片，其特征在于：所述正温度系数传感电路包括启动电路
、
正温度系数电压产生电路和电压...
【专利技术属性】
技术研发人员：姜帆，陈利，陈彬，
申请(专利权)人：厦门芯一代集成电路有限公司，
类型：新型
国别省市：
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