【技术实现步骤摘要】
一种电平位移电路
[0001]本专利技术属于微电子
，具体涉及一种电平位移电路
。
技术介绍
[0002]开关电源芯片由于其高功率密度
、
高效率
、
高可靠性和低成本等特点受到业界广泛的使用，为了进一步降低成本和芯片体积，开关电源芯片不断向着更高的开关频率趋势发展
。
[0003]电平位移电路是开关电源芯片中连接不同电压域的关键电路，其将信号从低电压域向高电压域转换会产生额外的延时
。
此外，开关电源芯片在较高的开关频率下工作时，开关节点
VSW
的变化率可高达几十
V/ns
，如此高的
dVSW/dt
噪声会通过外部自举电容耦合到高侧浮动电源轨，从而极易导致电平位移电路输出错误的逻辑信号
。
[0004]因此，电平位移电路的传输速度和可靠性是开关电源芯片实现高频化的主要挑战之一
。
技术实现思路
[0005]为了解决现有技术中存在的上述问题，本专利技术提供了一种电平位移电路
。
本专利技术要解决的技术问题通过以下技术方案实现：
[0006]第一方面，本专利技术提供一种电平位移电路，包括：
[0007]脉冲产生电路，用于产生第一脉冲信号和第二脉冲信号；
[0008]电平位移电路，与脉冲产生电路电连接，包括多个晶体管，响应于第一脉冲信号和第二脉冲信号，获取输出信号
。
[0009]本专利技术的有益效
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.
一种电平位移电路，其特征在于，包括：脉冲产生电路，用于产生第一脉冲信号和第二脉冲信号；电平位移电路，与所述脉冲产生电路电连接，包括多个晶体管，响应于所述第一脉冲信号和所述第二脉冲信号，获取输出信号
。2.
根据权利要求1所述的电平位移电路，其特征在于，所述脉冲产生电路包括脉冲产生电路输入端
、
第一支路和第二支路；所述第一支路包括第一与非门
、
第一支路晶体管一
、
第一支路晶体管二
、
第一电容
、
第一支路或非门和脉冲产生电路第一输出端；所述脉冲产生电路输入端与所述第一与非门的输入端电连接，所述第一与非门的输出端与第一节点电连接；所述第一支路晶体管一的第一端与第一节点电连接，所述第一支路晶体管一的第二端电连接第一固定电压信号端，所述第一支路晶体管一的第三端与第二节点电连接；所述第一支路晶体管二的第一端与第一节点电连接，所述第一支路晶体管二的第二端电连接地端，所述第一支路晶体管二的第三端与第二节点电连接；所述第一电容的第一端与第二节点电连接，所述第一电容的第二端电连接地端；所述第一支路或非门的输入端与第一节点电连接，所述第一支路或非门的输入端还与第二节点电连接，所述第一支路或非门的输出端与所述脉冲产生电路第一输出端电连接，用于生成所述第一脉冲信号；所述第一支路包括第二支路晶体管一
、
第二支路晶体管二
、
第二电容
、
第二支路或非门和脉冲产生电路第二输出端；所述脉冲产生电路输入端与第三节点电连接，所述第二支路晶体管一的第一端与第三节点电连接，所述第二支路晶体管一的第二端电连接第一固定电压信号端，所述第二支路晶体管一的第三端与第四节点电连接；所述第二支路晶体管二的第一端与第三节点电连接，所述第二支路晶体管二的第二端电连接地端，所述第二支路晶体管二的第三端与第四节点电连接；所述第二电容的第一端与第四节点电连接，所述第二电容的第二端电连接地端；所述第二支路或非门的输入端与第三节点电连接，所述第二支路或非门的输入端还与第四节点电连接，所述第二支路或非门的输出端与所述脉冲产生电路第二输出端电连接，用于生成所述第二脉冲信号
。3.
根据权利要求1所述的电平位移电路，其特征在于，所述电平位移电路包括第一晶体管
、
第二晶体管
、
第三晶体管
、
第四晶体管
、
第五晶体管
、
第六晶体管
、
第七晶体管
、
第八晶体管
、
第九晶体管
、
第十晶体管
、
第十一晶体管
、
第十二晶体管
、
第十三晶体管
、
第十四晶体管和输出端；其中，所述第一晶体管的第一端与所述脉冲产生电路第二输出端电连接，所述第一晶体管的第二端电连接第二固定电压信号端，所述第一晶体管的第三端与第五节点电连接；所述第五晶体管的第一端电连接第一固定电压信号端，所述第五晶体管的第二端与第五节点电连接，所述第五晶体管的第二端与第六节点电连接；所述第三晶体管的第...
【专利技术属性】
技术研发人员：励勇远，唐庆峰，韦昌霖，过伟，朱光前，钱利波，朱樟明，
申请(专利权)人：西安电子科技大学杭州研究院，
类型：发明
国别省市：
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