驱动输出电路和电子设备制造技术

本申请涉及电子设备技术领域，公开一种驱动输出电路，包括：电源模块；配置模块，配置模块的输入端与电源模块连接，被配置为待控晶体管提供可调的驱动电压和驱动电流；控制模块，控制模块的输入端与配置模块的输出端连接，控制模块的输出端与待控晶体管的栅极连接，被配置为控制待控晶体管的导通和截止

【技术实现步骤摘要】
驱动输出电路和电子设备


[0001]本申请涉及电子设备
，例如涉及一种驱动输出电路和电子设备
。

技术介绍

[0002]目前，对于
MOS
晶体管
(Metal
‑
Oxide
‑
Semiconductor Field
‑
Effect Transistor
，金属
‑
氧化物半导体场效应晶体管
)
而言，为降低导通电阻
、
提升耐压能力，其
MOS
晶体管栅极面积通常较大，导致等效输入电容较大
。
为实现功率
MOS
晶体管的快速导通及截止，通常需要为功率
MOS
晶体管配置具有大电流输出能力的专用驱动电路
。
[0003]针对不同参数型号的功率
MOS
晶体管，其驱动电路的电压幅值
、
驱动电流等参数对于功率器件的导通电阻
、
自身损耗
、
输出电压超调等性能有较大影响
。
现有的驱动电路，通常只能满足一种参数型号的功率
MOS
晶体管，不能满足不同参数型号的功率
MOS
晶体管
。
[0004]需要说明的是，在上述
技术介绍
部分公开的信息仅用于加强对本申请的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息
。

技术实现思路

>[0005]为了对披露的实施例的一些方面有基本的理解，下面给出了简单的概括
。
所述概括不是泛泛评述，也不是要确定关键
/
重要组成元素或描绘这些实施例的保护范围，而是作为后面的详细说明的序言
。
[0006]本公开实施例提供了一种驱动输出电路和电子设备，可以满足不同参数型号的功率
MOS
晶体管的驱动需求
。
[0007]在一些实施例中，驱动输出电路包括：电源模块；配置模块，配置模块的输入端与电源模块连接，被配置为待控晶体管提供可调的驱动电压和驱动电流；控制模块，控制模块的输入端与配置模块的输出端连接，控制模块的输出端与待控晶体管的栅极连接，被配置为控制待控晶体管的导通和截止
。
[0008]可选地，控制模块的输入端包括第一输入端和第二输入端；配置模块包括：电压配置模块，电压配置模块的输入端与电源模块连接，电压配置模块的输出端与控制模块的第一输入端连接，被配置为待控晶体管提供可调的驱动电压；电流配置模块，电流配置模块的输入端与电源模块连接，电流模块的输出端与控制模块的第二输入端连接，被配置为待控晶体管提供可调的驱动电流
。
[0009]可选地，电源模块包括第一电源和第二电源；电压配置模块包括：第一放大器，第一放大器的正向输入端与第一电源连接；
N
条电压配置支路，任一条电压配置支路的第一端与第一放大器的负向输入端连接，任一条电压配置支路的第二端与地线连接；其中，
N
大于或者等于1；第一晶体管，第一晶体管的栅极与第一放大器的输出端连接，第一晶体管的漏极与第二电源连接，第一晶体管的源极与控制模块的第一输入端连接；第一保护电阻，第一保护电阻的第一端与第一放大器的负向输入端连接，第一保护电阻的第二端与第一晶体管的源极连接
。
[0010]可选地，电压配置支路包括：第一开关，第一开关的第一端与第一放大器的负向输入端连接；第一电阻，第一电阻的第一端与第一开关的第二端连接，第一电阻的第二端与地线连接
。
[0011]可选地，电压配置支路包括：第一开关，第一开关的第一端与第一放大器的负向输入端连接；第一电阻，第一电阻的第一端与第一开关的第二端连接，第一电阻的第二端与地线连接
。
[0012]可选地，电源模块包括第一电源；电流配置模块包括：第二放大器，第二放大器的正向输入端与第一电源连接；
M
条电流配置支路，任一条电流配置支路的第一端与第二放大器的负向输入端连接，任一条电流配置支路的第二端与地线连接；其中，
M
大于或者等于1；第二晶体管，第二晶体管的栅极与第二放大器的输出端连接，第二晶体管的漏极与控制模块的第二输入端连接；第二保护电阻，第二保护电阻的第一端与第二放大器的负向输入端连接，第二保护电阻的第二端与第二晶体管的源极连接
。
[0013]可选地，电流配置支路包括：第二开关，第二开关的第一端与第二放大器的负向输入端连接；第二电阻，第二电阻的第一端与第二开关的第二端连接，第二电阻的第二端与地线连接
。
[0014]可选地，控制模块包括：电流镜模块，电流镜模块的第一输入端与电压配置模块的输出端连接，电流镜模块的第二输入端与电流配置模块的输出端连接；驱动模块，驱动模块的第一输入端与电流镜模块的第一输出端连接，驱动模块的第二输入端与电流镜模块的第二输出端连接，驱动模块的输出端与待控晶体管的栅极连接
。
[0015]可选地，电流镜模块包括：第三晶体管，源极与电压配置模块的输出端连接，漏极与电流配置模块的输出端连接；第四晶体管，源极与电压配置模块的输出端连接，栅极与第三晶体管的栅极和漏级连接；第五晶体管，源极与电压配置模块的输出端连接，栅极与第三晶体管的栅极和漏级连接，漏级与驱动模块的第一输入端连接；第六晶体管，源极与第四晶体管的漏级连接，漏级与地线连接；第七晶体管，源极与驱动模块的第二输入端连接，栅极与第六晶体管的栅极和源极连接，漏级与地线连接
。
[0016]可选地，驱动模块包括：控制电源；第一控制开关，源极与电流镜模块的第一输出端连接，栅极与控制电源连接，漏级与待控晶体管的栅极连接；第二控制开关，源极与待控晶体管的栅极连接，栅极与控制电源连接，漏级与电流镜模块的第二输出端连接
。
[0017]在一些实施例中，电子设备包括：设备本体；如上述的驱动输出电路，安装于设备本体
。
[0018]本公开实施例提供的驱动输出电路和电子设备，可以实现以下技术效果：
[0019]本公开实施例中，在对待控晶体管的驱动输出电路中，设置了配置模块，由于配置模块可以提供可调的驱动电压和驱动电流，由于配置模块通过控制模块与待控晶体管的栅极连接，所以，本公开实施例了可以满足不同参数型号的待控晶体管
(
功率
MOS
晶体管
)
的驱动需求
。
[0020]以上的总体描述和下文中的描述仅是示例性和解释性的，不用于限制本申请
。
附图说明
[0021]一个或多个实施例通过与之对应的附图进行示例性说明，这些示例性说明和附图
并不构成对实施例的限定，附图中具有相同参考数字标号的元件示为类似的元件，附图不构成比例限制，并且其中：
[0022]图1是本公开实施例提本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种驱动输出电路，其特征在于，包括：电源模块；配置模块，配置模块的输入端与电源模块连接，被配置为待控晶体管提供可调的驱动电压和驱动电流；控制模块，控制模块的输入端与配置模块的输出端连接，控制模块的输出端与待控晶体管的栅极连接，被配置为控制待控晶体管的导通和截止
。2.
根据权利要求1所述的电路，其特征在于，控制模块的输入端包括第一输入端和第二输入端；配置模块包括：电压配置模块，电压配置模块的输入端与电源模块连接，电压配置模块的输出端与控制模块的第一输入端连接，被配置为待控晶体管提供可调的驱动电压；电流配置模块，电流配置模块的输入端与电源模块连接，电流模块的输出端与控制模块的第二输入端连接，被配置为待控晶体管提供可调的驱动电流
。3.
根据权利要求2所述的电路，其特征在于，电源模块包括第一电源和第二电源；电压配置模块包括：第一放大器，第一放大器的正向输入端与第一电源连接；
N
条电压配置支路，任一条电压配置支路的第一端与第一放大器的负向输入端连接，任一条电压配置支路的第二端与地线连接；其中，
N
大于或者等于1；第一晶体管，第一晶体管的栅极与第一放大器的输出端连接，第一晶体管的漏极与第二电源连接，第一晶体管的源极与控制模块的第一输入端连接；第一保护电阻，第一保护电阻的第一端与第一放大器的负向输入端连接，第一保护电阻的第二端与第一晶体管的源极连接
。4.
根据权利要求3所述的电路，其特征在于，电压配置支路包括：第一开关，第一开关的第一端与第一放大器的负向输入端连接；第一电阻，第一电阻的第一端与第一开关的第二端连接，第一电阻的第二端与地线连接
。5.
根据权利要求2所述的电路，其特征在于，电源模块包括第一电源；电流配置模块包括：第二放大器，第二放大器的正向输入端与第一电源连接；
M
条电流配置支路，任一条电流配置支路的第一端与第二放大器的负向输入端连接，任一条电流配置支路的第二端与地线连接；其...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨明，尹亮，
申请(专利权)人：哈尔滨西恩科技有限公司，
类型：发明
国别省市：