本申请涉及电子电路技术领域，公开一种串扰抑制电路，该串扰抑制电路包括负压产生电路，负压产生电路设置于驱动芯片和场效应管之间，负压产生电路被配置为在场效应管关断的情况下，为场效应管提供负电压，以在场效应管接收到干扰电压时维持场效应管的关断状态。在场效应管关断的情况下，通过负压产生电路在场效应管的栅极产生负电压，进而保持场效应管的关断状态，从而抑制了场效应管之间的串扰现象，避免了场效应管的受到串扰影响而开通的现象。本申请还公开一种桥臂驱动电路及电子设备。本申请还公开一种桥臂驱动电路及电子设备。本申请还公开一种桥臂驱动电路及电子设备。
【技术实现步骤摘要】
串扰抑制电路、桥臂驱动电路及电子设备
[0001]本申请涉及电子电路
，例如涉及一种串扰抑制电路、桥臂驱动电路及电子设备。
技术介绍
[0002]近几年随着全球新能源产业的高速发展，电力电子装置在电动汽车、光伏发电、和航空航天等领域被广泛应用，对电力电子器件提出了高可靠高效率的要求。在SiC MOSFET半桥电路结构中，功率器件的快速开关会导致高阻断电压、高漏极
‑
源极电压和漏极
‑
电流变化率(dv/dt和di/dt)。由半桥结构中寄生电容和电感引起的串扰也将更加严重。由串扰引起的正向寄生触发脉冲可能超过阈值电压，导致不必要的开关损耗和直通问题。负向触发脉冲可能超过功率器件的负向允许最大栅极电压。
[0003]在实现本公开实施例的过程中，发现相关技术中至少存在如下问题：
[0004]相关技术中的串扰抑制方法，通常需要引入额外的控制信号，这样会造成功率器件的过渡损耗，并且会影响功率器件的开关速度。
[0005]需要说明的是，在上述
技术介绍
部分公开的信息仅用于加强对本申请的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
技术实现思路
[0006]为了对披露的实施例的一些方面有基本的理解，下面给出了简单的概括。所述概括不是泛泛评述，也不是要确定关键/重要组成元素或描绘这些实施例的保护范围，而是作为后面的详细说明的序言。
[0007]本公开实施例提供一种串扰抑制电路、桥臂驱动电路及电子设备，以抑制串扰现象对桥臂电路中的场效应管的影响。
[0008]在一些实施例中，串扰抑制电路应用于用于桥臂驱动电路，桥臂驱动电路包括驱动芯片和场效应管；串扰抑制电路包括：负压产生电路，设置于驱动芯片和场效应管之间，被配置为在场效应管关断的情况下，为场效应管提供负电压，以在场效应管接收到干扰电压时维持场效应管的关断状态。
[0009]可选地，负压产生电路包括：压子电路，被配置为在场效应管导通的状态下充电，在场效应管关断的状态下，为场效应管提供负电压；分压子电路，与负压子电路串联连接，分压子电路被配置为在场效应管导通的状态下分担负压子电路的电压。
[0010]可选地，负压子电路包括并联连接的第一电阻和第一电容，负压子电路的第一端连接驱动芯片，负压子电路的第二端与分压子电路共同连接至场效应管的源极；分压子电路包括第二电阻、第二电容和第一二极管，第二电阻和第二电容并联后的第一端与第一二极管的负极连接，第一二极管的正极与负压子电路连接，第二电阻和第二电容并联后的第二端连接在场效应管的源极和驱动芯片之间。
[0011]可选地，负电压的表达式为：
[0012][0013][0014]其中，V
dr
表示驱动电源电压，V
gsH
表示正向门极驱动电压，V
gsL
表示负电压，即负向门极驱动电压。
[0015]可选地，串扰抑制电路还包括：桥臂串扰抑制电路，被配置为在场效应管接收到串扰电压的情况下，生成低阻抗通路，以保持场效应管的关断状态。
[0016]可选地，桥臂串扰抑制电路包括：门级驱动电阻；正向串扰抑制电路，被配置为在场效应管接收到的串扰电压为正向串扰电压的情况下，生成低阻抗通路；负向串扰抑制电路，被配置为在场效应管接收到的串扰电压为负向串扰电压的情况下，生成低阻抗通路。
[0017]可选地，正向串扰抑制电路包括第一三极管和第三电容；其中，第一三极管的栅极与负向串扰抑制电路连接，第一三极管的源极连接在门级驱动电阻与场效应管的栅极之间，第一三极管的漏极与第三电容的第一端连接，第三电容的第二端连接在场效应管的源极和驱动芯片之间。
[0018]可选地，负向串扰抑制电路包括第二三极管和第二二极管；其中，第二三极管的栅极与正向串扰抑制电路连接，第二三极管的源极连接在门级驱动电阻与场效应管的栅极之间，第二三极管的漏极与第二二极管的负极连接，第二二极管的正极连接在场效应管的源极和驱动芯片之间。
[0019]可选地，串扰抑制电路满足如下条件中的部分或者全部：
[0020]C2＞＞C
gs
[0021]C1＞＞C
gs
R2/R1[0022]R1C1＞＞T
s
[0023]R2C2＞＞T
s
[0024]C3＞＞(23)C
gs
[0025]其中，C
gs
表示场效应管的栅极和源极之间的寄生电容，Ts表示控制周期，C1表示第一电容的电容值，C2表示第二电容的电容值，R1表示第一电阻的阻值，R2表示第二电阻的阻值，C3表示第三电容的电容值。
[0026]在一些实施例中，桥臂驱动电路包括：桥臂模块；和，至少一个上述任一项的串扰抑制电路，与桥臂模块电连接。
[0027]可选地，串扰抑制电路包括两个；桥臂模块包括：上桥臂模块，具有第一驱动芯片、第一场效应管和第一串扰抑制电路，第一串扰抑制电路设置在第一桥臂驱动芯片和第一场效应管之间；下桥臂模块，具有第二驱动芯片、第二场效应管和第二串扰抑制电路，第二串扰抑制电路设置在第二桥臂驱动芯片和第二场效应管之间。
[0028]在一些实施例中，电子设备包括上述任一桥臂驱动电路。
[0029]可选地，电子设备为整流器或变频器。
[0030]本公开实施例提供的串扰抑制电路、桥臂驱动电路及电子设备，可以实现以下技术效果：
[0031]在场效应管关断的情况下，通过负压产生电路在场效应管的栅极产生负电压，进
而保持场效应管的关断状态，从而抑制了场效应管之间的串扰现象，避免了场效应管的受到串扰影响而开通的现象。
[0032]以上的总体描述和下文中的描述仅是示例性和解释性的，不用于限制本申请。
附图说明
[0033]一个或多个实施例通过与之对应的附图进行示例性说明，这些示例性说明和附图并不构成对实施例的限定，附图中具有相同参考数字标号的元件示为类似的元件，附图不构成比例限制，并且其中：
[0034]图1是相关技术中的桥臂驱动电路的结构示意图；
[0035]图2是本公开实施例提供的一个用于桥臂驱动电路的串扰抑制电路的结构示意图；
[0036]图3是本公开实施例提供的另一个用于桥臂驱动电路的串扰抑制电路的结构示意图；
[0037]图4是本公开实施例提供的又一个用于桥臂驱动电路的串扰抑制电路的结构示意图；
[0038]图5是本公开实施例提供的再一个用于桥臂驱动电路的串扰抑制电路的结构示意图；
[0039]图6是本公开实施例提供的一个桥臂驱动电路的具体结构示意图；
[0040]图7是本公开实施例提供的一个半桥结构电路串扰抑制装置的逻辑时序图；
[0041]图8是发生正向串扰时相关技术中的负压驱动电路和本申请实施例的栅极驱动电压对比图；
[0042]图9是发生负向串扰时，相关技术中的负压驱动电路和本申请实施例的栅本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种用于桥臂驱动电路的串扰抑制电路，其特征在于，桥臂驱动电路包括驱动芯片和场效应管；串扰抑制电路包括：负压产生电路，设置于驱动芯片和场效应管之间，被配置为在场效应管关断的情况下，为场效应管提供负电压，以在场效应管接收到干扰电压时维持场效应管的关断状态。2.根据权利要求1所述的串扰抑制电路，其特征在于，负压产生电路包括：负压子电路，被配置为在场效应管导通的状态下充电，在场效应管关断的状态下，为场效应管提供负电压；分压子电路，与负压子电路串联连接，分压子电路被配置为在场效应管导通的状态下分担负压子电路的电压。3.根据权利要求2所述的串扰抑制电路，其特征在于，负压子电路包括并联连接的第一电阻和第一电容，负压子电路的第一端连接驱动芯片，负压子电路的第二端与分压子电路共同连接至场效应管的源极；分压子电路包括第二电阻、第二电容和第一二极管，第二电阻和第二电容并联后的第一端与第一二极管的负极连接，第一二极管的正极与负压子电路连接，第二电阻和第二电容并联后的第二端连接在场效应管的源极和驱动芯片之间。4.根据权利要求1
‑
3任一项所述的串扰抑制电路，其特征在于，还包括：桥臂串扰抑制电路，被配置为在场效应管接收到串扰电压的情况下，生成低阻抗通路，以保持场效应管的关断状态。5.根据权利要求4所述的串扰抑制电路，其特征在于，桥臂串扰抑制电路包括：门级驱动电阻；正向串扰抑制电路，被配置为在场效应管接收到的串扰电压为正向串扰电压的情况下，生成低阻抗通路；负向串扰抑制电路，被配置为在场效应管接收到的串扰电压为负向串扰电压的情况下，生成低阻抗通路。6.根据权利要求5所述的串扰抑制电路，其特征在于，正向串扰抑制电路包括第一三极管和第三电容；其中，第一三极管的栅极与负向串扰抑制电路连接，第一三极管的源极连接在门级驱动电阻与场效应管的栅极之间，第一三极管的漏...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨明，徐东林，
申请(专利权)人：哈尔滨西恩科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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