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本实用新型提供一种新型的半导体器件的终端结构，包括n‑衬底、P型扩散层、p+型表面扩散层、n+型表面扩散层、p+层、栅极氧化层、源极电极、栅极电极、漏极电极和窄宽沟道；所述栅极氧化层横跨在P型扩散层和窄宽沟道之间，上表面引出栅极电极；所述窄...
该专利属于厦门芯一代集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过厦门芯一代集成电路有限公司授权不得商用。

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