具有经过粗化处理的铜表面的物体制造技术

本发明专利技术的目的在于提供一种具有经过粗化处理的铜表面的物体。一个实施方式是具有被厚度为6nm以上的铜覆盖的表面的物体，在至少一部分的铜表面具有凸部，凸部的表面含有氧化铜，凸部的内部含有铜，高度为50nm以上的凸部在每3.8μm中有5个以上，并且凸部的平均长度为500nm以下，深度6nm(SiO

An object with a roughened copper surface

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有经过粗化处理的铜表面的物体
本专利技术涉及具有经过粗化处理的铜表面的物体。
技术介绍
铜具有印刷电路板所使用的铜箔、在基板上布线的铜线、LIB负极集电体用的铜箔等多种多样的用途。例如，印刷电路板所使用的铜箔需求与树脂的密合性。为了提高该密合性，采用着利用蚀刻等对铜箔的表面进行粗化处理以提高物理性粘接力的方法。但是，随着印刷电路板的高密度化，需求铜箔表面的平坦化。为了满足这些相反的需求，开发出进行氧化工序和还原工序等的铜表面处理方法(WO2014/126193号公开公报)。由此，对铜箔进行预处理，浸渍在含有氧化剂的药液中，从而使铜箔表面氧化而形成氧化铜的凹凸，之后，浸渍在含有还原剂的药液中，使氧化铜还原，由此调节表面的凹凸，调整表面粗糙度。此外，作为利用了氧化还原的铜箔处理中的密合性改善方法，开发出在氧化工序中添加表面活性分子的方法(日本特表2013-534054号公报)、和在还原工序后使用氨基噻唑系化合物等在铜箔表面形成保护覆膜的方法(日本特开平8-97559号公报)。另外，在LIB负极集电体中，如果为了高输出、高能量密度化而采用大容量的活性物质，则充电时和放电时的活性物质的体积膨胀率就会增大。因此，若重复进行充放电，连接活性物质与集电体的粘结材料就会发生破裂、或者粘结材料从活性物质界面、集电体界面剥离，循环特性恶化。为了防止这种情况，公开了增加铜箔侧的粘结材料量以提高铜箔与负极合剂层的密合性的专利技术(日本特开平10-284059号公报)。
技术实现思路
专利技术所要解决的问题本专利技术的目的在于提供具有经过粗化处理的铜表面的物体。用于解决问题的技术方案本专利技术的一个实施方式是一种具有被厚度为6nm以上的铜覆盖的表面的物体，在至少一部分的铜表面具有凸部，凸部的表面含有氧化铜，凸部的内部含有铜，在截面上，高度为50nm以上的凸部在每3.8μm中平均有5个以上，并且凸部的平均长度为500nm以下，深度6nm(SiO2换算)处的Cu/O的含有比为5以下。上述物体可以是铜箔、铜颗粒、铜粉或镀铜的物体。包含上述氧化铜的层的厚度可以为8～50nm。关于上述凸部的高度，在由扫描电子显微镜得到的截面的拍摄图像中，测定将凸部两侧的凹部的极小点连接的线段的中点、与凸部的极大点的距离。本专利技术的其它实施方式是一种铜表面的粗化处理方法，其包括：将铜表面氧化的第一工序、和将发生了氧化的上述铜表面溶解的第二工序。可以在第一工序之前使用碱性水溶液进行碱处理。可以在第一工序中利用氧化剂将上述铜表面氧化。可以在第二工序中利用溶解剂将上述发生了氧化的上述铜表面溶解。上述溶解剂的pH值可以为pH9.0～14.0。将上述发生了氧化的上述铜表面溶解，使得上述铜表面发生氧化而生成的氧化铜的溶解率达到35～99％、并且通过SERA(连续电化学还原法)测得的氧化膜厚度达到4～150nm。本专利技术的又一实施方式是上述任一种所述的物体的制造方法，其包括利用上述任一项所述的粗化处理方法对上述物体的表面的铜进行处理的工序。本专利技术的另一实施方式是铜箔与树脂的叠层板的制造方法，其中，上述铜箔是上述任一项所述的物体，该制造方法包括将上述物体与上述树脂以层状粘接的工序。上述树脂也可以为聚苯醚。本专利技术的再一实施方式是一种印刷基板的制造方法，其包括利用上述任一项所述的叠层板的制造方法制造叠层板的工序。＝＝与相关文献的相互参照＝＝本申请基于2015年11月10日申请的日本专利申请2017-217776主张优先权，通过引用该基础申请，包含于本说明书中。附图说明图1是表示在本专利技术的实施例1中，距经过粗化处理的铜箔表面的深度处各元素的比例的图表。图2是在本专利技术的实施例1中，利用扫描电子显微镜(SEM)拍摄经过粗化处理的铜箔的表面和截面的照片。图3是表示在本专利技术的实施例1中，在利用SEM拍摄的照片中凸部的高度和数量的测量方法的图。图4是表示在本专利技术的实施例2中，研究溶解剂的pH值与剥离强度的关系的结果的图表。图5是表示在本专利技术的实施例2中，研究经过粗化处理的铜箔中的包含氧化铜的层的厚度和成分的结果的图表。图6是表示在本专利技术的实施例3中，研究对进行了氧化处理的铜箔进行溶解处理的时间的影响的结果的图表。图7是表示在本专利技术的实施例4中，研究对铜箔进行氧化处理的时间的影响的结果的图表。具体实施方式以下，列举实施例详细地说明本专利技术的实施方式。另外，对本领域技术人员而言，通过本说明书的记载能够获知本专利技术的目的、特征、优点及其构思，本
技术人员能够根据本说明书的记载容易地再现本专利技术。以下记载的专利技术的实施方式和具体的实施例等表示本专利技术的优选的实施方式，是为了例示或说明而示出的，本专利技术不限定于此。本领域技术人员能够理解在本说明书中公开的本专利技术的意图以及范围内，能够基于本说明书的记载进行各种修饰。＝＝具有经过粗化处理的铜表面的物体＝＝本专利技术的一个实施方式的具有经过粗化处理的铜表面的物体是具有被铜覆盖的表面的物体，在至少一部分的铜表面具有凸部，凸部的表面含有氧化铜(Cu2O+CuO)，凸部的内部含有铜。具有铜表面的物体可以是由铜构成的物体，也可以是在由铜以外的物质构成的物体的表面设有铜层的物体，还可以是实施了镀铜的物体，覆盖表面的铜还包含含有氧化铜的层，最薄部分优选为6nm以上，更优选为10nm以上，进一步优选为100nm以上。该铜的厚度能够通过将利用Ar离子溅射对试样表面的蚀刻和利用X射线光电子能谱法(XPS)对表面的元素分析组合来测定。该物体的形状没有特别限定，例如可以为箔状、颗粒状、粉状，也可以为以铜为主成分的铜箔、铜颗粒、铜粒。在物体的表面，高度为50nm以上的凸部在每3.8μm中优选有平均5个以上，更优选有10个以上，进一步优选有20个以上。该数例如可以按照如下方式数出：在截面的SEM图像中，在将连结相邻的凹部彼此的极小点的线段的中点、与处于凹部彼此之间的凸部的极大点的距离设为突起物的高度的情况下，计量高度为50nm以上的凸部的数量。另外，凸部的平均高度优选为500nm以下，更优选为350nm以下。并且，凸部的平均高度优选为20nm以上，更优选为50nm以上。深度6nm(SiO2换算)处的Cu/O的含有比没有特别限定，优选为5以下，更优选为4以下，进一步优选为3以下。深度12nm(SiO2换算)处的Cu/O的含有比没有特别限定，优选为8以下，更优选为6以下，进一步优选为4以下。深度18nm(SiO2换算)处的Cu/O的含有比没有特别限定，优选为5以下，更优选为4以下，进一步优选为3以下。深度40nm(SiO2换算)处的Cu/O的含有比没有特别限定，优选为20以下，更优选为16以下，进一步优选为12以下，并且优选为2.0以上，更优选为2.5以上，进一步优选为3.0以上。该含有比能够通过将利用Ar离子溅射对试样表面的蚀刻和利用X射线光电子能谱法(XPS)对试样表面的各物质的含量测定组合来算出。此外，在实本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种物体，其具有被厚度为6nm以上的铜覆盖的表面，该物体的特征在于，/n在至少一部分的铜表面具有凸部，/n凸部的表面含有氧化铜，/n凸部的内部含有铜，/n在截面上，高度为50nm以上的凸部在每3.8μm中平均有5个以上，并且凸部的平均长度为500nm以下，/n深度6nm(SiO

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171110 JP 2017-2177761.一种物体，其具有被厚度为6nm以上的铜覆盖的表面，该物体的特征在于，
在至少一部分的铜表面具有凸部，
凸部的表面含有氧化铜，
凸部的内部含有铜，
在截面上，高度为50nm以上的凸部在每3.8μm中平均有5个以上，并且凸部的平均长度为500nm以下，
深度6nm(SiO2换算)处的Cu/O的含有比为5以下。


2.如权利要求1所述的物体，其特征在于，
所述物体为铜箔、铜颗粒、铜粉或镀铜的物体。


3.如权利要求1或2所述的物体，其特征在于，
包含所述氧化铜的层的厚度为8～50nm。


4.如权利要求1～3中任一项所述的物体，其特征在于，
所述凸部的高度通过在由扫描电子显微镜得到的截面的拍摄图像中，测定将凸部两侧的凹部的极小点连结的线段的中点、与凸部的极大点的距离而得到。


5.如权利要求1～4中任一项所述的物体，其特征在于，
包含所述氧化铜的层的厚度通过连续电化学还原法(SERA)测定。


6.如权利要求1～5中任一项所述的物体，其特征在于，
所述深度通过X射线光电子能谱法(XPS)测定。


7.一种铜表面的粗化处理方法，其特征在于，包括：
将铜表面氧化的第一工序；和
将发生了氧化的所述铜表面溶解的第二工序。


8.如权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：佐藤牧子，铃木理，
申请(专利权)人：纳美仕有限公司，
类型：发明
国别省市：日本;JP