发光二极管制造技术

本发明专利技术提供一种发光二极管。所述发光二极管包括基板、包含第一导电型半导体层、第二导电型半导体层和活性层的半导体堆叠件、光阻挡层、欧姆反射层、包括使所述第一导电型半导体层和欧姆反射层暴露的第一开口部和第二开口部的下部绝缘层、第一焊盘金属层、第二焊盘金属层、包含使所述第一焊盘金属层和第二焊盘金属层暴露的第一开口部和第二开口部的上部绝缘层、第一凸块焊盘和第二凸块焊盘，其中，所述第一凸块焊盘和第二凸块焊盘的上表面形成为比所述上部绝缘层的上表面更高。

light-emitting diode

【技术实现步骤摘要】
发光二极管本申请是申请日为2017年11月24日、申请号为201711191300.2、专利技术名称为“具有光阻挡层的发光二极管”的专利技术专利申请的分案申请。
本专利技术涉及一种发光二极管，更为具体地涉及一种具有光阻挡层(lightblockinglayer)的发光二极管。
技术介绍
通常，如氮化镓(GaN)、氮化铝(AlN)等Ⅲ族元素的氮化物，其热稳定性出色且具有直接跃迁型(directtransition)的能带(band)结构，因此最近作为可见光线以及紫外线区域的光源用物质备受青睐。尤其是，使用氮化铟镓(InGaN)的蓝色以及绿色发光二极管应用于大型天然色平板显示装置、信号灯、室内照明、高密度光源、相机闪光灯、高清输出系统与光通信等各种应用领域。另外，由于从发光二极管射出的光的直进性出色，因此最近广泛应用于汽车用头灯(headlamp)。发光二极管需要根据应用领域来调整指向角。尤其是，对应用于汽车用头灯或者闪光灯的发光二极管而言，其指向角越窄越有利。尤其是，如点照明(SpotLight)具有较窄的指向特性的照明装置需要指向角较窄的发光元件。尤其是，为了使指向角变窄需要缩小发光二极管的大小。但是，通常，在相同的电流密度条件下，芯片尺寸的缩小会导致光功率减少。因此，为了使用较小的发光二极管芯片实现较高的光功率(opticalpower)，应该增加电流密度，但在较高的电流密度下，由于众所周知的下垂(droop)现象，发光效率会降低。另一方面，为了体现如白色光等混色光而将荧光体与发光二极管芯片一起使用。通常，荧光体混合于硅树脂(silicone)或者环氧树脂(epoxy)等透明树脂而使用，但树脂具有对热量较弱的缺点。另外，为了提高显色性(colorrendering)以及色彩再现性(ColorReproductionCharacteristics)使用两种以上的荧光体而非单一的荧光体，但很难均匀地混合这些荧光体。据此，在应用荧光体的发光二极管之间较容易出现色差。尤其是，在一种荧光体进行波长转换的光可能会被另一种荧光体吸收或者干涉，因此光的转换效率较低，很难提高显色性。
技术实现思路
本专利技术所要解决的课题是提供一种在不降低发光效率的情况下具有高功率性能并具有较小的发光面的发光二极管。本专利技术所要解决的又一课题是提供一种能够维持发光二极管的高功率性能并能够较容易调整发光面的大小的技术。本专利技术所要解决的又一课题是提供一种适合于在高温环境下使用的混色光发光二极管。本专利技术所要解决的又一课题是提供一种能够缩小发光二极管之间的色差的发光二极管。本专利技术所要解决的又一课题是提供一种能够提高光转换效率且改善显色性的发光二极管。根据本专利技术的一实施例的发光二极管包括：基板；半导体层，配置于所述基板的下部，且包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层以及夹设于所述第一导电型半导体层与所述第二导电型半导体层之间的活性层；以及光阻挡层，为了在所述基板的上表面限定发光面而覆盖所述基板的侧面以及上表面。通过使用光阻挡层限定发光面，从而可以提供一种在不缩小发光面的大小的情况下能够实现较小的点波束(spotbeam)的发光二极管。据此，在不增加发光二极管的电流密度的情况下也能够实现高功率，因此能够防止发光效率的降低。另外，使用光阻挡层控制发光面，因此在不调整发光二极管的整体大小的情况下也能够较容易调整发光面的大小。另一方面，所述发光面限定于所述基板的上表面，因此具有比所述基板的上表面窄的面积。所述发光面可以具有各种形状，例如，可以具有圆形、椭圆形或者多边形形状。进而，所述发光面可以通过所述光阻挡层被划分为多个区域。所述多个区域可以具有彼此相同的形状，但并不限定于此。此外，在所述多个区域中，一个区域可以包围另一个区域。在一些实施例中，所述光阻挡层可以包括金属反射层。在其他实施例中，所述光阻挡层可以包括分布布拉格反射器。由于光阻挡层包括反射层，所以能够使朝向光阻挡层的光向外部射出，从而可以进一步提高发光二极管的光功率。金属反射层可以比所述布拉格反射器更加简单地形成。另一方面，位于所述基板的上表面的所述光阻挡层的厚度可以比位于所述基板的侧面的光阻挡层的厚度更厚。据此，通过减少在发光面周围的漏光(lightleakage)，能够清晰地限定发光面。所述发光二极管还可以包括：欧姆反射层，电连接于所述第二导电型半导体层；以及第一凸块焊盘和第二凸块焊盘，配置于所述欧姆反射层的下部，且分别与所述第一导电型半导体层和第二导电型半导体层电连接。据此，可以提供一种倒装芯片型的发光二极管。此外，所述发光二极管可以包括配置于所述第一导电型半导体层上的台面。所述台面包括所述活性层和所述第二导电型半导体层，且从所述侧面隔开。另外，所述光阻挡层能够从所述台面横向隔开而配置。另外，所述发光二极管还包括：下部绝缘层，覆盖所述欧姆反射层，且包括使所述第一导电型半导体层暴露的第一开口部以及使所述欧姆反射层暴露的第二开口部；第一焊盘金属层，配置于所述下部绝缘层上，且通过所述第一开口部电连接于所述第一导电型半导体层；第二焊盘金属层，配置于所述下部绝缘层上，且通过所述第二开口部电连接于所述欧姆反射层；以及上部绝缘层，覆盖所述第一焊盘金属层和所述第二焊盘金属层，且包括使所述第一焊盘金属层暴露的第一开口部以及使所述第二焊盘金属层暴露的第二开口部，其中，所述第一凸块焊盘和第二凸块焊盘配置于所述上部绝缘层上，并可以通过所述上部绝缘层的第一开口部和第二开口部分别连接于所述第一焊盘金属层和所述第二焊盘金属层。据此，可以提供一种芯片级封装(ChipScalePackage)型的发光二极管。另一方面，所述台面可以包括通过贯穿第二导电型半导体层和活性层而使第一导电型半导体层暴露的通孔，所述第一焊盘金属层可电连接于通过所述通孔暴露的第一导电型半导体层。此外，所述台面在侧面还可以包括凹陷部，所述凹陷部使所述第一导电型半导体层暴露，所述第一焊盘金属层可电连接于通过所述凹陷部暴露的第一导电型半导体层。另外，所述台面可以具有边角被切断的形状，所述第一焊盘金属层可在所述台面的边角附近电连接于所述第一导电型半导体层。另一方面，所述基板可以是蓝宝石基板或者氮化镓系基板。另外，所述基板的上表面可以具有用于使从所述活性层生成的光射出的粗糙面。在一实施例中，所述粗糙面可限定于所述发光面内而配置。另一方面，所述基板的侧面可以包括相对于所述第一导电型半导体层上表面垂直的侧面以及相对于所述垂直的侧面倾斜的侧面。根据本专利技术的又一实施例，提供一种发光二极管，其包括：基板；半导体层，配置于所述基板的下部，且包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层以及夹设于所述第一导电型半导体层与所述第二导电型半导体层之间的活性层；欧姆反射层，电连接于所述第二导电型半导体层；第一凸块焊盘和第二凸块焊盘，配置于所述欧姆反射层的下部，且分别电连接于所述第一导电型半导体层和第二导电型半导体层；侧面反射层本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发光二极管，包括：/n基板；/n半导体堆叠件，布置与所述基板的下部，包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层以及介于所述第一导电型半导体层与所述第二导电型半导体层之间的活性层；/n光阻挡层，以在所述基板的上表面限定发光面的方式覆盖所述基板的侧面以及上表面；/n欧姆反射层，电连接于所述第二导电型半导体层；/n下部绝缘层，覆盖所述欧姆反射层，且包括使所述第一导电型半导体层暴露的第一开口部以及使所述欧姆反射层暴露的第二开口部；/n第一焊盘金属层，布置于所述下部绝缘层之上，且通过所述下部绝缘层的第一开口部电连接于所述第一导电型半导体层；/n第二焊盘金属层，布置于所述下部绝缘层上，且通过所述下部绝缘层的第二开口部电连接于所述欧姆反射层；/n上部绝缘层，覆盖所述第一焊盘金属层和所述第二焊盘金属层，且包括使所述第一焊盘金属层暴露的第一开口部以及使所述第二焊盘金属层暴露的第二开口部；/n第一凸块焊盘和第二凸块焊盘，布置于所述欧姆反射层的下部，且分别与所述第一导电型半导体层和第二导电型半导体层电连接，/n其中，所述第一凸块焊盘和第二凸块焊盘的上表面形成为比所述上部绝缘层的上表面更高。/n

【技术特征摘要】
20161125 KR 10-2016-0158391;20170224 KR 10-2017-001.一种发光二极管，包括：
基板；
半导体堆叠件，布置与所述基板的下部，包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层以及介于所述第一导电型半导体层与所述第二导电型半导体层之间的活性层；
光阻挡层，以在所述基板的上表面限定发光面的方式覆盖所述基板的侧面以及上表面；
欧姆反射层，电连接于所述第二导电型半导体层；
下部绝缘层，覆盖所述欧姆反射层，且包括使所述第一导电型半导体层暴露的第一开口部以及使所述欧姆反射层暴露的第二开口部；
第一焊盘金属层，布置于所述下部绝缘层之上，且通过所述下部绝缘层的第一开口部电连接于所述第一导电型半导体层；
第二焊盘金属层，布置于所述下部绝缘层上，且通过所述下部绝缘层的第二开口部电连接于所述欧姆反射层；
上部绝缘层，覆盖所述第一焊盘金属层和所述第二焊盘金属层，且包括使所述第一焊盘金属层暴露的第一开口部以及使所述第二焊盘金属层暴露的第二开口部；
第一凸块焊盘和第二凸块焊盘，布置于所述欧姆反射层的下部，且分别与所述第一导电型半导体层和第二导电型半导体层电连接，
其中，所述第一凸块焊盘和第二凸块焊盘的上表面形成为比所述上部绝缘层的上表面更高。


2.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，
所述第一凸块焊盘和第二凸块焊盘配置于所述上部绝缘层上，并通过所述上部绝缘层的第一开口部和第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：张锺敏，金彰渊，林栽熙，
申请(专利权)人：首尔伟傲世有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR