一种用于背光显示的倒装LED芯片制造技术

本实用新型专利技术公开了一种用于背光显示的倒装LED芯片，所述芯片包括转移衬底、第一钝化层、第一反射层、外延层、第二反射层、第二钝化层、第一电极和第二电极，所述第一钝化层设置在转移衬底和第一反射层之间，以将转移衬底固定在第一反射层上，所述外延层设置在第一反射层上，所述第二反射层设置在外延层上，所述第二钝化层设置在第二反射层上，第一电极与第一反射层导电连接，第二电极与第二反射层导电连接，其中，所述外延层发出的光经过第一反射层和第二反射层反射后，从芯片的侧面出射。本实用新型专利技术的第一反射层和第二反射层设置在外延层的两侧，将外延层发出的光进行来回反射，增加侧面出光，得到更高的出光效率。

A flip LED chip for backlight display

【技术实现步骤摘要】
一种用于背光显示的倒装LED芯片
本技术涉及发光二极管
，尤其涉及一种用于背光显示的倒装LED芯片。
技术介绍
倒装LED芯片是近几年新型态的LED，主要功能在于无封装制程，大幅节省生产效能，可应用在大电流上，更可以实现超微小mini型态的LED。参见图1，传统的倒装LED芯片包括依次设于衬底10上的AlN层11、缓冲层12、外延层20、透明导电层30、反射层40、阻挡层50、钝化层60、第一电极71和第二电极72，传统倒装LED芯片的出光面为衬底一侧，现有的衬底一般为蓝宝石衬底，外延层材料为氮化镓材料，为了减少蓝宝石衬底和外延层之间的晶格失配，在形成外延层之前，需要在蓝宝石衬底上形成AlN层、缓冲层等结构，上述结构统称为大量体材料，这些大量体材料会吸收外延层发出的光，从而降低芯片的出光效率。此外，现有的LED背光显示器，由多颗倒装LED芯片拼接而成，由于倒装LED芯片的出光面集中在衬底一侧出射，应用于背光显示的倒装LED芯片，背光显示器若要出光均匀，相邻LED芯片之间的距离要足够小，这就需要大量的倒装LED芯片来进行组装本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于背光显示的倒装LED芯片，其特征在于，包括：转移衬底、第一钝化层、第一反射层、外延层、第二反射层、第二钝化层、第一电极和第二电极，所述第一钝化层设置在转移衬底和第一反射层之间，以将转移衬底固定在第一反射层上，所述外延层设置在第一反射层上，所述第二反射层设置在外延层上，所述第二钝化层设置在第二反射层上，第一电极和第二电极贯穿第二钝化层，第一电极与第一反射层导电连接，第二电极与第二反射层导电连接，其中，所述外延层发出的光经过第一反射层和第二反射层反射后，从芯片的侧面出射。/n

【技术特征摘要】
1.一种用于背光显示的倒装LED芯片，其特征在于，包括：转移衬底、第一钝化层、第一反射层、外延层、第二反射层、第二钝化层、第一电极和第二电极，所述第一钝化层设置在转移衬底和第一反射层之间，以将转移衬底固定在第一反射层上，所述外延层设置在第一反射层上，所述第二反射层设置在外延层上，所述第二钝化层设置在第二反射层上，第一电极和第二电极贯穿第二钝化层，第一电极与第一反射层导电连接，第二电极与第二反射层导电连接，其中，所述外延层发出的光经过第一反射层和第二反射层反射后，从芯片的侧面出射。


2.如权利要求1所述的用于背光显示的倒装LED芯片，其特征在于，还包括透明导电层，所述透明导电层设置在第一反射层和外延层之间；
所述外延层包括依次设置的N-GaN层、MQW层和P-GaN层，所述N-GaN层设置在MQW层和第二反射层之间，所述P-GaN层设置在MQW层和透明导电层之间。


3.如权利要求1或2所述的用于背光显示的倒装LED芯片，其特征在于，所述第一反射层包括第一金属反射层和第一阻挡层...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔永进，庄家铭，
申请(专利权)人：佛山市国星半导体技术有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44