【技术实现步骤摘要】
具有布拉格反射镜的发光二极管及其制造方法本专利技术是2016年2月17日所提出的申请号为201610089271.8、专利技术名称为《具有布拉格反射镜的发光二极管及其制造方法》的专利技术专利申请的分案申请。
本专利技术关于一种发光二极管及其制造方法，尤其涉及一种具有布拉格反射镜的发光二极管以及制造方法。
技术介绍
发光二极管(LightEmittingDiode，简称LED)是一种半导体材料制成的固态发光组件，其普遍使用磷化镓、砷化镓或氮化镓等III-V族化学元素的组合，通过对此化合物半导体施加电压，使空穴和电子在电极电压作用下在发光层大量相遇而产生复合，此时电子会跌落到较低的能阶，同时以光子的模式释放，让电能转换为光，达成发光的效果。发光二极管为了提升出光亮度，在结构上会设置反射结构，使发光层所产生的光线能够被反射向理想的出光方向。传统的反射结构为银反射镜，但考虑到银反射镜在发光二极管的制程中会受到温度的影响，从而有相变化发生的可能。银反射镜若转变为流体形式，即有向周边扩散的问题；因此，银反射镜的限制在于其...
【技术保护点】
1.一种具有布拉格反射镜的发光二极管，其特征在于，包括：/n磊晶层，具有第一半导体层、发光层以及第二半导体层；/n多个电流阻挡层，设置于所述第二半导体层上，所述电流阻挡层互不连接；/n透明导电层，覆盖所述电流阻挡层且与所述第二半导体层电性连接；/n布拉格反射层，设置于所述透明导电层上，并具有多个贯穿所述布拉格反射层的第一贯穿孔而暴露出部分的所述透明导电层，所述第一贯穿孔对应所述电流阻挡层设置，且所述第一贯穿孔投影到磊晶层的范围位于所述电流阻挡层投影到所述磊晶层的范围之内；/n第一电极，电性连接于所述第一半导体层；以及/n第二电极，其位于所述布拉格反射层上，且通过所述多个第一...
【技术特征摘要】
20150217 US 62/116923;20150417 US 62/1487611.一种具有布拉格反射镜的发光二极管，其特征在于，包括：
磊晶层，具有第一半导体层、发光层以及第二半导体层；
多个电流阻挡层，设置于所述第二半导体层上，所述电流阻挡层互不连接；
透明导电层，覆盖所述电流阻挡层且与所述第二半导体层电性连接；
布拉格反射层，设置于所述透明导电层上，并具有多个贯穿所述布拉格反射层的第一贯穿孔而暴露出部分的所述透明导电层，所述第一贯穿孔对应所述电流阻挡层设置，且所述第一贯穿孔投影到磊晶层的范围位于所述电流阻挡层投影到所述磊晶层的范围之内；
第一电极，电性连接于所述第一半导体层；以及
第二电极，其位于所述布拉格反射层上，且通过所述多个第一贯穿孔电性连接于所述透明导电层。
2.根据权利要求1所述的具有布拉格反射镜的发光二极管，其特征在于，所述第一贯穿孔之间的间距不为定值。
3.根据权利要求1所述的具有布拉格反射镜的发光二极管，其特征在于，相邻二所述电流阻挡层之间具有一间距，所述间距与所述第一贯穿孔在垂直方向上为错位设置。
4.一种具有布拉格反射镜的发光二极管的制造方法，其特征在于，包括：
生长磊晶层，所述磊晶层具有第一半导体层、发光层以及第二半导体层；
生长电流阻挡层在所述第二半导体层上；
蚀刻所述电流阻挡层而形成多个互不相连的电流阻挡层而暴露出部分所述第二半导体层；
生长透明导电层在所述电流阻挡层与所述第二半导体层上；
生长布拉格反射层在所述透明导电层上；以及
利用光阻举离制程(Photoresistlift-off)方式,形成多个第一贯穿孔贯穿所述布拉格反射层而暴露出部分所述透明导电层；
其中，所述第一贯穿孔对应于所述电流阻挡层，且所述电流阻挡层之间的间距与所述第一贯穿孔在垂直方向上为错位设置。
5.根据权利要求4所述的具有布拉格反射镜的发光二极管的制造方法，其特征在于，所述第一贯穿孔之间的间距不为定值。
6.一种具有布拉格反射镜的发光二极管，其特征在于，包...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄逸儒，黄冠杰，沈志铭，庄东霖，麦宏全，黄靖恩，丁绍滢，
申请(专利权)人：新世纪光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71
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