发光元件制造技术

本发明专利技术提供一种发光元件，包括一磊晶结构、一黏着层、一第一反射层、一第二反射层、一阻挡层、一第一电极以及一第二电极；磊晶结构包括一基板、一第一半导体层、一发光层以及一第二半导体层；黏着层设置于磊晶结构的第二半导体层上；第一反射层设置于黏着层上；第二反射层设置于第一反射层上且延伸至黏着层上；自第二反射层朝磊晶结构的方向定义一投影方向；第二反射层在投影方向上的投影面积大于第一反射层在投影方向上的投影面积；阻挡层设置于第二反射层上且具有导电性；第一电极电性连接于第一半导体层；第二电极电性连接于第二半导体层。本发明专利技术可利用第二反射层有效增加整体的反射面积，进而提升发光元件的整体出光效率。

Light emitting element

【技术实现步骤摘要】
发光元件本专利技术专利申请是申请日为2016年2月17日，申请号为201610088344.1的名为“发光元件”的专利技术专利申请的分案申请。
本专利技术关于一种发光元件，尤指一种可有效增加反射面积的发光元件。
技术介绍
请参阅图1，图1为现有技术的发光元件1的示意图。如图1所示，发光元件1包括一磊晶结构10、一欧姆接触层12、一反射层14、一阻挡层16以及二电极18，其中欧姆接触层12、反射层14、阻挡层16与电极18都设置于磊晶结构10上。反射层14用以将磊晶结构10的发光层100发出的光线反射，阻挡层16则用以吸收光线。一般而言，反射层14的材料为具有高反射率的银或银合金。由于银的化学性质较为活泼，在高温时不稳定，容易乱窜，因此，现有技术会将反射层14的面积限制在一定的范围内，以避免反射层14在后续制程中因温度提高而流窜至磊晶结构10，进而影响出光表现。相对地，反射层14的反射面积也受到限制，可反射的光线有限，使得发光元件1的整体出光效率无法有效提升。
技术实现思路
本专利技术提供一种可有效增加反射面积的发光元本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发光元件，其特征在于，包括：/n一磊晶结构，包括一基板、一第一半导体层、一发光层以及一第二半导体层；/n一透明导电层，设置于所述磊晶结构的所述第二半导体层上；/n一第一反射层，设置于所述透明导电层上；/n一布拉格反射层，设置于所述第一反射层上且延伸至所述透明导电层上，自所述布拉格反射层朝所述磊晶结构的方向定义一投影方向，所述布拉格反射层在所述投影方向上的投影面积分别大于所述第一反射层及所述黏着层在所述投影方向上的投影面积；/n一阻挡层，设置于所述布拉格反射层上且不具有导电性，所述阻挡层的材料包括金属或合金；/n一第一电极，电性连接于所述第一半导体层；以及/n一第二电极，经由所述第一反射...

【技术特征摘要】
20150217 US 62/116,9231.一种发光元件，其特征在于，包括：
一磊晶结构，包括一基板、一第一半导体层、一发光层以及一第二半导体层；
一透明导电层，设置于所述磊晶结构的所述第二半导体层上；
一第一反射层，设置于所述透明导电层上；
一布拉格反射层，设置于所述第一反射层上且延伸至所述透明导电层上，自所述布拉格反射层朝所述磊晶结构的方向定义一投影方向，所述布拉格反射层在所述投影方向上的投影面积分别大于所述第一反射层及所述黏着层在所述投影方向上的投影面积；
一阻挡层，设置于所述布拉格反射层上且不具有导电性，所述阻挡层的材料包括金属或合金；
一第一电极，电性连接于所述第一半导体层；以及
一第二电极，经由所述第一反射层及所述透明导电层电性连接于所述第二半导体层。


2.一种发光元件，其特征在于，包括：
一磊晶结构，包括一基板、一第一半导体层、一发光层以及一第二半导体层；
一透明导电层，设置于所述磊晶结构的所述第二半导体层上；
一第一反射层，设置于所述透明导电层上；
一布拉格反射层，设置于所述透明导电层上且延伸至所述磊晶结构之所述第一半导体层上，自所述布拉格反射层朝所述磊晶结构的方向定义一投...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄逸儒，庄东霖，沈志铭，许圣宗，黄冠杰，黄靖恩，
申请(专利权)人：新世纪光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71