等离子体处理装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供了一种等离子体处理装置，包括：气路部件，气路部件为环形腔体结构，气路部件具有多个第一出气孔和多个第二出气孔，多个第一出气孔沿环形腔体周向间隔分布，且第一出气孔贯穿环形腔体的下壁，第一出气孔的轴线与环形腔体的轴线平行；多个第二出气孔沿环形腔体周向间隔分布，且第二出气孔的轴线与环形腔体的轴线形成一倾斜角。从多个第一出气孔出来的气流沿环形腔体的轴线方向竖直吹向晶圆的周边区域；从多个第二出气孔出来的气流向晶圆圆心方向倾斜，增大了晶圆中心区域的气流，从而提高晶圆中心区域的活化度，使晶圆表面的活化度趋于一致，使待键合的晶圆的表面键合力均匀，进而提高键合质量。

Plasma treatment device

【技术实现步骤摘要】
等离子体处理装置
本技术属于集成电路制造
，具体涉及一种等离子体处理装置。
技术介绍
半导体制造领域中，硅硅直接键合技术(Silicondirectbonding，SDB)发挥着越来越重要的作用。SDB健合可以使经过抛光的半导体晶圆在不使用粘结剂的情况下结合在一起。该技术可以广泛应用于微电子、微机械、光电子等诸多领域。硅硅直接键合可在低温或常温下进行，相容性好，极少产生应力。硅硅直接键合与晶圆的表面能密切相关，通常采用活化技术来提高表面能，常采用等离子体干法活化技术处理晶圆表面，能较好地提高键合质量。采用等离子体处理装置活化处理晶圆表面的实际工艺中，存在等离子体处理装置的腔体中流入晶圆表面的等离子体气体的气流不均匀，例如晶圆中心区域的气流较少，如图1所示，导致晶圆中心区域的活化度低，从而使待键合的晶圆的中心区域键合力弱，影像键合质量。由于晶圆的部分表面未激活，键合后的叠片晶圆可能会出现脱落或者碎片，给晶圆制造商带来经济损失，间接增加了晶圆的生产成本。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种等离子体处理装置，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种等离子体处理装置，包括相对设置的上电极和下电极，其特征在于，所述等离子体处理装置还包括：/n气路部件，所述气路部件为环形腔体结构，所述气路部件环绕所述上电极的外周设置，所述气路部件具有多个第一出气孔和多个第二出气孔，多个所述第一出气孔沿所述环形腔体周向间隔分布，且所述第一出气孔贯穿所述环形腔体的下壁，所述第一出气孔的轴线与所述环形腔体的轴线平行；多个所述第二出气孔沿所述环形腔体周向间隔分布，且所述第二出气孔的轴线与所述环形腔体的轴线形成一倾斜角，所述第二出气孔贯穿所述环形腔体的下壁从而形成从上开口至下开口的贯通孔，且所述上开口至所述环形腔体的轴线的距离大于所述下开口至所述环形腔体的轴线...

【技术特征摘要】
1.一种等离子体处理装置，包括相对设置的上电极和下电极，其特征在于，所述等离子体处理装置还包括：
气路部件，所述气路部件为环形腔体结构，所述气路部件环绕所述上电极的外周设置，所述气路部件具有多个第一出气孔和多个第二出气孔，多个所述第一出气孔沿所述环形腔体周向间隔分布，且所述第一出气孔贯穿所述环形腔体的下壁，所述第一出气孔的轴线与所述环形腔体的轴线平行；多个所述第二出气孔沿所述环形腔体周向间隔分布，且所述第二出气孔的轴线与所述环形腔体的轴线形成一倾斜角，所述第二出气孔贯穿所述环形腔体的下壁从而形成从上开口至下开口的贯通孔，且所述上开口至所述环形腔体的轴线的距离大于所述下开口至所述环形腔体的轴线的距离。


2.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，多个所述第一出气孔在所述环形腔体的下壁的外侧分布，多个所述第二出气孔在所述述环形腔体的下壁的内侧分布。


3.如权利要求2所述的等离子体处理装置，其特征在于，多个所述第一出气孔分布在同一个圆上。


4.如权利要求2所述的等离子体处理装置，其特征在于，多...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘洋，
申请(专利权)人：武汉新芯集成电路制造有限公司，
类型：新型
国别省市：湖北;42