【技术实现步骤摘要】
吸附装置及半导体设备
本技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种吸附装置及半导体设备。
技术介绍
在半导体生产中，干法刻蚀是一种用来图案化晶圆表面的膜层的刻蚀方法。干法刻蚀一般在等离子刻蚀设备中进行，等离子刻蚀设备的反应腔体内设置有吸附本体，所述吸附本体用于吸附一待刻蚀的晶圆并对晶圆的温度进行控制。所述吸附本体内部的材质一般为铝，其表面覆盖有陶瓷涂层以防止刻蚀过程中等离子体接触吸附本体时将铝击出，进而避免铝接触到晶圆表面时对晶圆的加工工艺造成影响，导致晶圆产生缺陷，影响晶圆的良率。所述吸附本体上一般设置有安装孔，在所述安装孔底部设置有用于与反应腔体连接的螺纹孔，故在对等离子刻蚀设备的反应腔体进行保养时，需要利用力矩扳手先将反应腔体内的吸附本体拆下，而在实际安装过程中，由于吸附本体上的安装孔的空间狭小，无法保证手握力矩扳手进行安装时，力矩扳手与螺纹孔上的螺钉所在的平面能完全垂直，由于从不同角度锁紧螺钉会有实际锁紧力的偏差，导致力矩头与吸附本体的表面产生碰撞，对其表面的陶瓷涂层造成损伤，进而影响到晶圆的良率，造成经济损失。
【技术保护点】
1.一种吸附装置，其特征在于，包括吸附本体及保护套，所述吸附本体包括位于中心的吸附区及环绕所述吸附区的安装区，所述安装区上设置有陶瓷涂层及若干安装孔，所述安装孔从所述安装区的上表面延伸进所述安装区内部，所述陶瓷涂层覆盖所述安装孔的侧壁并延伸覆盖所述安装区的上表面，所述保护套覆盖至少一个所述安装孔侧壁上的陶瓷涂层。/n
【技术特征摘要】
1.一种吸附装置，其特征在于，包括吸附本体及保护套，所述吸附本体包括位于中心的吸附区及环绕所述吸附区的安装区，所述安装区上设置有陶瓷涂层及若干安装孔，所述安装孔从所述安装区的上表面延伸进所述安装区内部，所述陶瓷涂层覆盖所述安装孔的侧壁并延伸覆盖所述安装区的上表面，所述保护套覆盖至少一个所述安装孔侧壁上的陶瓷涂层。
2.如权利要求1所述的吸附装置，其特征在于，所述保护套包括环形件、若干柱状件及若干通孔，所述柱状件的一端设置于所述环形件环面上，另一端沿垂直于所述环形件环面的方向伸出；
所述环形件覆盖所述安装区的上表面，所述柱状件伸入所述安装孔中以覆盖所述安装孔侧壁上的陶瓷涂层，所述通孔与所述安装孔的位置对应并贯穿所述柱状件及所述环形件。
3.如权利要求2所述的吸附装置，其特征在于，所述安装区上表面的边缘沿垂直于所述吸附本体表面的方向向上凸起形成一环形脊，所述保护套位于所述环形脊内，且所述环形件的边缘与所述环形脊的侧壁接触。
4.如权利要求3所述的吸附...
【专利技术属性】
技术研发人员：汤介峰，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：上海;31
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