LED灯珠制备方法技术

本发明专利技术提供了一种LED灯珠制备方法，包括：S10将LED芯片按规则排列于基板表面，LED芯片的发光侧表面朝上；S20在LED芯片发光侧表面点硅胶；S30将切割为预设大小的荧光膜片依次贴于各LED芯片表面，覆盖LED芯片的发光表面，并于荧光膜片和LED芯片的相接界面上形成类三角硅胶层；S40于LED芯片之间填充高反射白胶，直到与荧光膜片的高度持平；S50根据LED芯片之间的切割道进行切割得到单颗LED灯珠。其通过贴膜的方式将荧光粉覆盖在LED芯片的发光侧表面，提高LED灯珠的出光均匀性，使制备得到的LED灯珠光斑均匀；且在荧光膜片和LED芯片的相接界面上形成类三角硅胶层，大大提升了LED灯珠的亮度。

Preparation method of LED lamp beads

【技术实现步骤摘要】
LED灯珠制备方法
本专利技术涉及LED
，尤其是一种LED灯珠制备方法。
技术介绍
在将蓝光LED芯片封装成白光LED灯珠中，需要在蓝光LED芯片表面封装荧光粉，在蓝光的激发下发出白光。目前，荧光粉的封装方式包括点荧光粉工艺和喷涂荧光粉工艺，但是这两种工艺都会出现荧光粉在LED芯片表面或四周不均匀现象，导致LED灯珠的光斑不均匀。
技术实现思路
为了克服以上不足，本专利技术提供了一种LED灯珠制备方法，有效解决LED灯珠光斑不均匀的技术问题。本专利技术提供的技术方案为：一种LED灯珠制备方法，包括：S10将LED芯片按规则排列于基板表面，所述LED芯片的发光侧表面朝上；S20在LED芯片发光侧表面点硅胶；S30将切割为预设大小的荧光膜片依次贴于各LED芯片表面，覆盖所述LED芯片的发光表面，并于所述荧光膜片和LED芯片的相接界面上形成类三角硅胶层；S40于所述LED芯片之间填充高反射白胶，直到与所述荧光膜片的高度持平；S50根据LED芯片之间的切割道进行切割得到单颗LED灯珠。在本专利技术提供的LED灯珠制备方法中，至少能够带来以下有益效果：1.通过贴膜的方式将荧光粉覆盖在LED芯片的发光侧表面，提高LED灯珠的出光均匀性，使制备得到的LED灯珠光斑均匀；2.在荧光膜片和LED芯片的相接界面上形成类三角硅胶层，大大提升了LED灯珠的亮度；3.在LED芯片四周围高反射白胶，将五面出光的LED芯片改善为单面发光；4.当LED芯片为硅衬底时，四周围设的高反射白胶能够有效改善硅衬底吸光的问题。附图说明图1～4为本专利技术中白光LED芯片制备方法一实施例流程示意图。图5～6为本专利技术中白光LED芯片制备方法另一实施例流程示意图。附图标记：1-基板，2-LED芯片，3-荧光膜片，4-硅胶层，5-高反射白胶，6-透镜。具体实施方式为了更清楚地说明本专利技术实施案例或现有技术中的技术方案，下面将对照附图说明本专利技术的具体实施方式。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图，并获得其他的实施方式。如图1～4所示为本专利技术提供的LED灯珠制备方法一种实施例流程示意图，如图所示，该制备方法中包括：S10将LED芯片2按规则排列于基板1表面，LED芯片2的发光侧表面朝上，如图1所示。具体，LED芯片22排列的形状、间距根据实际需求进行调整，这里不做限定。基板1可以为陶瓷基板、PCT、EMC、SMC等，根据实际情况进行选定。S20在LED芯片2发光侧表面点硅胶。对于点的硅胶的量，不做定量限定，只要其在LED芯片2发光侧表面自然流开后占LED芯片2表面积的0.5～0.75即可，硅胶的粘度为1500～4500m.Pas。S30将切割为预设大小的荧光膜片3依次贴于各LED芯片2表面，覆盖LED芯片2的发光表面，并于荧光膜片3和LED芯片2的相接界面上形成类三角硅胶层4，如图2所示。为了保证LED芯片2的发光效果，荧光膜片3较LED芯片2面积大，具体荧光膜片3的长和宽比LED芯片2的长和宽大50～300μm，确保荧光膜片3能够全覆盖LED芯片2的发光表面。且该荧光膜片3由一定质量比(硅胶:黄粉:红粉＝1:0.8～2.2:0.1～1.6)的硅胶和荧光粉制备而成，厚度范围为30～150μm。在制备过程中，首先，将一定质量比的硅胶和荧光粉均匀搅拌并真空脱泡，于一支撑膜表面涂覆，形成预设厚度的荧光胶层；之后，对荧光胶层进行烘烤(如在150℃下烘烤1h)得到整张荧光膜片3；最后，根据LED芯片2的大小对整张荧光膜片3进行切割，得到预设大小的荧光膜片3。要注意的是，要根据LED芯片2发光侧表面电极的分布，对预设大小的荧光膜片3进行进一步切割，得到与LED芯片2发光侧表面匹配的荧光膜片3，如，当LED芯片2为垂直结构芯片时，需要将芯片发光侧表面的电极部位去除切割。S40于LED芯片2之间填充高反射白胶5，直到与荧光膜片3的高度持平，如图3所示。S50根据LED芯片2之间的切割道进行切割得到单颗LED灯珠，如图4所示。在另一实施例中，在步骤S40之后，还包括于LED芯片2表面压膜形成透镜6的步骤，如图5所示，之后切割得到如图6所示的单颗LED灯珠。在一实例中，包括以下步骤：1.将质量比为1:1:0.4的硅胶、黄粉和红粉称量好，均匀搅拌并真空脱泡；放在一支撑膜上将刮出荧光胶层，设定刮刀高度，刮出厚度为100μm的荧光膜片，并将其在温度150℃下烘烤1h。对烘烤后的荧光膜片进行切割，得到单颗的荧光膜片，尺寸(长和宽)比芯片大150μm。2.将荧光膜片从支撑膜表面翻至蓝膜上，并从蓝膜上翻到高温泡发膜上。3.将倒装57mil芯片按照一定的距离共晶于陶瓷基板上，并清洗好助焊剂熔渣。4.将含有荧光膜片的高温泡发膜放入烤箱150℃下烘烤5min，使荧光膜片与高温泡发膜之间基本没有粘性，荧光膜片能够从高温发泡膜上取出。5.将配好的透明硅胶点在LED芯片发光侧表面，并控制好胶量，使其自然流开后为LED芯片发光侧表面积的0.6。6.将单颗荧光膜片贴装于LED芯片发光侧表面并放入150℃的烤箱烘烤1h，期间，芯片表面的硅胶由于荧光膜片的挤压沿着荧光膜片和LED芯片的的边界流开，形成如图2所示的类三角形硅胶层(碗杯状)。7.将搅拌好的高反射白胶划在LED芯片之间，并确定高反射白胶未溢出至荧光膜片表面，并在150℃下烘烤2h。当然，若高反射白胶溢出荧光膜片，后续可对其进行研磨，将荧光膜片表面的高反射白胶去除。8.将陶瓷基板进行测试、切割、分选、编带及入库。这之前，若需要透镜，则在高反射白胶烘烤完成之后进行压膜操作并烘烤。在另一实例中，包括以下步骤：1.将质量比为1:1.5:0.43的硅胶、黄粉和红粉称量好，均匀搅拌并真空脱泡；放在一支撑膜上将刮出荧光胶层，设定刮刀高度，刮出厚度为100μm的荧光膜片，并将其在温度150℃下烘烤1h。对烘烤后的荧光膜片进行切割，得到单颗的荧光膜片，尺寸(长和宽)比芯片大150μm；并于荧光膜片表面将电极孔的位置用激光切割出来。2.将荧光膜片从支撑膜表面翻至蓝膜上，并从蓝膜上翻到高温泡发膜上。3.将硅基56mil芯片按照一定的距离共晶于陶瓷基板上，清洗好助焊剂熔渣，并用金线将芯片的电极与陶瓷底板连接。4.将含有荧光膜片的高温泡发膜放入烤箱150℃下烘烤5min，使荧光膜片与高温泡发膜之间基本没有粘性，荧光膜片能够从高温发泡膜上取出。5.将配好的透明硅胶点在芯片发光侧表面，并控制好胶量，使其自然流开后为芯片发光侧表面积的0.6。6.将单颗荧光膜片贴装于芯片发光侧表面并放入150℃的烤箱烘烤1h，期间，芯片表面的硅胶由于荧光膜片的挤压沿着荧光膜片和LED芯本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种LED灯珠制备方法，其特征在于，包括：/nS10将LED芯片按规则排列于基板表面，所述LED芯片的发光侧表面朝上；/nS20在LED芯片发光侧表面点硅胶；/nS30将切割为预设大小的荧光膜片依次贴于各LED芯片表面，覆盖所述LED芯片的发光表面，并于所述荧光膜片和LED芯片的相接界面上形成类三角硅胶层；/nS40于所述LED芯片之间填充高反射白胶，直到与所述荧光膜片的高度持平；/nS50根据LED芯片之间的切割道进行切割得到单颗LED灯珠。/n

【技术特征摘要】
1.一种LED灯珠制备方法，其特征在于，包括：
S10将LED芯片按规则排列于基板表面，所述LED芯片的发光侧表面朝上；
S20在LED芯片发光侧表面点硅胶；
S30将切割为预设大小的荧光膜片依次贴于各LED芯片表面，覆盖所述LED芯片的发光表面，并于所述荧光膜片和LED芯片的相接界面上形成类三角硅胶层；
S40于所述LED芯片之间填充高反射白胶，直到与所述荧光膜片的高度持平；
S50根据LED芯片之间的切割道进行切割得到单颗LED灯珠。


2.如权利要求1所述的LED灯珠制备方法，其特征在于，所述荧光膜片的长和宽比LED芯片的长和宽大50～300μm。


3.如权利要求1或2所述的LED灯珠制备方法，其特征在于，在步骤S10之前还包括：
S01将一定质量比的硅胶和荧光粉均匀搅拌，并于一支撑...

【专利技术属性】
技术研发人员：江柳杨，赵汉民，
申请(专利权)人：江西省晶能半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：江西;36