IC集成封装不需要外接电源的LED灯珠结构制造技术

本实用新型专利技术属于IC芯片封装技术领域，尤其涉及IC集成封装不需要外接电源的LED灯珠结构，包括驱动电路和基板结构，包括驱动电路设置在基板结构上，驱动电路包括电源、桥式整流器、采样调整电路和IC驱动芯片，电源与桥式整流器连接整流，桥式整流器与采样调整电路连接，采样调整电路与IC驱动芯片连接，桥式整流器接地，桥式整流器与采样调整电路间设置电容C1进行滤波，电容C1另一端接地，IC驱动芯片通过Vdd端口与电容C2连接，电容C2另一端接地。本实用新型专利技术的有益效果：通过IC驱动芯片，来调控通过LED的电流，LED发光体部分无需外部偏置电路，可直接用市电驱动，大量的节省了外部元器件，系统应用极其简单。

IC integrated package does not need external power supply LED lamp structure

The utility model belongs to the technical field of IC chip package, in particular to a LED lamp structure of IC integrated package does not need external power supply, including the drive circuit and the substrate structure, including the drive circuit is arranged on the substrate, the driving circuit comprises a power supply, a bridge rectifier, sampling adjustment circuit and IC driver chip, the power supply is connected with a bridge rectifier rectifier, a bridge rectifier is connected with sampling regulating circuit, sampling regulating circuit and IC driver chip connected to bridge rectifier grounding, bridge rectifier and sampling regulating circuit is arranged between the capacitor C1 filter capacitor C1, the other end is grounded, the IC driver chip through the Vdd port is connected with a capacitor C2, a capacitor C2 on the other end of the ground. The utility model has the advantages of the IC driver chip to control the current through the LED, LED luminous body part without external bias circuit, can be directly driven by electricity, save a lot of external components, the system application is very simple.

【技术实现步骤摘要】

本技术属于IC芯片封装
，尤其涉及IC集成封装不需要外接电源的LED灯珠结构。
技术介绍
COB为ChipOnBoard的缩写，即板上芯片器，工艺过程首先是在基底表面用导热环氧树脂(一般用掺银颗粒的环氧树脂)覆盖硅片安放点，然后将硅片直接安放在基底表面，热处理至硅片牢固地固定在基底为止，随后再用丝焊的方法在硅片和基底之间直接建立电气连接.传统LED灯珠COB产品，在做成成品灯具后需要外接恒流源或者恒压源，将交流电转换为驱动LED发光的直流电源。LED在正常工作的同时会遇到以下情况：1.电源在工作时，转换效率直接会影响整灯的效率，市场上的电源绝大部分的转换效率为75-85％。2.随着目前照明市场部分灯具对体积不断缩小、价格的降低、高转换效率的要求，需要非隔离方案，提高转换效率，缩减的体积逐渐，满足不同户的需要但产品的，但适应性较差，仅适用于单一规格瓦数，设计的LED灯珠瓦数变更时，需更设计和更换陶瓷基板，造成资源浪费。
技术实现思路
为要解决的上述问题，针对以上问题，本技术提供IC集成封装不需要外接电源的LED灯珠结构，可以适用于多种瓦数，有效的解决因为瓦数不同导致多种陶瓷基板的情况，达到合理高效统一的目的。本技术的技术方案：IC集成封装不需要外接电源的LED灯珠结构，包括驱动电路和基板结构，所述驱动电路设置在所述基板结构上，所述驱动电路包括电源、桥式整流器、采样调整电路和IC驱动芯片，所述电源与桥式整流器连接整流，所述桥式整流器与所述采样调整电路连接，所述采样调整电路与所述IC驱动芯片连接，所述桥式整流器接地，所述桥式整流器与所述采样调整电路间设置电容C1进行滤波，所述电容C1另一端接地，所述IC驱动芯片通过Vdd端口与电容C2连接，所述电容C2另一端接地；所述采样调整电路包括采样电阻R1、R2和R3、调节电阻R4，开关SW0、SW1、SW2、SW3和外部电阻Rset，所述采样电阻R1、R2和R3串联，采样电阻R3接地，所述调节电阻R4与所述采样电阻R1、R2和R3并联，所述采样电阻R1、R2和R3串联和所述调节电阻R4均与所述IC驱动芯片连接，所述IC驱动芯片通过Iset端口与外部电阻Rset连接，所述外部电阻Rset另一端接地,所述IC驱动芯片通过G端口接地，所述IC驱动芯片通端口与开关SW0、SW1、SW2、SW3连接。所述基板结构包括基板、蚀刻线路、LED发光芯片放置区、驱动芯片放置区、元件焊接放置区、接触点，所述基板内置所述蚀刻线路，所述LED发光芯片放置区、所述驱动芯片放置区、所述元件焊接放置区、所述接触点均设置在所述基板上，所述LED发光芯片放置区内放置多个LED发光芯片，所述驱动芯片放置区放置有IC驱动芯片，所述电源通过桥式整流器经过蚀刻线路与所述IC驱动芯片连接，所述LED发光芯片放置区外设置导通线路区,所述元件焊接放置区为多个，每个所述焊接放置区的周边设置接触点，所述蚀刻线路连通所述元件焊接放置区，所述蚀刻线路汇总区连接地线。所述元件焊接放置区和所述接触点上均设置镀银层，所述镀银层为0.1-0.5mm，所述LED发光芯片放置区内放置多个LED发光芯片的10-18W，所述元件焊接放置区放置元器件，所述元器件为多个均与所述IC驱动芯片连接，所述基板为陶瓷基板。所述基板的尺寸30mmx30mm，所述采样电阻R1、R2和R3为2.0-4.0兆欧，所述调节电阻R4为10-20千欧，所述外部电阻Rset为80-200千欧。本技术的有益效果：设计合理，通过IC驱动芯片，检测经整流的220v的交流市电电压，来调控通过LED的电流，使得通过LED的电流在相位和输入电压是一致的，实现了高功率因数和高效率。LED发光体部分无需外部偏置电路，可直接用市电驱动，大量的节省了外部元器件，系统应用及其简单。附图说明图1是本技术的驱动电路的电路图。图2是本技术的基板结构示意图。图中，1、基板，2、蚀刻线路，3、LED发光芯片放置区，4、驱动芯片放置区，5、元件焊接放置区，6、接触点，7、LED发光芯片，8、IC驱动芯片，9、导通线路区，10、蚀刻线路汇总区、11、电源，12、基板结构，13、桥式整流器，14、采样调整电路。具体实施方式下面结合附图对本技术的具体实施方式做出说明。IC集成封装不需要外接电源的LED灯珠结构，包括驱动电路和基板结构，驱动电路设置在基板结构上，驱动电路包括电源、桥式整流器、采样调整电路和IC驱动芯片，电源与桥式整流器连接整流，桥式整流器与采样调整电路连接，采样调整电路与IC驱动芯片连接，桥式整流器接地，桥式整流器与采样调整电路间设置电容C1进行滤波，电容C1另一端接地，IC驱动芯片通过Vdd端口与电容C2连接，电容C2另一端接地，采样调整电路包括采样电阻R1、R2和R3、调节电阻R4，开关SW0、SW1、SW2、SW3和外部电阻Rset，采样电阻R1、R2和R3串联，采样电阻R3接地，调节电阻R4与采样电阻R1、R2和R3并联，采样电阻R1、R2和R3串联和调节电阻R4均与IC驱动芯片连接，IC驱动芯片通过Iset端口与外部电阻Rset连接，外部电阻Rset另一端接地,IC驱动芯片通过G端口接地，IC驱动芯片通端口与开关SW0、SW1、SW2、SW3连接。基板结构包括基板、蚀刻线路、LED发光芯片放置区、驱动芯片放置区、元件焊接放置区、接触点，基板内置蚀刻线路，LED发光芯片放置区、驱动芯片放置区、元件焊接放置区、接触点均设置在基板上，LED发光芯片放置区内放置多个LED发光芯片，驱动芯片放置区放置有IC驱动芯片，电源通过桥式整流器经过蚀刻线路与IC驱动芯片连接，LED发光芯片放置区外设置导通线路区,元件焊接放置区为多个，每个焊接放置区的周边设置接触点，蚀刻线路连通元件焊接放置区，蚀刻线路汇总区连接地线。元件焊接放置区和接触点上均设置镀银层，镀银层为0.1-0.5mm，LED发光芯片放置区内放置多个LED发光芯片的10-18W，元件焊接放置区放置元器件，元器件为多个均与驱动芯片连接，基板为陶瓷基板。基板的尺寸30mmx30mm，采样电阻R1、R2和R3为2.0-4.0兆欧，调节电阻R4为10-20千欧，外部电阻Rset为80-200千欧。使用例：图1是本技术的驱动电路的电路图，电源经桥式整流器整流后的220VAC市电直接加到IC驱动芯片上，采样电阻R1、R2和R3对交流市电进行采样。采样到的电压经过IC内部电路判断处理，打开对应的开关SW0～SW3。通过开关SW0～SW3的电流和电流I0～I3各自分别对应，并且I0到I3电流呈台阶上升，在相位上和220VAC市电一致，实现了高达98％的功率因数。在不同阶段上点亮发光芯片，从而大大提高整灯的效率。把所有把传统意义上使用的外置电源的元器件同LED发光体设计到一个平面上，LED发光体由多个LED发光芯片组成，陶瓷基板内置蚀刻线路，陶瓷基板的尺寸30mmx30mm，线路设计的尺寸，最大限度的解决电流在传输过程散热的问题LED发光芯片放置区域内放置多个LED发光芯片为10-18W，根据客户的需求进行调整，可以根据客户的要求最大做到18W，同时元件焊接放置区内放置的每个元器件周边都专门设计的接触点本文档来自技高网...

【技术保护点】
IC集成封装不需要外接电源的LED灯珠结构，其特征在于包括驱动电路和基板结构，所述驱动电路设置在所述基板结构上，所述驱动电路包括电源、桥式整流器、采样调整电路和IC驱动芯片，所述电源与桥式整流器连接整流，所述桥式整流器与所述采样调整电路连接，所述采样调整电路与所述IC驱动芯片连接，所述桥式整流器接地，所述桥式整流器与所述采样调整电路间设置电容C1进行滤波，所述电容C1另一端接地，所述IC驱动芯片通过Vdd端口与电容C2连接，所述电容C2另一端接地；所述采样调整电路包括采样电阻R1、R2和R3、调节电阻R4，开关SW0、SW1、SW2、SW3和外部电阻Rset，所述采样电阻R1、R2和R3串联，采样电阻R3接地，所述调节电阻R4与所述采样电阻R1、R2和R3并联，所述采样电阻R1、R2和R3串联和所述调节电阻R4均与所述IC驱动芯片连接，所述IC驱动芯片通过Iset端口与外部电阻Rset连接，所述外部电阻Rset另一端接地,所述IC驱动芯片通过G端口接地，所述IC驱动芯片通端口与开关SW0、SW1、SW2、SW3连接。

【技术特征摘要】
1.IC集成封装不需要外接电源的LED灯珠结构，其特征在于包括驱动电路和基板结构，所述驱动电路设置在所述基板结构上，所述驱动电路包括电源、桥式整流器、采样调整电路和IC驱动芯片，所述电源与桥式整流器连接整流，所述桥式整流器与所述采样调整电路连接，所述采样调整电路与所述IC驱动芯片连接，所述桥式整流器接地，所述桥式整流器与所述采样调整电路间设置电容C1进行滤波，所述电容C1另一端接地，所述IC驱动芯片通过Vdd端口与电容C2连接，所述电容C2另一端接地；所述采样调整电路包括采样电阻R1、R2和R3、调节电阻R4，开关SW0、SW1、SW2、SW3和外部电阻Rset，所述采样电阻R1、R2和R3串联，采样电阻R3接地，所述调节电阻R4与所述采样电阻R1、R2和R3并联，所述采样电阻R1、R2和R3串联和所述调节电阻R4均与所述IC驱动芯片连接，所述IC驱动芯片通过Iset端口与外部电阻Rset连接，所述外部电阻Rset另一端接地,所述IC驱动芯片通过G端口接地，所述IC驱动芯片通端口与开关SW0、SW1、SW2、SW3连接。2.根据权利要求1所述的IC集成封装不需要外接电源的LED灯珠结构，其特征在于所述基板结构包括基板、蚀刻线路...

【专利技术属性】
技术研发人员：史胜利，陈晓勇，
申请(专利权)人：天津睿泽科技发展有限公司，
类型：新型
国别省市：天津;12