LED灯珠制造技术

本实用新型专利技术提供了一种LED灯珠，包括：封装基板，表面配置有导电线路；通过电极固设于封装基板表面的倒装蓝光LED芯片，倒装蓝光LED芯片的电极区域镀有铜柱；贴于LED芯片与电极侧相对的发光侧表面的荧光膜片，荧光膜片的面积较LED芯片发光侧的面积大；于荧光膜片和LED芯片四周相接处围设于LED芯片四周的透明硅胶；于荧光膜片的覆盖范围内、围设于透明硅胶四周的高反射率白胶；及压设于LED芯片和封装基板表面的硅胶透镜。该LED灯珠结合了芯片端和封装端的优势，不仅能从整体上提高光的利用率，还具有发光角度小、成本低的优势，满足更多的应用需求。应用需求。应用需求。

【技术实现步骤摘要】
LED灯珠


[0001]本技术涉及LED
，尤其是一种LED灯珠。

技术介绍

[0002]凭借高亮度、低成本等优势，LED灯珠已广泛应用于各照明场所。伴随着市场需求的增多，越来越多的终端产品对亮度提出了更高的要求，尤其是对LED灯珠的亮度需求尤为突出。
[0003]一般来说，芯片端通过优化外延和芯片结构来提升亮度；封装端通过优化封装结构，包括支架、荧光粉和硅胶选择搭配及透镜设计等来提升亮度。两种方式虽然都能一定程度上提高芯片亮度，但是在一些特定领域，依然不能满足需求。

技术实现思路

[0004]为了克服以上不足，本技术提供了一种LED灯珠，有效提升LED灯珠的亮度。
[0005]本技术提供的技术方案为：
[0006]一种LED灯珠，包括：
[0007]封装基板，表面配置有导电线路；
[0008]通过电极固设于所述封装基板表面的倒装蓝光LED芯片，所述倒装蓝光LED芯片的电极区域镀有铜柱；
[0009]贴于所述LED芯片与电极侧相对的发光侧表面的荧光膜片，所述荧光膜片的面积较LED芯片发光侧的面积大；
[0010]于所述荧光膜片和LED芯片四周相接处围设于LED芯片四周的透明硅胶；
[0011]于所述荧光膜片的覆盖范围内、围设于所述透明硅胶四周的高反射率白胶；及
[0012]压设于所述LED芯片和封装基板表面的硅胶透镜。
[0013]本技术提供的LED灯珠结合了芯片端和封装端的亮度提升工艺制备得到，其中，芯片端工艺中，在倒装蓝光LED芯片的发光侧表面贴装荧光膜片、在芯片四周围设透明硅胶和高反射率白胶；封装端工艺中，将芯片端得到的白光LED芯片固于封装基板表面后进行压膜操作。芯片端的镀铜操作加高了电极，使得围设于芯片四周的透明硅胶形成了更大的类碗杯状结构以提升芯片侧壁的出光。此外，由于在芯片端完成了荧光膜的贴片操作，能够大大降了封装端的工艺流程。制备得到的LED灯珠不仅能从整体上提高光的利用率，还具有发光角度小、成本低的优势，满足更多的应用需求。
附图说明
[0014]图1为本技术一种LED灯珠结构示意图；
[0015]图2为本技术另一种LED灯珠结构示意图；
[0016]图3为本技术另一种LED灯珠结构示意图。
[0017]附图标记：
[0018]1‑
封装基板，2
‑
倒装蓝光LED芯片，3
‑
铜柱，4
‑
荧光膜片，5
‑
透明硅胶，6
‑
高反射率白胶，7
‑
硅胶透镜。
具体实施方式
[0019]为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对照附图说明本技术的具体实施方式。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图，并获得其他的实施方式。
[0020]如图1～3所示为本技术提供的LED灯珠结构示意图，从图中可以看出，该LED灯珠包括：封装基板1，表面配置有导电线路；通过电极固设于封装基板表面的倒装蓝光LED芯片2，倒装蓝光LED芯片的电极区域镀有铜柱3(导电性强)；贴于LED芯片2与电极侧相对的发光侧表面的荧光膜片4，荧光膜片4的面积较LED芯片2发光侧的面积大；于荧光膜片4和LED芯片四周相接处围设于LED芯片2四周的透明硅胶5；于荧光膜片4的覆盖范围内、围设于透明硅胶四周的高反射率白胶6(掺杂有反射颗粒，如SiO2、TiO2等的硅胶，反射率在95％以上；高反射率白胶的四周外侧边与荧光膜的侧边齐平)；及压设于LED芯片和封装基板表面的硅胶透镜7。
[0021]在该LED灯珠中，封装基板的材质可以根据实际应用进行选定，这里不做具体限定，如一实例中该封装基板为陶瓷底板，还可以为EMC、SMC、PCT、PPA等材料制备的封装基板。铜柱通过电镀或者化学镀的方法镀于倒装蓝光LED芯片的电极区域，厚度范围为10～200μm。透明硅胶通过一弧形结构围设在荧光膜片和LED芯片相交的位置，一端边沿延伸至荧光膜片的端面，另一端边沿延伸至铜柱的端面。硅胶透镜为平面硅胶透镜或球形硅胶透镜(图1所示LED灯珠为球形透镜；图2
‑
3所示LED灯珠为平面透镜，且图3中，平面透镜与铜柱高度齐平)，根据需求进行压制。
[0022]以下对该LED灯珠的制备流程进行说明：
[0023]1：将镀有铜柱的倒装蓝光LED芯片按照一定等距离排在支撑膜表面(电极朝上)；
[0024]2：将搅拌均匀的透明硅胶倒入点胶机，于相邻LED芯片之间进行点胶(透明硅胶的高度不高于铜柱的高度)并进行烘烤；
[0025]3：将搅拌均匀的高反射率白胶倒入点胶机，于相邻LED芯片之间画白胶至覆盖整个LED芯片并烘烤；
[0026]4：将烘烤好的整片芯片从支撑膜表面移至UV膜表面(电极侧朝上)并进行研磨，直至LED芯片的铜柱露出来；
[0027]5：将研磨后的整片芯片翻转至新的支撑膜上(电极侧朝下)，将制备好的荧光膜片贴于整片芯片的发光侧表面并烘烤；
[0028]6：将固化好的整片芯片从支撑膜转置至UV切割膜上，并放入切割机进行切割得到单颗白光LED芯片；
[0029]7：按照预设的分选条件，对得到的单颗白光LED芯片进行分选贴带；
[0030]8：将已设计好的封装基板放在印刷机上，用钢网将锡膏刷在该封装基板上，之后将单颗白光LED芯片固在该封装基板上，过回流焊进行固化；
[0031]9：将固有白光LED芯片的封装基板放入压膜机中进行压膜形成硅胶透镜，压膜完
后对硅胶透镜进行固化；
[0032]10：在压制有硅胶透镜的LED灯珠进行测试、分选、贴带入库。
[0033]基于以上制备流程可知，该LED灯珠的制备结合了芯片端和封装端得到，制备得到的LED灯珠结合了芯片端和封装端的优势，不仅能从整体上提高光的利用率，还具有发光角度小、成本低的优势，满足更多的应用需求。
[0034]一实例中，封装基板为3535陶瓷底板，铜柱的厚度为100μm，则该LED灯珠的制备流程为：
[0035]1：将镀有厚度为100μm铜柱的大小为57*57mil的倒装蓝光LED芯片按照等距离排在支撑膜表面(电极朝上)，LED芯片之间的间距为1700μm；
[0036]2：将搅拌均匀的透明硅胶倒入点胶机，于相邻LED芯片之间进行点胶(透明硅胶的高度不高于铜柱的高度)，之后在150℃下烘烤1h；
[0037]3：将均匀搅拌好的白胶倒入点胶机，在两个芯片之间画白胶，胶量覆盖整个芯片上，并在温度150℃下，烘烤3h；
[0038]4：将搅拌均匀的高反射率白胶倒入点胶机，于相邻LED芯片之间画白胶至覆盖整个LED芯片并在温度150℃下，烘烤3h；将烘烤本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种LED灯珠，其特征在于，包括：封装基板，表面配置有导电线路；通过电极固设于所述封装基板表面的倒装蓝光LED芯片，所述倒装蓝光LED芯片的电极区域镀有铜柱；贴于所述LED芯片与电极侧相对的发光侧表面的荧光膜片，所述荧光膜片的面积较LED芯片发光侧的面积大；于所述荧光膜片和LED芯片四周相接处围设于LED芯片四周的透明硅胶；于所述荧光膜片的覆盖范围内、围设于所述透明硅胶四周的高反射率白胶；及压设于所述LED芯片和封装基板表面的硅胶透镜。2.如权利要求1所述的LED灯...

【专利技术属性】
技术研发人员：江柳杨，
申请(专利权)人：江西省晶能半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：