一种基于Mn掺杂双发射Ag-In-Ga-S合金量子点的白光发光二极管的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种基于Mn掺杂双发射Ag‑In‑Ga‑S合金量子点的白光发光二极管的制备方法，包括制备绿色环保型的量子点AgInGaS

A preparation method of white light-emitting diode based on Mn doped double emission ag-in-ga-s alloy quantum dots

【技术实现步骤摘要】
一种基于Mn掺杂双发射Ag-In-Ga-S合金量子点的白光发光二极管的制备方法
本专利技术涉及白光发光二极管
，具体涉及一种基于Mn掺杂双发射Ag-In-Ga-S合金量子点的白光发光二极管的制备方法。
技术介绍
白光发光二极管(WLED)具有高发光效率和长使用寿命，因此被认为是一种绿色照明光源。常规的WLED由发射蓝光的GaN基芯片和黄色的YAG：Ce荧光粉组成。磷光体将来自芯片的部分蓝光转换为黄光，并将黄光与其余的蓝光混合发出双色白光。作为新一代的发光材料，量子点已经成功地应用于WLED领域以增强器件的色彩性能。Mn掺杂的I-III-VI族量子点具有大的斯托克斯位移，因此可以避免光学自吸收，可以通过将其与蓝光LED芯片集成来获得WLED。最近，Pradhan等人合成了掺锰的CuInS2(CIS)量子点，并在600nm附近获得了有效的Mn发射峰，从而完全消除了CIS内部陷阱态的发射。在我们的实验中，为了实现双色发射的基于AgInGaS2量子点，我们合成了Mn掺杂双发射Ag-In-Ga-S四元合金量子点，其中Mn2+吸附在A本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于Mn掺杂双发射Ag-In-Ga-S合金量子点的白光发光二极管的制备方法，其特征在于：所述方法包括以下步骤，/n(1)制备得到绿色环保型量子点AgInGaS

【技术特征摘要】
1.一种基于Mn掺杂双发射Ag-In-Ga-S合金量子点的白光发光二极管的制备方法，其特征在于：所述方法包括以下步骤，
(1)制备得到绿色环保型量子点AgInGaS2；
(2)在步骤(1)的AgInGaS2量子点反应的基础上注入Mn2+原液，得到Mn掺杂双发射Ag-In-Ga-S四元合金量子点；
(3)将制备得到Mn掺杂双发射Ag-In-Ga-S四元合金量子点涂覆在蓝光发光二极管芯片上制得白光发光二极管。


2.根据权利要求1所述的一种基于Mn掺杂双发射Ag-In-Ga-S合金量子点的白光发光二极管的制备方法，其特征在于：所述步骤(1)中制备得到绿色环保型量子点AgInGaS2的具体步骤为将硝酸银、醋酸铟、乙酰丙酮镓按照摩尔比1:6:1的比例放入容器中，用滴管将2ml正十二硫醇、2ml油胺以及5ml1-十八稀加入到50ml三口圆底烧瓶内作为主反应；将三口瓶中的混合物在N2气条件下加热到80℃，开始抽真空，抽真空进行15分钟；抽真空结束后开始换气，先通氩气2分钟，再抽真空10分钟，如此循环换气3遍；换气结束通氩气一直到实验结束并加热到90℃，快速注入提前准备的1mmol的硫和2.5ml的1-十八稀混合溶液，此时溶液由澄清透明变为红褐色；继续保温90℃大约30min。


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【专利技术属性】
技术研发人员：黄高翔，黄彦，刘自磊，王进贤，秦心悦，魏加湖，李凤，
申请(专利权)人：南昌航空大学，
类型：发明
国别省市：江西;36