【技术实现步骤摘要】
显示面板及其制备方法
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种显示面板及其制备方法。
技术介绍
有机发光二极管(OrganicLight-EmittingDiode，简称：OLED)显示器由于具有广视角、高色域、低功耗等优点，正逐渐成为显示器行业的主流。当前，以金属氧化物半导体来制备沟道层的TFT(ThinFilmTransistor，薄膜晶体管)，已广泛应用于OLED显示面板中，顶栅型TFT由于寄生电容小更是成为业界首选。但是制备顶栅型TFT的阵列基板所需的光罩制程较多，目前的技术需要8道或者更多的光罩数目，成本较高。综上所述，现有技术的OLED显示面板制程中，光罩数目较多，不利于生产成本的节约，需在制备工艺和膜层结构上进行改进以减少光罩数目。
技术实现思路
本专利技术提供一种显示面板，将透明金属与源漏极金属层叠设置，进而减少一用于设置像素电极的介质层；以解决现有技术的显示面板制程中，光罩数目较多，不利于生产成本的节约的技术问题。为解决上述问题，本专利技术提供的技术方案如下：
【技术保护点】
1.一种显示面板，其特征在于，包括：/n基板，以及阵列设置在所述基板上的薄膜晶体管；/n所述薄膜晶体管的源极和/或漏极包括第一电极层和第二金属层，其中：/n所述第一电极层为透明电极层，且所述源极或所述漏极的电极层延伸至显示面板的像素开口区域。/n
【技术特征摘要】
1.一种显示面板，其特征在于，包括：
基板，以及阵列设置在所述基板上的薄膜晶体管；
所述薄膜晶体管的源极和/或漏极包括第一电极层和第二金属层，其中：
所述第一电极层为透明电极层，且所述源极或所述漏极的电极层延伸至显示面板的像素开口区域。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于：所述薄膜晶体管包括设置于所述基板上的遮光层、有源层、图案化的栅绝缘层、栅极、间绝缘层、以及所述第一电极层和所述第二金属层，其中，所述第一电极层设置在所述间绝缘层表面，所述第二金属层设置在所述第一电极层表面，所述第一电极层和所述第二金属层的叠加层图案化后形成所述源极和所述漏极。
3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于：所述显示面板为OLED显示面板，所述像素开口区域对应位于所述OLED显示面板的发光区域，所述源极或所述漏极的第一电极层延伸至所述发光区域用作OLED器件的阳极或构成像素电容的电极。
4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述发光区域还设置有第二电极层，所述二电极层与所述第一电极层形成像素电容，所述第二电极层与所述有源层位于同一膜层表面，且与所述有源层采用相同材料制备。
5.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于：所述显示面板为LCD显示面板，所述像素开口区域对应位于所述LCD显示面板的子像素区域，所述源极或所述漏极的第一电极层延伸至所述子像素...
【专利技术属性】
技术研发人员：林振国，周星宇，徐源竣，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44
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