显示装置及显示装置的制作方法制造方法及图纸

本揭示提供一种显示装置及显示装置的制作方法，所述显示装置包括衬底基板；薄膜晶体管层，设置于所述衬底基板上，包括多个薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括有源层、栅极线层和源漏电极层；显示器件层，设置于所述薄膜晶体管层远离所述衬底基板的一侧上；以及遮光层，设置于所述薄膜晶体管层与所述衬底基板之间，所述遮光层由非金属遮光材料制成，利用非金属遮光材料遮挡从衬底基板一侧入射的外界光线，防止外界光线照射有源层，同时由于非金属材料的非金属特性，不会与薄膜晶体管之间产生电容耦合效应，无需对缓冲层进行开孔将遮光层和源漏电极层连接，在增强薄膜晶体管的可靠性的同时，还可以减少一道光罩蚀刻制程，提高实际生产效率。

Display device and production method of display device

【技术实现步骤摘要】
显示装置及显示装置的制作方法
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种显示装置及显示装置的制作方法。
技术介绍
有机发光二极管(organiclight-emittingdiode，OLED)显示装置，也称为有机电致发光显示器，是一种新兴的平板显示装置，由于其具有制备工艺简单、成本低、功耗低、发光亮度高、工作温度适应范围广、体积轻薄、响应速度快，而且易于实现彩色显示和大屏幕显示、易于实现和集成电路驱动器相匹配、易于实现柔性显示等优点，因而具有广阔的应用前景。薄膜晶体管(thinfilmtransistor,TFT)作为开关器件在有机发光二极管显示装置中发挥着重要的作用。常见的薄膜晶体管包括有栅极、源极、漏极以及有源层等，而按照栅极与有源层之间的相对位置关系，可将薄膜晶体管划分为顶栅结构的薄膜晶体管和底栅结构的薄膜晶体管。顶栅薄膜晶体管中的氧化物半导体器件由于材料本身的特性，受光的影响较大，在光照情况下可靠性劣化严重。为解决光照影响问题，目前常用的方案是在薄膜晶体管区域用一层金属作为遮光层，对薄膜晶体管进行保护。但是如果将金属材料的遮光层本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种显示装置，其特征在于，包括：/n衬底基板；/n薄膜晶体管层，设置于所述衬底基板上，包括多个薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括有源层、栅极线层和源漏电极层；/n显示器件层，设置于所述薄膜晶体管层远离所述衬底基板的一侧上；以及/n遮光层，设置于所述薄膜晶体管层与所述衬底基板之间，所述遮光层由非金属遮光材料制成。/n

【技术特征摘要】
1.一种显示装置，其特征在于，包括：
衬底基板；
薄膜晶体管层，设置于所述衬底基板上，包括多个薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括有源层、栅极线层和源漏电极层；
显示器件层，设置于所述薄膜晶体管层远离所述衬底基板的一侧上；以及
遮光层，设置于所述薄膜晶体管层与所述衬底基板之间，所述遮光层由非金属遮光材料制成。


2.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述栅极线层设置于所述有源层远离所述衬底基板的一侧，所述遮光层在所述衬底基板上的正投影区域覆盖所述有源层在所述衬底基板上的正投影区域。


3.如权利要求2所述的显示装置，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括栅极绝缘层，所述栅极绝缘层在所述衬底基板上的正投影区域覆盖所述栅极线层在所述衬底基板上的正投影区域。


4.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述显示器件层包括层叠设置的阳极层、发光层和阴极层，所述发光层在所述衬底基板上的正投影区域不与所述遮光层在所述衬底基板上的正投影区域重叠。


5.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述显示装置还包括层叠设置于所述源漏电极层上的钝化保护层、平坦层和像素定义层，所述阳极层设置于所述平坦层远离所述钝化保护层的一侧上，并通过贯穿所述平坦层和所述钝化保护层的过孔与所述源漏电极层连接。


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【专利技术属性】
技术研发人员：刘兆松，徐源竣，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44