电容器制造技术

电容器(1)具有：基材(11)，其由绝缘体构成，并具有相互对置的第1主面(111)和第2主面(112)；有底的第1沟道部(14a)，其形成于基材(11)的第1主面(111)；第1导体部(14)，其形成于第1沟道部(14a)内；第1外部电极部(12)，其形成于基材(11)的第1主面(111)侧，并与第1导体部(14)连接；有底的第2沟道部(15a)，其形成于基材(11)的第2主面(112)；第2导体部(15)，其形成于第2沟道部(15a)内；以及第2外部电极部(13)，其形成于基材(11)的第2主面(112)侧，并与第2导体部(15)连接，第1沟道部(14a)与第2沟道部(15a)重叠。

Capacitor

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】电容器
本专利技术涉及电容器，特别是涉及表背面电极型的沟道式电容器。
技术介绍
以往，公知有能够使用半导体工艺而形成于半导体基板的电容器(例如专利文献1)。专利文献1的电容器以如下方式形成，例如，在硅基板形成多个凹部(所谓的沟道)，使规定硅基板的上述多个凹部的部分氧化，成为氧化硅，在相邻的凹部中一者和另一者分别形成阳极和阴极。这样的结构的电容器在本说明书中称为沟道式电容器。专利文献1的电容器能够使用半导体工艺形成，因此适于形成为半导体集成电路内的一个电路要素。另外，能够以半导体工艺的精度，实现沟道的微细化和形状管理，因此，适于提高电容器的电容密度(每单位体积的电容)和电压耐受性。在专利文献1的电容器中，构成为阳极布线和阴极布线均从硅基板的同一个主面引出。相对于此，专利文献2公开所谓的表背面电极型的电容器，其阳极布线和阴极布线分别从基板的相互对置的一个主面侧和另一个主面侧引出。表背面电极型的电容器适于构成例如电容器和寄存器串联连接而成的CR缓冲元件等复合元件。专利文献1:日本特开2009-59990号公报专利文献2:日本特许第5416840号公报然而，专利文献2的电容器通过阳极氧化而在阀金属的基材设置多个贯通孔，在贯通孔内形成柱状电极而成。因此，通过半导体工艺将该电容器形成于半导体集成电路内是不容易的。
技术实现思路
因此，本专利技术的目的在于提供能够容易使用半导体工艺形成的表背面电极型的沟道式电容器。为了实现上述目的，本专利技术的一方式的电容器具有：基材，其绝缘体构成，并具有相互对置的第1主面和第2主面；有底的第1沟道部，其形成于上述基材的上述第1主面；第1导体部，其形成于上述第1沟道部内；第1外部电极部，其形成于上述基材的上述第1主面侧，并与上述第1导体部连接；有底的第2沟道部，其形成于上述基材的上述第2主面；第2导体部，其形成于上述第2沟道部内；以及第2外部电极部，其形成于上述基材的上述第2主面侧，并与上述第2导体部连接，上述第1沟道部与上述第2沟道部重叠。另外，本专利技术的一方式的电容器具有：基材，其由绝缘体构成，并具有相互对置的第1主面和第2主面；有底的第1沟道部，其形成于上述基材的上述第1主面；第2沟道部，其形成为贯通上述基材；第1导体部，其形成于第1沟道部内；第1外部电极部，其形成于上述基材的上述第1主面侧，并与上述第1导体部连接；第2导体部，其形成于上述第2沟道部内；以及第2外部电极部，其形成于上述基材的上述第2主面侧，并与上述第2导体部连接，上述第1沟道部与上述第2沟道部重叠。根据本专利技术的电容器，可得到能够容易使用半导体工艺形成的表背面电极型的沟道式电容器。附图说明图1是表示实施方式1的电容器的构造的一个例子的立体图。图2是表示实施方式1的电容器的构造的一个例子的主视图。图3是表示实施方式1的电容器的构造的一个例子的侧视图。图4是表示实施方式1的电容器的制造方法的一个例子的工序图。图5是表示实施方式2的电容器的构造的一个例子的立体图。图6是表示实施方式2的电容器的构造的一个例子的主视图。图7是表示实施方式2的电容器的构造的一个例子的侧视图。图8是表示实施方式2的电容器的制造方法的一个例子的工序图。图9是表示实施方式3的电容器的构造的一个例子的立体图。图10是表示实施方式3的电容器的构造的一个例子的主视图。图11是表示实施方式3的电容器的制造方法的一个例子的工序图。具体实施方式以下，使用附图对本专利技术的实施方式详细地进行说明。此外，以下说明的实施方式均表示全面或者具体的例子。以下的实施方式所示的数值、形状、材料、构成要素、构成要素的配置方式和连接形式、步骤和步骤的顺序等是一个例子，不是旨在限定本专利技术。将以下的实施方式的构成要素中的独立权利要求没有记载的构成要素作为任意的构成要素而说明。(实施方式1)实施方式1的电容器是能够容易使用半导体工艺形成的表背面电极型的沟道式电容器。(电容器的构造)图1、图2和图3分别是表示实施方式1的电容器的构造的一个例子的立体图、主视图和侧视图。图2对应于沿箭头方向观察包括图1的II-II剖切线的剖切面看到的剖面，图3对应于沿箭头方向观察包括图1的III-III剖切线的剖切面看到的剖面。如图1、图2和图3所示那样，电容器1具有基材11、第1外部电极部12、第2外部电极部13、第1沟道部14a、第1导体部14、第2沟道部15a和第2导体部15。基材11由绝缘体构成，并具有相互对置的第1主面111和第2主面112。基材11作为未被限定的一个例子，也可以由厚度50μm的硅氧化物形成。第1外部电极部12在基材11的第1主面111侧形成。第2外部电极部13在基材11的第2主面112侧形成。第1外部电极部12和第2外部电极部13作为未被限定的一个例子，也可以由铝形成。第1沟道部14a是在基材11的第1主面111形成的有底的(换句话说比基材11的厚度浅)凹部。第2沟道部15a是在基材11的第2主面112形成的有底的(换句话说比基材11的厚度浅)凹部。作为未被限定的一个例子，第1沟道部14a和第2沟道部15a也可以是，俯视时的形状为在Y方向上较长的矩形的槽，深度为30μm。此外，图1～图4中的第1沟道部14a和第2沟道部15a的深度被夸张。第1沟道部14a和第2沟道部15a在包含长边方向(Y方向)的面(例如YZ面)彼此上相互对置。换句话说，第1沟道部14a和第2沟道部15a相互重叠。第1导体部14形成于第1沟道部14a内，并与第1外部电极部12连接。第2导体部15形成于第2沟道部15a内，并与第2外部电极部13连接。作为一个例子，第1导体部14和第2导体部15也可以由多晶硅形成。通过第1导体部14、第2导体部15和基材11的由第1导体部14与第2导体部15夹着的部分，形成电容显现部17。(电容器的制造方法)接下来，对电容器1的制造方法的一个例子进行说明。图4是表示电容器1的制造方法的一个例子的工序图。准备厚度50μm的硅基板11a(工序a)。通过温度1000℃、氧气气氛下的热氧化处理，使硅基板11a氧化，得到由硅氧化物构成的基材11(工序b)。通过光刻和干式蚀刻，在基材11的第1主面111形成深度30μm的槽状的第1沟道部14a(工序c)。通过CVD(ChemicalVaporDeposition)处理，在第1沟道部14a内填充多晶硅，由此形成第1导体部14(工序d)。使铝电极在基材11的第1主面111和第1导体部14上成膜，形成第1外部电极部12(工序e)。通过光刻和干式蚀刻，在基材11的第2主面112形成深度30μm的槽状的第2沟道部15a(工序f)。通过CVD处理，在第2沟道部15a内填充多晶硅，通过CMP处理，形成第2导体部15(工序g)。...

【技术保护点】
1.一种电容器，其特征在于，具有：/n基材，其由绝缘体构成，并具有相互对置的第1主面和第2主面；/n有底的第1沟道部，其形成于所述基材的所述第1主面；/n第1导体部，其形成于所述第1沟道部内；/n第1外部电极部，其形成于所述基材的所述第1主面侧，并与所述第1导体部连接；/n有底的第2沟道部，其形成于所述基材的所述第2主面；/n第2导体部，其形成于所述第2沟道部内；以及/n第2外部电极部，其形成于所述基材的所述第2主面侧，并与所述第2导体部连接，/n所述第1沟道部与所述第2沟道部重叠。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171130 JP 2017-2299301.一种电容器，其特征在于，具有：
基材，其由绝缘体构成，并具有相互对置的第1主面和第2主面；
有底的第1沟道部，其形成于所述基材的所述第1主面；
第1导体部，其形成于所述第1沟道部内；
第1外部电极部，其形成于所述基材的所述第1主面侧，并与所述第1导体部连接；
有底的第2沟道部，其形成于所述基材的所述第2主面；
第2导体部，其形成于所述第2沟道部内；以及
第2外部电极部，其形成于所述基材的所述第2主面侧，并与所述第2导体部连接，
所述第1沟道部与所述第2沟道部重叠。


2.一种电容器，其特征在于，
基材，其由绝缘体构成，并具有相互对置的第1主面和第...

【专利技术属性】
技术研发人员：芦峰智行，中川博，村濑康裕，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：日本;JP