一种基于双面金属化技术的X2抗干扰电容器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种基于双面金属化技术的X2抗干扰电容器，包括外侧壳体及通过三角互扣环连接的中央滑块；所述的中央滑块内安装有电容芯体，且两者之间设置有抗干扰防爆圈环；所述的电容芯体上下表面设置有金属化聚丙烯膜层，且芯体周围设置有纤维隔板；所述的外侧壳体顶端设置有黏结密封层和绝缘填充盖板，且被引出端接口贯穿定位，由两极连接电容芯体；本实用新型专利技术基于双面金属化技术的X2抗干扰电容器具有高频损耗小，承载电流大，电阻绝缘高的特点其双面的金属化处理在抗电压脉冲的稳定性上优化，且纤维隔板，抗干扰防爆圈环为电容提供安全保障，提高实用寿命，适合广泛推广。

A x2 anti-interference capacitor based on double-sided Metallization Technology

【技术实现步骤摘要】
一种基于双面金属化技术的X2抗干扰电容器
本技术涉及一种电容器，尤其涉及一种双面金属化技术的X2抗干扰电容器；属于电气设备

技术介绍
电容器是一种容纳电荷的器件。是电子设备中大量使用的电子元件之一，广泛应用于电路中的隔直通交，耦合，旁路，滤波，调谐回路，能量转换，控制等方面。任何两个彼此绝缘且相隔很近的导体间都构成一个电容器，其也向着高频损耗小，承载电流大，电阻绝缘高的方面不断发展，对于小型的电容器如何提高薄膜电容器的耐电流和抗脉冲能力一直是现在所研究的话题之一。
技术实现思路
(一)要解决的技术问题为解决上述问题，本技术提出了一种基于双面金属化技术的X2抗干扰电容器。(二)技术方案本技术的基于双面金属化技术的X2抗干扰电容器，包括外侧壳体及通过三角互扣环连接的中央滑块；所述的中央滑块内安装有电容芯体，且两者之间设置有抗干扰防爆圈环；所述的电容芯体上下表面设置有金属化聚丙烯膜层，且芯体周围设置有纤维隔板；所述的外侧壳体顶端设置有黏结密封层和绝缘填充盖板，且被引出端接口贯穿定位，由两极连接电容本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于双面金属化技术的X2抗干扰电容器，其特征在于：包括外侧壳体(1)及通过三角互扣环(8)连接的中央滑块(7)；所述的中央滑块(7)内安装有电容芯体(2)，且两者之间设置有抗干扰防爆圈环(3)；所述的电容芯体(2)上下表面设置有金属化聚丙烯膜层(9)，且芯体周围设置有纤维隔板(10)；所述的外侧壳体(1)顶端设置有黏结密封层(4)和绝缘填充盖板(5)，且被引出端(6)接口贯穿定位，由两极连接电容芯体(2)。/n

【技术特征摘要】
1.一种基于双面金属化技术的X2抗干扰电容器，其特征在于：包括外侧壳体(1)及通过三角互扣环(8)连接的中央滑块(7)；所述的中央滑块(7)内安装有电容芯体(2)，且两者之间设置有抗干扰防爆圈环(3)；所述的电容芯体(2)上下表面设置有金属化聚丙烯膜层(9)，且芯体周围设置有纤维隔板(10)；所述的外侧壳体(1)顶端设置有黏结密封层(4)和绝缘填充盖板(5)，且被引出端(6)接口贯穿定位，由两极连接电容芯体(2)。


2....

【专利技术属性】
技术研发人员：李超超，张晓红，吴军，郑美，
申请(专利权)人：长兴华强电子股份有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江;33