一种充电盒电磁兼容电路、充电盒以及电动汽车制造技术

本实用新型专利技术提供了一种充电盒电磁兼容电路、充电盒以及电动汽车，涉及充电盒抗干扰技术领域。该充电盒电磁兼容电路包括：产生充电控制引导CP信号的驱动电路；晶体管电路，与所述驱动电路连接；电容电路，与所述晶体管电路连接；抑制所述CP信号上干扰信号的电磁抗干扰性电路，与所述晶体管电路连接。本实用新型专利技术的方案避免了在使用充电盒充电的地点具有较大的电磁辐射时，CP信号受到较大干扰会导致逻辑判断失效，进而导致车辆无法充电，保证了充电盒工作的可靠性。

A charging box electromagnetic compatibility circuit, a charging box and an electric vehicle

【技术实现步骤摘要】
一种充电盒电磁兼容电路、充电盒以及电动汽车
本技术涉及电磁抗干扰领域，特别涉及一种充电盒电磁抗干扰技术。
技术介绍
在不可再生资源匮乏的当下，电动汽车普及率越来越高。电动汽车的一个核心即为蓄电池和蓄电池的充电技术，电动汽车接触式充电分为直流快充和交流慢充，交流慢充时可采用交流充电桩或“充电盒”将交流电连接到车载充电机上。“充电盒”，其输入端口直接连接220VAC，输出端产生与车载充电机匹配的充电确认信号后，再对车辆进行充电。由于充电盒小巧便携，充电位置不固定，因此对其电磁兼容(EMC)要求较高。CP信号是±12V的模拟信号，模拟信号极易受到干扰。当在使用其充电的地点具有较大的电磁辐射时，CP信号受到较大干扰会导致逻辑判断失效，进而导致车辆无法充电。
技术实现思路
本技术实施例提供一种充电盒电磁兼容电路、充电盒以及电动汽车，用于解决现有技术中在使用充电盒充电的地点具有较大的电磁辐射时，CP信号受到较大干扰会导致逻辑判断失效，进而导致车辆无法充电的问题。为了解决上述技术问题，本技术采用如下技术方案：本技术的实施例提供一种充电盒电磁兼容电路，包括：产生充电控制引导CP信号的驱动电路；晶体管电路，与所述驱动电路连接；电容电路，与所述晶体管电路连接；抑制所述CP信号上干扰信号的电磁抗干扰性电路，与所述晶体管电路连接。进一步的，所述驱动电路，包括：并联连接的第一电阻和第二电阻以及第三电阻。进一步的，所述晶体管电路，包括：第一MOSFET管和第二MOSFET管；所述第一电阻的一端与控制端连接，另一端与第一MOSFET管的栅极连接；所述第二电阻的一端与控制端连接，另一端与第二MOSFET管的栅极连接；所述第三电阻的一端与所述第一MOSFET管的漏极连接，并与所述第二MOSFET管的漏极连接；所述第一MOSFET管的源极与电源负极连接；所述第二MOSFET管的源极与电源正极连接。具体地，所述第一MOSFET管为N沟道MOSFET管；所述第二MOSFET管为P沟道MOSFET管。进一步的，所述电容电路，包括：第一电容和第二电容；所述第一电容的一端与所述第一MOSFET管的源极连接，另一端接地；所述第二电容的一端与第二MOSFET管的源极连接，另一端接地。进一步的，所述电磁抗干扰性电路，包括：片式磁珠、双向TVS管和钳位二极管；所述片式磁珠(L1)的输入端与第三电阻(R3)连接；所述双向TVS管的一端与电源负极连接，另一端与所述片式磁珠的输出端和CP信号输出端连接；所述钳位二极管的一端与电源负极连接，另一端与电源正极连接，管脚与所述片式磁珠的输出端和所述CP信号输出端连接。进一步的，所述第一电容和第二电容均为退耦电容。本技术的实施例还提供一种电动汽车充电盒，包括如上述充电盒电磁兼容电路。本技术的实施例还提供一种电动汽车，包括上述电动汽车充电盒。本技术的有益效果是：上述方案中，充电盒电磁兼容电路包括：产生充电控制引导CP信号的驱动电路；晶体管电路，与所述驱动电路连接；电容电路，与所述晶体管电路连接；抑制所述CP信号上干扰信号的电磁抗干扰性电路，与所述晶体管电路连接；可有效抑制充电盒内部和外部电磁噪声对CP信号的干扰，从而提升充电盒充电过程中抗干扰性，进而保证充电盒工作的可靠性。附图说明图1表示本技术的CP信号产生电路及充电盒电磁兼容电路图；图2表示本技术的充电盒结构示意图。具体实施方式为使本技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图及具体实施例对本技术进行详细描述。本技术针对现有技术中当在使用充电盒充电的地点具有较大的电磁辐射时，CP信号受到较大干扰会导致逻辑判断失效，进而导致车辆无法充电的问题，提供一种充电盒电磁兼容电路。如图1所示，本技术实施例提供一种充电盒电磁兼容电路，包括：产生充电控制引导CP信号的驱动电路1；晶体管电路2，与所述驱动电路1连接；电容电路3，与所述晶体管电路2连接；抑制所述CP信号上干扰信号的电磁抗干扰性电路4，与所述晶体管电路连接。本技术的该实施例中，电磁抗干扰性电路可有效抑制充电盒内部和外部电磁噪声对CP信号的干扰，从而提升充电盒充电过程中抗干扰性，进而保证充电盒工作的可靠性。本技术的一可选实施例中，所述驱动电路1，包括：并联连接的第一电阻R1和第二电阻R2以及第三电阻R3，为CP信号产生驱动电阻，用于产生CP信号的驱动功率和CP信号的上升和下降时间；其中，所述第一电阻R1、第二电阻R2和第三电阻R3都优先采用精度为1％的电阻。可选地，所述晶体管电路2，包括：第一MOSFET管Q1和第二MOSFET管Q2；所述第一电阻R1的一端与控制端连接，另一端与第一MOSFET管Q1的栅极连接；所述第二电阻R2的一端与控制端连接，另一端与第二MOSFET管Q2的栅极连接；所述第三电阻(R3)的一端与所述第一MOSFET管(Q1)的漏极连接，并与所述第二MOSFET管(Q2)的漏极连接；所述第一MOSFET管Q1的源极与电源负极连接，用于产生CP信号的负电压；所述第二MOSFET管Q2的源极与电源正极连接，用于产生CP信号的正电压；其中，所述第一MOSFET管Q1为N沟道MOSFET管；所述第二MOSFET管Q2为P沟道MOSFET管；且所述第一MOSFET管Q1和第二MOSFET管Q2都优先采用IR系类的小功率MOSFET管。可选地，所述电容电路3，包括：第一电容C1和第二电容C2；所述第一电容C1的一端与所述第一MOSFET管Q1的源极连接，另一端接地；所述第二电容C2的一端与第二MOSFET管Q2的源极连接，另一端接地；这里，所述第一电容C1为负电压的退耦电容，所述第二电容C2为正电压的退耦电容，且所述第一电容C1和第二电容C2都优先采用陶瓷电容。可选地，所述电磁抗干扰性电路4，包括：片式磁珠L1，用于抑制所述第一MOSFET管Q1和第二MOSFET管Q2在频率通断时在CP信号上叠加的噪声信号；双向TVS管D1，用于抑制CP信号线上的干扰噪声；钳位二极管D2，用于进一步抑制CP信号线上的干扰噪声，与双向TVS管D1构成双保险；所述片式磁珠(L1)的输入端与第三电阻(R3)连接；所述双向TVS管D1的一端与电源负极连接，另一端与所述片式磁珠L1的输出端和CP信号输出端连接；所述钳位二极管D2的一端与电源负极连接，另一端与电源正极连接，管脚与所述片式磁珠L1的输出端和所述CP信号输出端连接；其中，所述片式磁珠L1优先选用车载等级片式磁珠；所述钳位二极管D2可以选取本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种充电盒电磁兼容电路，其特征在于，包括：/n产生充电控制引导CP信号的驱动电路(1)；/n晶体管电路(2)，与所述驱动电路连接；/n电容电路(3)，与所述晶体管电路连接；/n抑制所述CP信号上干扰信号的电磁抗干扰性电路(4)，与所述晶体管电路连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种充电盒电磁兼容电路，其特征在于，包括：
产生充电控制引导CP信号的驱动电路(1)；
晶体管电路(2)，与所述驱动电路连接；
电容电路(3)，与所述晶体管电路连接；
抑制所述CP信号上干扰信号的电磁抗干扰性电路(4)，与所述晶体管电路连接。


2.根据权利要求1所述的充电盒电磁兼容电路，其特征在于，所述驱动电路(1)，包括：
并联连接的第一电阻(R1)和第二电阻(R2)以及第三电阻(R3)。


3.根据权利要求2所述的充电盒电磁兼容电路，其特征在于，所述晶体管电路(2)，包括：
第一MOSFET管(Q1)和第二MOSFET管(Q2)；
所述第一电阻(R1)的一端与控制端连接，另一端与第一MOSFET管(Q1)的栅极连接；
所述第二电阻(R2)的一端与控制端连接，另一端与第二MOSFET管(Q2)的栅极连接；
所述第三电阻(R3)的一端与所述第一MOSFET管(Q1)的漏极连接，并与所述第二MOSFET管(Q2)的漏极连接；
所述第一MOSFET管(Q1)的源极与电源负极连接；
所述第二MOSFET管(Q2)的源极与电源正极连接。


4.根据权利要求3所述的充电盒电磁兼容电路，其特征在于，所述第一MOSFET管(Q1)为N沟道MOSFET管；所述第二M...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘卓，高新杰，
申请(专利权)人：北京新能源汽车股份有限公司，
类型：新型
国别省市：北京;11