一种三端半导体器件及其制作方法技术

本发明专利技术提供了一种三端半导体器件及其制作方法，涉及半导体器件技术领域。所述三端半导体器件包括支撑层、设置在所述支撑层上的异质结、设置在所述异质结上的第一电极、第二电极和栅极；其中，所述第一电极和所述第二电极中至少一个包括：设置在所述异质结上的掺杂层和设置在所述掺杂层上的电极接触层。三端半导体器件能够降低接触电阻、减少器件开关损耗、且不会导致器件提前被击穿。

A three terminal semiconductor device and its fabrication method

【技术实现步骤摘要】
一种三端半导体器件及其制作方法
本专利技术涉及半导体器件
，具体而言，涉及一种三端半导体器件及其制作方法。
技术介绍
目前，由于氮化镓(GaN)材料具有大的禁带宽度，基于GaN材料的功率半导体器件，相比于传统硅(Si)基功率器件，可具有更高的击穿电压和更高的功率密度；而利用GaN材料中固有的极化特性，可形成高浓度、高电子迁移率的二维电子气沟道，因而可比传统硅基功率器件有更高的开关频率。基于GaN的高耐压和高频特性，制作的平面型结构的AlGaN/GaN高迁率晶体管(HEMT)，在高压、高频领域存在广泛的应用需求。在射频/毫米波应用领域，电极质量相当重要。高质量的欧姆接触可以减少导通损耗，改善增益及电路效率。由于宽带隙的材料属性，优化欧姆接触对于氮化镓基器件尤其重要。通常采用Ti/Al/Ni/Au的多层金属组合制作低接触电阻的电极，但在制作欧姆接触的退火过程中，金属变得粗糙，金属在半导体中的扩散导致在欧姆电极下面存在金属尖峰，尖峰末端甚至可深入到缓冲层中，在金属尖峰末端出现局部高电场，从而改变电场分布，导致器件提前被击穿。...

【技术保护点】
1.一种三端半导体器件，其特征包括：/n支撑层(110)；/n设置在所述支撑层(110)上的异质结(120)；/n设置在所述异质结(120)上的第一电极(130)、第二电极(140)和栅极(150)；/n其中，所述第一电极(130)和所述第二电极(140)中至少一个包括：设置在所述异质结(120)上的掺杂层(160)和设置在所述掺杂层(160)上的电极接触层(170)。/n

【技术特征摘要】
1.一种三端半导体器件，其特征包括：
支撑层(110)；
设置在所述支撑层(110)上的异质结(120)；
设置在所述异质结(120)上的第一电极(130)、第二电极(140)和栅极(150)；
其中，所述第一电极(130)和所述第二电极(140)中至少一个包括：设置在所述异质结(120)上的掺杂层(160)和设置在所述掺杂层(160)上的电极接触层(170)。


2.根据权利要求1所述的三端半导体器件，其特征为，所述第一电极(130)和所述第二电极(140)均包括：设置在所述异质结(120)上的掺杂层(160)和设置在所述掺杂层(160)上的电极接触层(170)。


3.根据权利要求1所述的三端半导体器件，其特征为，所述栅极(150)用于控制所述第一电极(130)与所述第二电极(140)之间的导通和关断，其结构形式为P型栅结构、金属绝缘体半导体结构、多层金属结构或凹槽(210)栅的半导体结构中的任一种。


4.根据权利要求1所述的三端半导体器件，其特征为，所述支撑层(110)包括一层或者多层的三族氮化物半导体膜。


5.根据权利要求1所述的三端半导体器件，其特征为，所述异质结(120)包括两层的三族氮化物半导体膜。


6.根据权利要求5所述的三端半导体器件，其特征为，所述异质结(120)包括AlGaN与GaN的层叠膜或者AlInN与GaN的层叠膜。<...

【专利技术属性】
技术研发人员：李成果，姜南，曾巧玉，任远，
申请(专利权)人：广东省半导体产业技术研究院，
类型：发明
国别省市：广东;44