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本发明提供了一种三端半导体器件及其制作方法，涉及半导体器件技术领域。所述三端半导体器件包括支撑层、设置在所述支撑层上的异质结、设置在所述异质结上的第一电极、第二电极和栅极；其中，所述第一电极和所述第二电极中至少一个包括：设置在所述异质结上的...
该专利属于广东省半导体产业技术研究院所有，仅供学习研究参考，未经过广东省半导体产业技术研究院授权不得商用。

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