【技术实现步骤摘要】
在栅极与源极/漏极接触之间具有绝缘层的FINFET
本申请涉及集成电路器件(device)，以及用于制造此类器件的制程，尤其涉及通过在栅极与源极/漏极接触之间设置额外绝缘层来避免许多传统制程步骤并顾及接触未对准。
技术介绍
集成电路器件使用晶体管执行许多不同的功能，且这些晶体管可采取许多不同的形式，从平面晶体管到使用“鳍片”模式结构的晶体管(例如，鳍式场效应(FinFET)晶体管)。鳍式晶体管的鳍片是自衬底延伸或者具有作为衬底的部分的底部表面的薄而长的六面形状(某种程度上为矩形)；具有长度大于宽度的侧面、具有与该侧面在某种程度上相似的长度(但具有更窄的宽度)的顶部及底部，以及自衬底的高度与该侧面的宽度大致相同但仅与该顶部及/或底部大致一样宽的端部。在此类鳍片结构中可能发生圆化及不平坦的成形(尤其在角落及顶部)，且此类结构常常具有圆化、渐窄的形状；不过，此类结构高度地区别于平面器件(尽管两种类型器件都非常有用)。在一个例子中，传统制程在相交栅极之间的鳍片上形成源极/漏极。常使用功函数金属作为栅极的部分(portion)...
【技术保护点】
1.一种集成电路装置，包括：/n平行的鳍片，自层延伸，其中，沿第一方向图案化该鳍片；/n平行的栅极结构，沿垂直于该第一方向的第二方向与该鳍片相交，其中，该栅极结构具有与该鳍片相邻的下部以及在该鳍片的远侧的上部；/n源极/漏极结构，位于该栅极结构之间的该鳍片上；/n源极/漏极接触，位于该源极/漏极结构上；/n多个绝缘体层，位于该栅极结构与该源极/漏极接触之间；以及/n上侧间隙壁，位于该栅极结构的该上部与该多个绝缘体层之间。/n
【技术特征摘要】
20181003 US 16/150,6511.一种集成电路装置，包括：
平行的鳍片，自层延伸，其中，沿第一方向图案化该鳍片；
平行的栅极结构，沿垂直于该第一方向的第二方向与该鳍片相交，其中，该栅极结构具有与该鳍片相邻的下部以及在该鳍片的远侧的上部；
源极/漏极结构，位于该栅极结构之间的该鳍片上；
源极/漏极接触，位于该源极/漏极结构上；
多个绝缘体层，位于该栅极结构与该源极/漏极接触之间；以及
上侧间隙壁，位于该栅极结构的该上部与该多个绝缘体层之间。
2.如权利要求1所述的集成电路装置，其中，该上侧间隙壁仅与该栅极结构的该上部相邻，且不与该栅极结构的该下部相邻。
3.如权利要求1所述的集成电路装置，其中，该多个绝缘体层与该栅极结构的该上部及该下部相邻。
4.如权利要求1所述的集成电路装置，其中，该栅极结构的下部沿该第一方向宽于该栅极结构的该上部。
5.如权利要求1所述的集成电路装置，其中，该上侧间隙壁是与该多个绝缘体层不同的绝缘体材料。
6.如权利要求1所述的集成电路装置，其中，该多个绝缘体层包括具有不同介电常数的两个不同绝缘体层。
7.如权利要求1所述的集成电路装置，其中，该源极/漏极接触与该栅极结构的该上部为相同材料。
8.一种集成电路装置，包括：
平行的鳍片，自层延伸，其中，沿第一方向图案化该鳍片；
平行的栅极结构，沿垂直于该第一方向的第二方向与该鳍片相交，其中，该栅极结构具有包括与该鳍片相邻的第一导体的下部以及包括在该鳍片的远侧的第二导体的上部，以及其中，该第一导体与该第二导体为不同材料；
栅极绝缘体，位于该栅极结构的该下部与该鳍片之间；
外延源极/漏极结构，位于该栅极结构之间的该鳍片上；
下源极/漏极接触，位于该源极/漏极结构上；
多个绝缘体层，位于该栅极结构与该下源极/漏极接触之间；
上侧间隙壁，位于该栅极结构的该上部与该多个绝缘体层之间；
层间介电质，位于该下源极/漏极接触及该栅极结构的该上部上；
栅极接触，延伸穿过该层间介电质并接触该栅极结构的该上部；以及
上源极/漏极接触，延伸穿过该层间介电质并接触该下源极/漏极接触。
9.如权利要求8所述的集成电路装置，其中，该上侧间隙壁仅与该栅极结构的该上部相邻，且不与该栅极结构的该下部相邻。
10.如权利要求8所述的集...
【专利技术属性】
技术研发人员：臧辉，拉尔特斯·柯洛米克斯，席史·马尼·潘迪，朴灿柔，谢瑞龙，
申请(专利权)人：格芯公司，
类型：发明
国别省市：开曼群岛;KY
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