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本发明涉及在栅极与源极/漏极接触之间具有绝缘层的FINFET，其中，制程形成集成电路装置，该集成电路装置包括平行的鳍片，其中，沿第一方向图案化该鳍片。平行栅极结构沿垂直于该第一方向的第二方向与该鳍片相交，其中，该栅极结构具有与该鳍片相邻的下...
该专利属于格芯公司所有，仅供学习研究参考，未经过格芯公司授权不得商用。

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