一种稳压二极管制作方法技术

本发明专利技术公开一种稳压二极管的制作方法，包括以下步骤：1)去除杂质；2)一次氧化，3)二次氧化，4)三次氧化，5)烧结降温，6)去除氧化层，7)安装芯片，制得稳压二极管。本发明专利技术制作出的二极管稳定性高，制作方法简单，制造成本低。

A method of making zener diode

【技术实现步骤摘要】
一种稳压二极管制作方法
本专利技术涉及一种制作方法，具体是一种稳压二极管制作方法，属于电子配件

技术介绍
稳压二极管，又叫齐纳二极管，利用pn结反向击穿状态，其电流可在很大范围内变化而电压基本不变的现象，制成的起稳压作用的二极管。此二极管是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件。在这临界击穿点上，反向电阻降低到一个很小的数值，在这个低阻区中电流增加而电压则保持恒定，稳压二极管是根据击穿电压来分档的，因为这种特性，稳压管主要被作为稳压器或电压基准元件使用，稳压二极管可以串联起来以便在较高的电压上使用，通过串联就可获得更高的稳定电压。但是通过现有方法制作出来的稳压二极管稳定性差，工艺步骤复杂，且制造成本比较高。
技术实现思路
针对上述现有技术存在的问题，本专利技术提供一种稳压二极管制作方法，制作出的二极管稳定性高，制作方法简单，制造成本低。本专利技术一种稳压二极管的制作方法，包括以下步骤：1)通过化学处理如去除硅片表面的杂质；2)将去除杂质后的硅片放到高温炉内进行第一氧化，然后将一次氧化后的硅片从高温炉内取出，降至常温，在硅片上进行光刻；3)再将光刻后的硅片放入高温炉内进行第二次氧化，二次氧化结束后，在硅片表面涂覆一层防腐蚀层；4)对硅片进行第三次氧化，第三次氧化过程中，向硅片上注入磷离子，氧化结束后，在高温炉内降温至常温；5)然后将硅片放入烧结炉内进行烧结，烧结温度为1000-1100°，烧结时间为60-120min，烧结完成后，对烧结炉进行降温，首先在20-30min内将温度降至700-800°，再在15-20min内将温度降至400-500°，然后再在30-40min将温度降至100-200°，最后逐渐降至常温。6)将烧结后的硅片放入到水和氢氟酸的混合溶液里进行浸泡，去除硅片表面的氧化层；7)在去氧化层的硅片上安装芯片，制得稳压二极管。优选地，步骤(2)中的氧化温度为1000-1500°，氧化时间为20-30min。优选地，步骤(3)中的氧化温度为1200-1300°，氧化时间10-15min。优选地，步骤(4)中的氧化温度为1000-1100°，氧化时间30-60min。优选地，步骤(6)中的浸泡时间为45-60min。与现有技术相比，通过本专利技术的方法制作出的二极管稳定性高，制作方法简单，制造成本低。附图说明图1是本专利技术流程图。具体实施方式下面结合附图对本专利技术作进一步说明。如图所示，本专利技术方法流程图。实施例1：本专利技术一种稳压二极管的制作方法，包括以下步骤：1)通过化学处理如去除硅片表面的杂质；2)将去除杂质后的硅片放到高温炉内进行第一氧化，氧化温度为1000°，氧化时间为30min，然后将一次氧化后的硅片从高温炉内取出，降至常温，在硅片上进行光刻；3)再将光刻后的硅片放入高温炉内进行第二次氧化，氧化温度为1200°，氧化时间15min，二次氧化结束后，在硅片表面涂覆一层防腐蚀层；4)对硅片进行第三次氧化，氧化温度为1000°，第三次氧化过程中，向硅片上注入磷离子，氧化时间60min，氧化结束后，在高温炉内降温至常温；5)然后将硅片放入烧结炉内进行烧结，烧结温度为1000°，烧结时间为120min，烧结完成后，对烧结炉进行降温，首先在20min内将温度降至700°，再在15min内将温度降至400°，然后再在30min将温度降至100°，最后逐渐降至常温。6)将烧结后的硅片放入到水和氢氟酸的混合溶液里进行浸泡，去除硅片表面的氧化层；7)在去氧化层的硅片上安装芯片，制得稳压二极管。实施例2：一种稳压二极管的制作方法，包括以下步骤：1)通过化学处理如去除硅片表面的杂质；2)将去除杂质后的硅片放到高温炉内进行第一氧化，氧化温度为1300°，氧化时间为25min，然后将一次氧化后的硅片从高温炉内取出，降至常温，在硅片上进行光刻；3)再将光刻后的硅片放入高温炉内进行第二次氧化，氧化温度为1250°，氧化时间13min，二次氧化结束后，在硅片表面涂覆一层防腐蚀层；4)对硅片进行第三次氧化，氧化温度为1050°，第三次氧化过程中，向硅片上注入磷离子，氧化时间45min，氧化结束后，在高温炉内降温至常温；5)然后将硅片放入烧结炉内进行烧结，烧结温度为1050°，烧结时间为90min，烧结完成后，对烧结炉进行降温，首先在25min内将温度降至750°，再在17min内将温度降至450°，然后再在35min将温度降至150°，最后逐渐降至常温。6)将烧结后的硅片放入到水和氢氟酸的混合溶液里进行浸泡，去除硅片表面的氧化层；7)在去氧化层的硅片上安装芯片，制得稳压二极管。实施例3：一种稳压二极管的制作方法，包括以下步骤：1)通过化学处理如去除硅片表面的杂质；2)将去除杂质后的硅片放到高温炉内进行第一氧化，氧化温度为1500°，氧化时间为20min，然后将一次氧化后的硅片从高温炉内取出，降至常温，在硅片上进行光刻；3)再将光刻后的硅片放入高温炉内进行第二次氧化，氧化温度为1300°，氧化时间10min，二次氧化结束后，在硅片表面涂覆一层防腐蚀层；4)对硅片进行第三次氧化，氧化温度为1100°，第三次氧化过程中，向硅片上注入磷离子，氧化时间45min，氧化结束后，在高温炉内降温至常温；5)然后将硅片放入烧结炉内进行烧结，烧结温度为1100°，烧结时间为90min，烧结完成后，对烧结炉进行降温，首先在30min内将温度降至800°，再在120min内将温度降至500°，然后再在40min将温度降至200°，最后逐渐降至常温。6)将烧结后的硅片放入到水和氢氟酸的混合溶液里进行浸泡，去除硅片表面的氧化层；7)在去氧化层的硅片上安装芯片，制得稳压二极管。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种稳压二极管的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：/n1)通过化学处理如去除硅片表面的杂质；/n2)将去除杂质后的硅片放到高温炉内进行第一氧化，然后将一次氧化后的硅片从高温炉内取出，降至常温，在硅片上进行光刻；/n3)再将光刻后的硅片放入高温炉内进行第二次氧化，二次氧化结束后，在硅片表面涂覆一层防腐蚀层；/n4)对硅片进行第三次氧化，第三次氧化过程中，向硅片上注入磷离子，氧化结束后，在高温炉内降温至常温；/n5)然后将硅片放入烧结炉内进行烧结，烧结温度为1000-1100°，烧结时间为60-120min，烧结完成后，对烧结炉进行降温，首先在20-30min内将温度降至700-800°，再在15-20min内将温度降至400-500°，然后再在30-40min将温度降至100-200°，最后逐渐降至常温。/n6)将烧结后的硅片放入到水和氢氟酸的混合溶液里进行浸泡，去除硅片表面的氧化层；/n7)在去氧化层的硅片上安装芯片，制得稳压二极管。/n

【技术特征摘要】
1.一种稳压二极管的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
1)通过化学处理如去除硅片表面的杂质；
2)将去除杂质后的硅片放到高温炉内进行第一氧化，然后将一次氧化后的硅片从高温炉内取出，降至常温，在硅片上进行光刻；
3)再将光刻后的硅片放入高温炉内进行第二次氧化，二次氧化结束后，在硅片表面涂覆一层防腐蚀层；
4)对硅片进行第三次氧化，第三次氧化过程中，向硅片上注入磷离子，氧化结束后，在高温炉内降温至常温；
5)然后将硅片放入烧结炉内进行烧结，烧结温度为1000-1100°，烧结时间为60-120min，烧结完成后，对烧结炉进行降温，首先在20-30min内将温度降至700-800°，再在15-20min内将温度降至400-500°，然后再在30-40min将温度降至100-200°，最后逐渐降至常温。
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【专利技术属性】
技术研发人员：周雪梅，
申请(专利权)人：徐州铭昇电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32