一种快恢复二极管制造技术

本实用新型专利技术提供了一种快恢复二极管，包括N型硅片以及正面结构和背面结构：背面结构包括N型掺杂层、N型缓冲层、N型掺磷区和背面金属，N型缓冲层、N型掺磷区和背面金属依次设置于N型硅片背面，N型掺杂层设置于N型硅片内部。本实用新型专利技术利用减薄工艺提升芯片背面洁净度，避免硅片背面表面存在的沾污问题，从根本上避免背金脱落风险，同时由于硅片内部存在N型掺杂层，大幅度提高了快恢复二极管的抗动态雪崩能力。

A fast recovery diode

【技术实现步骤摘要】
一种快恢复二极管
本技术涉及电力电子器件
，具体涉及一种快恢复二极管。
技术介绍
近些年，基于高压大功率绝缘栅双极晶体管(IGBT)器件的柔性输电装备已经投运，对大电网的安全稳定运行、大规模新能源的并网、以及远距离输电等方面起到了显著的示范作用。一般IGBT在使用时都需要一个快恢复二极管(Fastrecoverydiode，FRD)与之并联，随着电力电子技术的不断发展，各种主开关器件的开关频率和性能要求不断提高，无疑对快恢复二极管性能提出更高的要求，为了提高快恢复二极管性能及抗动态雪崩能力，通常在快恢复二极管背面加入较深的N型缓冲层。目前，N型缓冲层一般采用离子注入或三氯氧磷POCl3扩散以及1200℃以上的高温退火，1200℃以上的退火温度使得快恢复二极管背面N型缓冲层必须在快恢复二极管正面金属前完成，从而导致芯片背面在快恢复二极管正面工艺过程中存在沾污风险。由于快恢复二极管背面N型缓冲层已形成，一般只是用喷砂、氢氟酸等方式简单处理提高快恢复二极管背面洁净度，最终导致快恢复二极管背面金属存在脱落风险，同时FRD的抗动态雪崩能力比本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种快恢复二极管，其特征在于，包括N型硅片以及分别位于所述N型硅片正面和背面的正面结构和背面结构：/n所述背面结构包括N型掺杂层、N型缓冲层、N型掺磷区和背面金属，所述N型缓冲层、N型掺磷区和背面金属按照从所述N型硅片的内部到背面的顺序依次设置于所述N型硅片背面，所述N型掺杂层设置于所述N型硅片内部。/n

【技术特征摘要】
1.一种快恢复二极管，其特征在于，包括N型硅片以及分别位于所述N型硅片正面和背面的正面结构和背面结构：
所述背面结构包括N型掺杂层、N型缓冲层、N型掺磷区和背面金属，所述N型缓冲层、N型掺磷区和背面金属按照从所述N型硅片的内部到背面的顺序依次设置于所述N型硅片背面，所述N型掺杂层设置于所述N型硅片内部。


2.根据权利要求1所述的快恢复二极管，其特征在于，所述正面结构包括有源区、保护环、N型截止环、氧化层、BPSG层、正面金属和钝化层；
所述正面金属包括有源区金属和截止环金属。


3.根据权利要求2所述的快恢复二极管，其特征在于，所述有源区、保护环和N型截止环均设置于所述N型硅片内部，且所述保护环位于有源区和N型截...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹功勋，朱涛，田亮，吴昊，金锐，吴军民，潘艳，
申请(专利权)人：全球能源互联网研究院有限公司，
类型：新型
国别省市：北京;11