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本实用新型提供了一种快恢复二极管，包括N型硅片以及正面结构和背面结构：背面结构包括N型掺杂层、N型缓冲层、N型掺磷区和背面金属，N型缓冲层、N型掺磷区和背面金属依次设置于N型硅片背面，N型掺杂层设置于N型硅片内部。本实用新型利用减薄工艺提升...
该专利属于全球能源互联网研究院有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过全球能源互联网研究院有限公司授权不得商用。

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