一种升压电源电磁兼容电路及电动汽车制造技术

技术编号:23766888 阅读:48 留言:0更新日期:2020-04-11 20:18
本实用新型专利技术提供了一种升压电源电磁兼容电路及电动汽车,涉及升压电源电路电磁抗干扰领域。该升压电源电磁兼容电路包括:晶体管;电感,与所述晶体管连接;有电容的电路,与所述晶体管连接;有二极管的电路,与所述有电容的电路连接;电阻电容RC吸收电路,与所述有二极管的电路连接。本实用新型专利技术的方案可以有效的抑制电压转换期间产生的浪涌电流,从而抑制电磁噪声的产生,同时也可以抑制电源输出端的噪声信号,保证了升压电源电路工作的安全可靠性。

A boost power EMC circuit and electric vehicle

【技术实现步骤摘要】
一种升压电源电磁兼容电路及电动汽车
本技术涉及电磁抗干扰领域,特别涉及一种升压电源电磁兼容电路及电动汽车。
技术介绍
汽车领域,由于燃油车排放的汽车尾气对空气污染很严重,并且石油的不可再生性等诸多原因,出现了以车载电池为动力的新能源电动汽车。然而,新能源电动汽车内部低压供电都来自于蓄电池,而且新能源电动汽车存在许多电子器件,不同的电子器件所需要的电压等级不同,这就导致了需要不同的电源电路提供相应的电压等级,因此需要电压转化电路,实现从一个电压值转化成多种电压等级的电压值,满足不同电子器件所需要的电压等级。但在电压转化过程中会产生电磁干扰噪声,这些干扰噪声会沿着部件外壳、接口及线束产生传导发射与辐射发射;由于车体空间狭小,内部线束较多,从而产生寄生效应;由电压转换电路所产生的干扰噪声可能会影响电压转换电路或者其它电子部件的正常工作。对于升压电路,在储能电感初次放电时会产生巨大的浪涌电流,从而导致很大的干扰噪声。另一方面,储能电感在磁饱和时电流会极具加大,有烧毁晶体管的风险。
技术实现思路
本技术实施例提供一种升压电源电磁兼容电路及电动汽车,用于解决现有技术中由于车体空间狭小,内部线束较多,电路存在寄生效应;由电压转换电路所产生的干扰噪声可能会影响电压转换电路或者其它电子部件的正常工作的问题。为了解决上述技术问题,本技术采用如下技术方案:一种升压电源电磁兼容电路,包括:晶体管;电感,与所述晶体管连接;有电容的电路,与所述晶体管连接;有二极管的电路,与所述有电容的电路连接;电阻电容RC吸收电路,与所述有二极管的电路连接。进一步地,所述晶体管,包括:MOSFET管,所述MOSFET管源极接地,漏极与所述电感连接,并与所述RC吸收电路连接。进一步地,所述电感的一端与所述有二极管的电路连接,另一端与所述RC吸收电路连接。进一步地,所述有电容的电路,包括:第一电容,所述第一电容与所述MOSFET管并联连接;第二电容,所述第二电容与所述第一电容并联连接。进一步地,所述有二极管的电路,包括:第一二极管,所述第一二极管一端与所述MOSFET管的漏极连接,另一端与所述有电容的电路连接;第二二极管,所述第二二极管一端与所述电感连接,另一端与所述有电容的电路连接。进一步地,所述RC吸收电路,包括:第三电容和电阻;所述第三电容一端与所述MOSFET管的漏极连接,另一端与所述电阻连接;所述电阻一端与所述第三电容连接,另一端与所述有电容的电路连接。进一步地,所述第一电容为储能电容。进一步地,所述第一二极管和第二二极管均为肖特基二极管。本技术的实施例还提供一种电动汽车,包括上述的升压电源电磁兼容电路。本技术的有益效果是:上述方案中,升压电源电磁兼容电路包括:晶体管;电感,与所述晶体管连接;有电容的电路,与所述晶体管连接;有二极管的电路,与所述有电容的电路连接;RC吸收电路,与所述有二极管的电路连接。该升压电源电磁兼容电路可设置于电源转化电路中,既不影响电源转化电路的正常工作,可以实现量产,也可以有效的抑制电压转换期间产生的浪涌电流,从而抑制电磁噪声的产生,同时也可以抑制电源输出端的噪声信号,保证了升压电源电路工作的安全可靠性。附图说明图1表示本技术升压电源电磁兼容电路的示意图。具体实施方式为使本技术的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合附图及具体实施例对本技术进行详细描述。本技术针对现有技术中由于车体空间狭小,内部线束较多,电路存在寄生效应;由电压转换电路所产生的干扰噪声可能会影响电压转换电路或者其它电子部件的正常工作的问题,提供一种升压电源电磁兼容电路。如图1所示,本技术实施例提供一种升压电源电磁兼容电路,包括:晶体管;电感L1,与所述晶体管连接;有电容的电路1,与所述晶体管连接;有二极管的电路2,与所述有电容的电路1连接;电阻电容RC吸收电路3,与所述有二极管的电路2连接。本技术的该实施例中,升压电源电磁兼容电路可以有效的抑制电压转换期间产生的浪涌电流,从而抑制电磁噪声的产生,同时也可以抑制电源输出端的噪声信号,保证了升压电源电路工作的安全可靠性。本技术实施例的一可选实施例中,所述晶体管,包括:MOSFET管Q1,所述MOSFET管Q1源极接地,漏极与所述电感L1连接,并与所述RC吸收电路3连接;其中,MOSFET管Q1优选为N沟道MOSFET管,N沟道MOSFET管Q1通过PWM(脉冲宽度调制)信号控制导通和关断,为储能电感L1的充电提供回路。可选地,所述电感L1的一端与所述有二极管的电路2连接,另一端与所述RC吸收电路3连接;其中,所述电感L1为功率储能电感,用于存储能量以达到升压的目的。可选地,所述有电容的电路1,包括:第一电容C1,所述第一电容C1与所述MOSFET管Q1并联连接;第二电容C2,所述第二电容C2与所述第一电容C1并联连接;其中,所述第一电容C1为储能电容,用于为负载提供电能;所述第二电容C2为滤波电容,一方面可以抑制输出电压纹波,另一方面可有效的抑制电源输出端的噪声信号。可选地,所述有二极管的电路2,包括:第一二极管D1,所述第一二极管D1一端与所述MOSFET管Q1的漏极连接,另一端与所述有电容的电路1连接;第二二极管D2,所述第二二极管D2一端与所述电感L1连接,另一端与所述有电容的电路1连接;其中,第一二极管D1起到隔离的作用,防止MOSFET管Q1开通时储能电容C2对GND(电线接地端)放电;第二二极管D2的作用是是当电路刚通电且MOSFET管Q1尚未导通时,可以通过第二二极管D2为第一电容C1充电,防止电感L1初次放电时产生的浪涌电流,从而达到抑制电磁噪声的目的,另一方面可以防止电感L1在磁饱和时烧毁MOSFET管Q1。可选地,所述RC吸收电路3,包括:第三电容C3和电阻R1;所述第三电容C3一端与所述MOSFET管Q1的漏极连接,另一端与所述电阻R1连接;所述电阻R1一端与所述第三电容C3连接,另一端与所述有电容的电路1连接。本技术的该实施例中,RC吸收电路3用于抑制第一二极管D1通断时产生的阻尼振荡,从而抑制干扰噪声。可选地,所述第一二极管D1和第二二极管D2均优先选择肖特基二极管。本技术所述的升压电源电磁兼容电路,可以设置于电源转化电路中,既可有效的抑制电压转换期间产生的浪涌电流,从而抑制电磁干扰的产生;同时也可以防止储能电感L1在磁饱和时产生的大电流烧毁MOSFET管Q1。本技术实施例还提供一种电动汽车,包括上述的升压电源电磁兼容电路。需要说明的是,在电源转化电路本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种升压电源电磁兼容电路,其特征在于,包括:/n晶体管;/n电感(L1),与所述晶体管连接;/n有电容的电路(1),与所述晶体管连接;/n有二极管的电路(2),与所述有电容的电路(1)连接;/n电阻电容RC吸收电路(3),与所述有二极管的电路(2)连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种升压电源电磁兼容电路,其特征在于,包括:
晶体管;
电感(L1),与所述晶体管连接;
有电容的电路(1),与所述晶体管连接;
有二极管的电路(2),与所述有电容的电路(1)连接;
电阻电容RC吸收电路(3),与所述有二极管的电路(2)连接。


2.根据权利要求1所述升压电源电磁兼容电路,其特征在于,所述晶体管,包括:MOSFET管(Q1),所述MOSFET管(Q1)源极接地,漏极与所述电感连接,并与所述RC吸收电路(3)连接。


3.根据权利要求1所述升压电源电磁兼容电路,其特征在于,所述电感(L1)的一端与所述有二极管的电路(2)连接,另一端与所述RC吸收电路(3)连接。


4.根据权利要求2所述升压电源电磁兼容电路,其特征在于,所述有电容的电路(1),包括:
第一电容(C1),所述第一电容(C1)与所述MOSFET管(Q1)并联连接;
第二电容(C2),所述第二电容(C2)与所述第一电容(C1)并联连接。


5.根据权利要求2所述升压电源电磁兼容电...

【专利技术属性】
技术研发人员:刘卓高新杰
申请(专利权)人:北京新能源汽车股份有限公司
类型:新型
国别省市:北京;11

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