一种埋入TSV转接芯片硅基扇出型三维集成封装结构制造技术

本实用新型专利技术公开一种埋入TSV转接芯片硅基扇出型三维集成封装结构，属于集成电路封装领域。所述埋入TSV转接芯片硅基扇出型三维集成封装结构包括硅基，所述硅基的第一面开有凹槽，所述凹槽中埋有芯片；所述芯片包括TSV转接芯片、TSV转接芯片和高密度I/O异质芯片；所述芯片的TSV金属通道或金属焊盘与第一表面重布线连接，所述第一表面重布线通过微凸点与高密度I/O异质芯片倒装焊接；所述硅基的第二面填充有真空压干膜，并依次制作有第二表面重布线、阻焊层和凸点。

A silicon-based fanout three-dimensional integrated packaging structure embedded in TSV switching chip

【技术实现步骤摘要】
一种埋入TSV转接芯片硅基扇出型三维集成封装结构
本技术涉及集成电路封装
，特别涉及一种埋入TSV转接芯片硅基扇出型三维集成封装结构。
技术介绍
目前，电子产品大都向着轻、薄、短、小的方向发展，电子行业的制造者们也在不断地寻求能够减小电子产品尺寸的方法。随着半导体技术发展，已经出现了三维堆叠的半导体器件技术，如台积电的CoWos、InFO和Intel的EMIB等。近年来，扇出型晶圆级封装由于具有小型化、低成本和高集成度等优点，在各移动设备厂商等制造商中，具有较高的关注度。随着“MooreLaw”达到其物理极限，基于三维系统级集成封装的“MoreMoore”时代到来。其主要的技术思路是将不同功能、制程的异质芯片使用三维集成封装技术整合成一个功能模块。三维集成封装技术不管从制造成本、制造周期还是从产品性能考虑，相比于SOC技术都是非常好的选择。传统的应用扇出封装的三维集成都是在重构晶圆基体上边制作TSV通孔以完成三维互连，这种方式工艺复杂，成本高昂。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种埋入TSV转接芯片硅基本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种埋入TSV转接芯片硅基扇出型三维集成封装结构，包括硅基(101)，其特征在于，/n所述硅基(101)的第一面开有凹槽，所述凹槽中埋有芯片；所述芯片包括第一TSV转接芯片(303)、第二TSV转接芯片(304)和高密度I/O异质芯片(305)；/n所述芯片的TSV金属通道(306)或金属焊盘(307)与第一表面重布线(102)连接，所述第一表面重布线(102)通过微凸点(308)与高密度I/O异质芯片倒装焊接；/n所述硅基(101)的第二面填充有真空压干膜(107)，并依次制作有第二表面重布线(103)、阻焊层(105)和凸点(106)。/n

【技术特征摘要】
1.一种埋入TSV转接芯片硅基扇出型三维集成封装结构，包括硅基(101)，其特征在于，
所述硅基(101)的第一面开有凹槽，所述凹槽中埋有芯片；所述芯片包括第一TSV转接芯片(303)、第二TSV转接芯片(304)和高密度I/O异质芯片(305)；
所述芯片的TSV金属通道(306)或金属焊盘(307)与第一表面重布线(102)连接，所述第一表面重布线(102)通过微凸点(308)与高密度I/O异质芯片倒装焊接；
所述硅基(101)的第二面填充有真空压干膜(107)，并依次制作有第二表面重布线(103)、阻焊层(105)和凸点(106)。


2.如权利要求1所述的埋入TSV转接芯片硅基扇出型三维集成封装结构，其特征在于，
所述第一TSV转接芯片(303)和所述第二TSV转接芯片(304)通过临时粘合胶粘接；
所述高密度I/O异质芯片(305)通过永久粘合胶(205)粘接。


3.如权利要求1所述的埋入TSV转接芯片硅基扇出型三维集成封装结构，其特征在于，所述凹槽和所述芯片的间隙中...

【专利技术属性】
技术研发人员：王成迁，明雪飞，吉勇，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第五十八研究所，
类型：新型
国别省市：江苏;32