【技术实现步骤摘要】
半导体装置[相关申请的交叉参考]2018年10月1日在韩国知识产权局(KoreanIntellectualPropertyOffice，KIPO)提出申请且名称为“半导体装置及其制造方法(SemiconductorDevicesandMethodsofManufacturingtheSame)”的韩国专利申请第10-2018-0116855号全部以引用方式并入本文中。
实施例涉及半导体装置及其制造方法。
技术介绍
可形成位于上部水平高度处的布线之下的通路，以接触位于下部水平高度处的布线中的某一布线的上表面。
技术实现思路
实施例可通过提供一种半导体装置来实现，所述半导体装置包括：衬底；第一绝缘夹层，位于所述衬底上；第一布线，位于所述衬底上的所述第一绝缘夹层中；绝缘图案，位于所述第一绝缘夹层的临近所述第一布线的部分上，所述绝缘图案具有垂直侧壁且包含低介电材料；刻蚀停止结构，位于所述第一布线及所述绝缘图案上；第二绝缘夹层，位于所述刻蚀停止结构上；以及通路，延伸穿过所述第二绝缘夹...
【技术保护点】
1.一种半导体装置，包括：/n衬底；/n第一绝缘夹层，位于所述衬底上；/n第一布线，位于所述衬底上的所述第一绝缘夹层中；/n绝缘图案，位于所述第一绝缘夹层的临近所述第一布线的部分上，所述绝缘图案具有垂直侧壁且包含低介电材料；/n刻蚀停止结构，位于所述第一布线及所述绝缘图案上；/n第二绝缘夹层，位于所述刻蚀停止结构上；以及/n通路，延伸穿过所述第二绝缘夹层及所述刻蚀停止结构，以接触所述第一布线的上表面。/n
【技术特征摘要】
20181001 KR 10-2018-01168551.一种半导体装置，包括：
衬底；
第一绝缘夹层，位于所述衬底上；
第一布线，位于所述衬底上的所述第一绝缘夹层中；
绝缘图案，位于所述第一绝缘夹层的临近所述第一布线的部分上，所述绝缘图案具有垂直侧壁且包含低介电材料；
刻蚀停止结构，位于所述第一布线及所述绝缘图案上；
第二绝缘夹层，位于所述刻蚀停止结构上；以及
通路，延伸穿过所述第二绝缘夹层及所述刻蚀停止结构，以接触所述第一布线的上表面。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一绝缘夹层的临近所述绝缘图案的部分具有比所述第一绝缘夹层的其他部分的碳浓度高的碳浓度。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述绝缘图案包含SiOF、SiOCH、多孔氧化硅、氢倍半硅氧烷、甲基倍半硅氧烷、或旋涂有机聚合物。
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一绝缘夹层及所述第二绝缘夹层各自包含低介电材料。
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述刻蚀停止结构包括依序堆叠的第一刻蚀停止层及第二刻蚀停止层。
6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中：
所述第一刻蚀停止层包含氧化铝或氮化铝，且
所述第二刻蚀停止层包含碳化硅、氮化硅或碳氮化硅。
7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一绝缘夹层的上表面与所述第一布线的所述上表面共面。
8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一绝缘夹层的上表面比所述第一布线的所述上表面更靠近所述衬底。
9.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一绝缘夹层具有平整上表面。
10.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一布线包括：
第一金属图案；以及
第一障壁图案，覆盖所述第一金属图案的下表面及侧壁。
11.根据权利要求10所述的半导体装置，其中：
所述第一布线进一步包括位于所述第一金属图案与所述第一障壁图案之间的第一衬里，所述第一衬里含有钴，且
所述第一金属图案的中心部分的上表面及所述第一障壁图案的最上表面比所述第一金属图案的边缘区的上表面及所述第一衬里的最上表面更远离所述衬底。
12.根据权利要求10所述的半导体装置，其中：
所述第一布线进一步包括位于所述第一金属图案与所述第一障壁图案之间的第一衬里，所述第一衬里含有钌，且
所述第一金属图案的中心部分的上表面比所述第一金属图案的边缘区的上表面及所述第一障壁图案的最上表面更靠近所述衬底。
13.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述通路接触所述第一布线的所述上表面、以及所述绝缘图案的临近所述第一布线的部分的侧壁及上表面。
14.根据权利要求1所述的半导体装置，进一步包括位于所述通路上的第二布线，所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：韩奎熙，白宗玟，徐训硕，安商燻，李禹镇，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。