半导体器件及其制造方法技术

提供了一种半导体器件和一种制造半导体器件的方法。所述半导体器件包括：半导体衬底；导电焊盘，所述导电焊盘设置在所述半导体衬底上；以及柱状图案，所述柱状图案设置在所述导电焊盘上。所述半导体器件还包括：焊料种子图案，所述焊料种子图案设置在所述柱状图案上；以及焊料部分，所述焊料部分设置在所述柱状图案和所述焊料种子图案上。所述焊料种子图案的第一宽度小于所述柱状图案的顶表面的第二宽度。

Semiconductor devices and manufacturing methods

【技术实现步骤摘要】
半导体器件及其制造方法相关申请的交叉引用本申请要求于2018年9月28日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2018-0115972的优先权，其公开内容通过引用整体并入本文。
与实施例一致的装置和方法涉及半导体器件，更具体地，涉及具有连接端子的半导体器件及其制造方法。
技术介绍
已经增加了半导体器件的电极端子的数量并且已经减小了电极端子的节距。因此，正在研究高度集成半导体器件的各种方法。半导体器件可以具有电连接端子(例如，焊料球或凸块)以电连接到另一电子器件和/或印刷电路板。可能需要减小半导体器件的连接端子的节距。
技术实现思路
根据实施例，一种半导体器件包括：半导体衬底；导电焊盘，所述导电焊盘设置在所述半导体衬底上；以及柱状图案，所述柱状图案设置在所述导电焊盘上。所述半导体器件还包括：焊料种子图案，所述焊料种子图案设置在所述柱状图案上；以及焊料部分，所述焊料部分设置在所述柱状图案和所述焊料种子图案上。所述焊料种子图案的第一宽度小于所述柱状图案的顶表面的第二宽度。根据实施例，一种半导体器件包本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件，所述半导体器件包括：/n半导体衬底；/n导电焊盘，所述导电焊盘设置在所述半导体衬底上；/n柱状图案，所述柱状图案设置在所述导电焊盘上；/n焊料种子图案，所述焊料种子图案设置在所述柱状图案上；以及/n焊料部分，所述焊料部分设置在所述柱状图案和所述焊料种子图案上，/n其中，所述焊料种子图案的第一宽度小于所述柱状图案的顶表面的第二宽度。/n

【技术特征摘要】
20180928 KR 10-2018-01159721.一种半导体器件，所述半导体器件包括：
半导体衬底；
导电焊盘，所述导电焊盘设置在所述半导体衬底上；
柱状图案，所述柱状图案设置在所述导电焊盘上；
焊料种子图案，所述焊料种子图案设置在所述柱状图案上；以及
焊料部分，所述焊料部分设置在所述柱状图案和所述焊料种子图案上，
其中，所述焊料种子图案的第一宽度小于所述柱状图案的顶表面的第二宽度。


2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述焊料部分覆盖所述焊料种子图案的侧壁。


3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述焊料部分与所述柱状图案的边缘区域的顶表面物理接触。


4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述焊料部分的最大宽度大于所述焊料种子图案的所述第一宽度。


5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述柱状图案包括：
柱状种子图案，所述柱状种子图案设置在所述导电焊盘上；以及
导电图案，所述导电图案设置在所述柱状种子图案上。


6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述柱状种子图案延伸到所述导电图案的侧壁上。


7.根据权利要求1所述的半导体器件，所述半导体器件还包括：聚合物层，所述聚合物层设置在所述半导体衬底上，
其中，所述柱状图案的至少一部分被所述聚合物层包围。


8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，所述聚合物层包括环氧模制化合物。


9.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，所述聚合物层的顶表面设置在比所述柱状图案的顶表面的水平高度低的水平高度处。


10.一种半导体器件，所述半导体器件包括：
半导体衬底；
导电焊盘，所述导电焊盘设置在所述半导体衬底上；
柱状图案，所述柱状图案设置在所述导电焊盘上；
焊料种子图案，所述焊料种子图案设置在所述柱状图案上；以及
焊料部分，所述焊料部分覆盖所述焊料种子图案的第一侧壁和所述柱状图案的边缘区域的顶表面。


11.根据权利要求10所述的半导体器件，其中，所述焊料种子图案的第一宽度小于所述柱状图案的顶表面的第二宽度。


12.根据权利要求10所述的半导体器件，其中，所述焊料部分覆盖所述焊料种子图案的顶表面。


13.根据权利要求10所述的半导体器件，所述半导体器件还包括：保护层，所述保护层设置在所述半导体衬底上，其中，所述保护层具有暴露所述导电...

【专利技术属性】
技术研发人员：裵镇国，郑显秀，李仁荣，张东铉，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR