半导体结构的形成方法技术

半导体结构的形成方法、半导体装置与其制造方法在此被公开。一种示例的半导体装置包含半导体鳍设置在基材上，其中半导体鳍包含通道区域与源极/漏极区域；栅极结构设置在半导体鳍的通道区域上，其中栅极结构包含栅极间隔与栅极堆叠；源极/漏极结构设置在半导体鳍的源极/漏极区域上；以及鳍顶硬遮罩垂直插入栅极间隔与半导体鳍之间，其中鳍顶硬遮罩包含介电层，其中鳍顶硬遮罩的侧壁与栅极堆叠直接接触，鳍顶硬遮罩的另一侧壁与源极/漏极结构直接接触。

The formation of semiconductor structure

【技术实现步骤摘要】
半导体结构的形成方法
本专利技术实施例涉及一种半导体装置的形成方法，且特别涉及一种具有鳍式场效晶体管结构的形成方法。
技术介绍
集成电路产业经历指数性的成长。集成电路材料和设计的技术进步已经产生集成电路的数个世代，其中每一世代都具有比上一世代更小和更复杂的电路。在集成电路演变过程中，功能密度(即每芯片面积的互连装置的数量)增加，而几何尺寸(即可利用制造工艺产生的最小元件(或线))减小。这种微缩化工艺通常通过提高生产效率和降低相关成本来提供益处。这种微缩化也增加处理和制造集成电路的复杂性，并且为了实现这些进步，需要集成电路处理和制造中类似的发展。例如，在鳍式场效晶体管(fin-likefieldeffecttransistor,FinFET)的工艺中，其已被观察到在鳍片侧壁的回蚀工艺或虚置栅极去除的工艺中，鳍片顶部可能会被破坏。从而需要改进。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种半导体结构，其包含半导体鳍片，设置在基材上，其中半导体鳍片包含通道区域与源极/漏极区域；栅极结构，设置在半导体鳍片的通道区域上，其中栅极结构本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体结构，包含：/n一半导体鳍片，设置在一基材上，其中该半导体鳍片包含一通道区域与一源极/漏极区域；/n一栅极结构，设置在该半导体鳍片的该通道区域上，其中该栅极结构包含一栅极间隔物与一栅极堆叠；/n一源极/漏极结构，设置在该半导体鳍片的该源极/漏极区域上；及/n一鳍顶硬遮罩，垂直夹设于该栅极间隔物与该半导体鳍片之间，/n其中该鳍顶硬遮罩包含一介电层，其中该鳍顶硬遮罩的一侧壁与该栅极堆叠直接接触，该鳍顶硬遮罩的另一侧壁与该源极/漏极结构直接接触。/n

【技术特征摘要】
20180927 US 62/737,204;20190730 US 16/525,8321.一种半导体结构，包含：
一半导体鳍片，设置在一基材上，其中该半导体鳍片包含一通道区域与一源极/漏极区域；
一栅极结构，设置在该半导体...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨哲育，杨凯杰，蔡庆威，程冠伦，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71