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半导体结构的形成方法、半导体装置与其制造方法在此被公开。一种示例的半导体装置包含半导体鳍设置在基材上，其中半导体鳍包含通道区域与源极/漏极区域；栅极结构设置在半导体鳍的通道区域上，其中栅极结构包含栅极间隔与栅极堆叠；源极/漏极结构设置在半导...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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