晶圆湿式清洁系统及方法技术方案

本公开涉及一种晶圆湿式清洁系统及方法，实施例公开一种晶圆清洁过程，其中对配置以从晶圆去除金属污染物的排出的清洁溶液进行取样和分析，以决定溶液中金属离子的浓度。晶圆清洁过程包含于晶圆清洁站中在一或多个晶圆上分配化学溶液；收集分配的化学溶液；决定化学溶液中污染物的浓度；响应污染物的浓度大于基准值，调整清洁过程中的一或多个参数；并响应于污染物的浓度等于或小于基准值，将一或多个晶圆转移出晶圆清洁站。

Wafer wet cleaning system and method

【技术实现步骤摘要】
晶圆湿式清洁系统及方法
本公开实施例涉及一种晶圆湿式清洁系统及方法。
技术介绍
在半导体制造中所使用的生产设备，可以是为集成电路(integratedcircuit，IC)制造设施中的多个半导体晶圆带来不需要的颗粒的来源。在晶圆制造过程中，半导体晶圆经历多次处理操作。随着晶圆暴露于附加的处理，在IC制造期间晶圆表面上的不需要的颗粒的数量会增加，从而不利地影响晶圆产量和IC性能
技术实现思路
在一些实施例中，一种晶圆湿式清洁系统包含一清洁站，配置以通过包含一化学溶液的一清洁过程从一或多个晶圆去除污染物；一排水收集器，配置以收集来自清洁站的化学溶液；一分析器，配置以分析在排水收集器中被收集的化学溶液，以决定化学溶液中的污染物浓度；以及一运算单元。运算单元配置以将污染物浓度与一基准值进行比较，基于化学溶液中的污染物浓度与基准值的比较，调整清洁过程的一或多个参数。在一些实施例中，晶圆湿式清洁方法包含在晶圆清洁站中在一或多个晶圆上分配一化学溶液；收集所分配的化学溶液；决定化学溶液中污染物的浓度；响应污染物浓度大于基准值，调整清本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶圆湿式清洁系统，包括：/n一清洁站，配置以通过包含一化学溶液的一清洁过程从一或多个晶圆去除污染物；/n一排出收集器，配置以收集来自该清洁站的该化学溶液；/n一分析器，配置以分析在排出收集器中被收集的该化学溶液，以决定该化学溶液中的一污染物浓度；以及/n一运算单元，配置以：/n将该污染物浓度与一基准值进行比较；以及/n基于该化学溶液中的该污染物浓度与该基准值的比较，调整该清洁过程的一或多个参数。/n

【技术特征摘要】
20180926 US 62/736,744;20190724 US 16/521,1871.一种晶圆湿式清洁系统，包括：
一清洁站，配置以通过包含一化学溶液的一清洁过程从一或多个晶圆去除污染物；
一排出收集器，配置以收集来自该清洁站的该化学溶液；
一分析器，配置以分析在排出收集器中被收集的该化学溶液，以决定该化学溶液中的一污染物浓度；以及
一运算单元，配置以：
将该污染物浓度与一基准值进行比较；以及
基于该化学溶液中的该污染物浓度与该基准值的比较，调整该清洁过程的一或多个参数。


2.如权利要求1所述的晶圆湿式清洁系统，其中该污染物浓度包括该一或多个晶圆上的一金属污染物的量。


3.如权利要求1所述的晶圆湿式清洁系统，其中该运算单元更配置以：
响应该污染物浓度等于或小于的该基准值，向该清洁站传送一第一命令以终止该清洁过程；以及
响应该污染物浓度大于该基准值，向该清洁站传送一第二命令以调整该清洁过程中的该一或多个参数。


4.如权利要求1所述的晶圆湿式清洁系统，其中该运算单元更配置以响应该污染物浓度大于该基准值，向该清洁站传送一第三命令以改变该化学溶液的一水含量、以增加该清洁过程的一持续时间或两者兼之。


5.如权利要求1所述的晶圆湿式清洁系统，其中该运算单元更配置以响应一金属离子浓度大于该基准值，向该清洁站传送一第三命令以增加该化学溶液的一温度。


6.一种晶圆湿式清洁方法，包括：
于一晶圆清洁站中分配一第一化学溶液至一或多个晶圆上；
收集分配的该第一化学溶液；
决定该第一化学溶液中的一污染物的一第一浓度；
比较该污染物的该第一浓度与一基准值；以及
基于该污染物的该第...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵志伟，王恕言，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71