【技术实现步骤摘要】
双工位超声硅片清洗设备
本技术涉及清洗设备
,尤其涉及双工位超声硅片清洗设备。
技术介绍
由于硅片关键尺寸的持续缩小,硅片表面在经受工艺之前必须是洁净的。控制沾污最有效途径是防止沾污硅片,其中占统治地位的硅片表面清洗方法是湿化学法,湿化学法是用化学药剂与硅片表面需要去除的沾污物进行反应,使得沾污物从硅片表面剥离从而达到清洗的目的。为此中国专利(申请号201110193925.9)提出了“硅片清洗设备以及储液罐”,该清洗设备随着化学药剂与硅片表面的沾污物反应,化学药剂逐渐被消耗后,去除硅片污渍的效率降低。
技术实现思路
本技术的目的是为了解决现有技术中存在的缺点,而提出的双工位超声硅片清洗设备。为了实现上述目的,本技术采用了如下技术方案:双工位超声硅片清洗设备,包括工作台,所述工作台顶部两边均焊接有立柱,且两根立柱的顶部通过螺栓固定有同一个电动滑台,所述电动滑台滑动端的底部通过螺栓固定有推杆电机,且推杆电机的输出轴连接有顶部开口的网箱,所述工作台顶部依次开设有两个工位槽,且两个工位槽内均安装有清洗机构,两个所述清洗机构均包括水槽、与水槽底部连接的下水管、与下水管连接的过滤盒、与过滤盒连接的水泵、通过导管与水泵、存储筒和水龙头,所述存储筒、水泵的出水端和水龙头的进水口通过三通和连接管相连接,所述工作台上安装有超声波发生器,且超声波发生器的震动子分别固定于两个水槽的底部。优选的,所述网箱两侧外壁的顶部焊接有同一根连接杆,且连接杆的中部焊接有套管,推杆电机的输出轴通过螺栓 ...
【技术保护点】
1.双工位超声硅片清洗设备,包括工作台(1),其特征在于,所述工作台(1)顶部两边均焊接有立柱(2),且两根立柱(2)的顶部通过螺栓固定有同一个电动滑台(3),所述电动滑台(3)滑动端的底部通过螺栓固定有推杆电机(4),且推杆电机(4)的输出轴连接有顶部开口的网箱(5),所述工作台(1)顶部依次开设有两个工位槽,且两个工位槽内均安装有清洗机构,两个所述清洗机构均包括水槽(7)、与水槽(7)底部连接的下水管(8)、与下水管(8)连接的过滤盒(9)、与过滤盒(9)连接的水泵(11)、通过导管与水泵(11)、存储筒(13)和水龙头(12),所述存储筒(13)、水泵(11)的出水端和水龙头(12)的进水口通过三通和连接管相连接,所述工作台(1)上安装有超声波发生器(14),且超声波发生器(14)的震动子分别固定于两个水槽(7)的底部。/n
【技术特征摘要】
1.双工位超声硅片清洗设备,包括工作台(1),其特征在于,所述工作台(1)顶部两边均焊接有立柱(2),且两根立柱(2)的顶部通过螺栓固定有同一个电动滑台(3),所述电动滑台(3)滑动端的底部通过螺栓固定有推杆电机(4),且推杆电机(4)的输出轴连接有顶部开口的网箱(5),所述工作台(1)顶部依次开设有两个工位槽,且两个工位槽内均安装有清洗机构,两个所述清洗机构均包括水槽(7)、与水槽(7)底部连接的下水管(8)、与下水管(8)连接的过滤盒(9)、与过滤盒(9)连接的水泵(11)、通过导管与水泵(11)、存储筒(13)和水龙头(12),所述存储筒(13)、水泵(11)的出水端和水龙头(12)的进水口通过三通和连接管相连接,所述工作台(1)上安装有超声波发生器(14),且超声波发生器(14)的震动子分别固定于两个水槽(7)的底部。
2.根据权利要求1所述的双工位超声硅片清洗设备,其特征在于,所述网箱(5)两侧外壁的顶部焊接有同一根连接杆(6),且连接杆(6)的中部焊接有套管,推...
【专利技术属性】
技术研发人员:孙伟,
申请(专利权)人:天津创昱达光伏科技有限公司,
类型:新型
国别省市:天津;12
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